基于上述圖騰柱TCM的工作過程分析，可以總結(jié)出TCM控制的圖騰柱拓?fù)渌哂械膸c(diǎn)優(yōu)勢：

（1） 較低的器件導(dǎo)通損耗：

A、 全部開關(guān)器件都是采用MOSFET或GAN，沒有快速、慢速的二極管器件，僅在死區(qū)時(shí)間內(nèi)有MOSFET體二極管短時(shí)續(xù)流。

B、 在每個(gè)工作時(shí)段（電感充能、放能回路）的電流回路都只流過兩個(gè)開關(guān)器件。

（2） 較低的器件開關(guān)損耗：

A、 所有的高頻MOSFET或GAN都工作在ZVS狀態(tài)。

B、 在每個(gè)工作周期內(nèi)沒有二極管反向恢復(fù)損耗。

（3） 可以得到較高的功率密度：

A、 較低的開關(guān)損耗可以使得此拓?fù)涔ぷ髟谳^高的開關(guān)頻率。

B、 多個(gè)TCM單元交錯(cuò)并聯(lián)可以通過電感集成進(jìn)一步提高功率密度。

圖騰柱的TCM控制的工作方式是變頻的，其實(shí)現(xiàn)方法與我們過去的定頻控制的PFC都不同。并且，由于無法精確確定下一個(gè)開關(guān)周期，其實(shí)現(xiàn)方法與我們的LLC的變頻控制也不相同。因此，目前的TCM控制策略，是基于觸發(fā)信號的變頻控制方法。

下圖12是TCM控制在單個(gè)開關(guān)周期的工作波形圖。其中，t2和t5時(shí)刻是驅(qū)動(dòng)信號的變更時(shí)刻，此時(shí)刻的獲得方法，目前是通過外部硬件觸發(fā)信號來獲得。

圖 12單個(gè)TCM工作周期的關(guān)鍵控制時(shí)刻

對于t2的控制時(shí)刻的獲得，可以有兩種方法：（1）通過計(jì)算主功率管的開通時(shí)間Ton獲得；（2）通過硬件比較電路獲得，即峰值電流控制。

但是采用峰值電流控制有以下幾個(gè)缺點(diǎn)：

1）采用峰值電流控制時(shí)，由于需要對大范圍的PFC電感電流做瞬時(shí)采樣，故采樣精度無法保證，這就導(dǎo)致峰值電流控制效果不佳。

2）由于峰值電流需要采樣實(shí)時(shí)信號，故電流采樣濾波器帶寬需要做的很高，否則電流可能不受控，但這也導(dǎo)致電感電流采樣極易受干擾。

而采用計(jì)算Ton的控制方式，可以有效避免上述問題。我們選用的是第一種方法。

對于t5的控制時(shí)刻的獲得，通常是采樣到電流過零時(shí)刻t4，然后經(jīng)過一定的延時(shí)時(shí)間Tr，達(dá)到t5，延時(shí)時(shí)間Tr可通過計(jì)算獲得?？梢杂袃煞N方法獲得t4時(shí)刻的過零信號：（1）分流器采集過零信號；（2）飽和CT采集過零信號。預(yù)研時(shí)，我們選用的第二種方法，由于飽和CT無法采樣電感電流實(shí)時(shí)值，從而無法做CCM控制，故我們選用的是第一種方法。