全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM (總部位于日本京都市)在其600V耐壓SuperJunction MOSFET*1“PrestoMOSm”產(chǎn)品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，非常適用于冰箱和換氣扇等對(duì)低噪聲特性要求很高的小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

近年來(lái)，全球電力供應(yīng)日趨緊張，這就要求設(shè)備要更加節(jié)能。據(jù)了解，電機(jī)所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中擔(dān)負(fù)功率轉(zhuǎn)換工作的逆變電路，越來(lái)越多地開(kāi)始采用高效率MOSFET。另一方面，針對(duì)使用MOSFET時(shí)所產(chǎn)生的噪聲，主要通過(guò)添加部件和改變電路圖案等措施來(lái)處理，而這些措施需要花費(fèi)相應(yīng)的工時(shí)和成本，如何減少工時(shí)和成本已成為必須要攻克的課題。然而，通常情況下，由于降低功率損耗和降低噪聲之間存在此消彼長(zhǎng)的權(quán)衡關(guān)系，因此如何同時(shí)滿足這兩個(gè)參數(shù)的要求，也是必須要解決的課題。

在這種背景下， ROHM于2012 年實(shí)現(xiàn)了具有業(yè)內(nèi)超快反向恢復(fù)特性的SuperJunction MOSFET PrestoMOSm的量產(chǎn)，并且，由于該系列產(chǎn)品可大大降低設(shè)備的功耗而受到市場(chǎng)的高度好評(píng)。在此基礎(chǔ)上，此次ROHM又推出“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品，新產(chǎn)品通過(guò)優(yōu)化結(jié)構(gòu)而同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的低噪聲特性和業(yè)內(nèi)超快的反向恢復(fù)時(shí)間。

新產(chǎn)品不僅繼承了PrestoMOSm的特點(diǎn)——超快反向恢復(fù)時(shí)間(trr*2 )特性，同時(shí)還進(jìn)一步降低了噪聲。m買元器件現(xiàn)貨上唯樣商城通過(guò)改進(jìn)自有的Lifetime控制*3技術(shù)實(shí)現(xiàn)了40ns業(yè)內(nèi)超快反向恢復(fù)時(shí)間，與普通產(chǎn)品相比，其開(kāi)關(guān)損耗降低 約30%，有助于進(jìn)一步降低設(shè)備的功率損耗。另外，通過(guò)采用新開(kāi)發(fā)的自有SuperJunction結(jié)構(gòu)，與普通產(chǎn)品相比，與反向恢復(fù)時(shí)間之間存在權(quán)衡關(guān)系的噪聲也降低了約15dB (在ROHM測(cè)試條件下，比較40MHz時(shí)的表現(xiàn))。新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)優(yōu)異的特性，有助于減少設(shè)備的抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量。

今后，ROHM將繼續(xù)開(kāi)發(fā)不同封裝和低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品，不斷擴(kuò)大高耐壓MOSFET的產(chǎn)品陣容，通過(guò)助力各種設(shè)備降低功耗，來(lái)為解決環(huán)境保護(hù)等社會(huì)課題做出貢獻(xiàn)。

＜了解PrestoMOSm＞

Presto意為“非?？臁?，是源于意大利語(yǔ)的音樂(lè)術(shù)語(yǔ)。

PrestoMOSm是ROHM自有的功率MOSFET品牌，該品牌的MOSFET產(chǎn)品不僅保持了SuperJunction MOSFET高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，還縮短了內(nèi)置二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。因其可降低開(kāi)關(guān)損耗而越來(lái)越多地被用于空調(diào)和冰箱等配備逆變電路的應(yīng)用。

*PrestoMOSm是ROHM Co., Ltd. 的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應(yīng)用示例＞

◇冰箱

◇換氣扇

◇風(fēng)扇電機(jī)

還適用于配備小型電機(jī)的各種設(shè)備。

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1 ) Super Junction MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET是晶體管的一種，根據(jù)器件結(jié)構(gòu)上的不同又可細(xì)分為DMOSFET、平面MOSFET、SuperJunction MOSFET等不同種類的產(chǎn)品。與DMOSFET和平面MOSFET相比，SuperJunctionMOSFET在耐壓和輸出電流方面表現(xiàn)更出色，在處理大功率時(shí)損耗更小。

*2) trr：反向恢復(fù)時(shí)間(ReverseRecoveryTime)

內(nèi)置的二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低， 開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗越小。

*3)Lifetime控制

施加電壓時(shí)移動(dòng)的載流子(空穴或電子)， 從停止施加電壓時(shí)到重新結(jié)合所需的時(shí)間稱為“Lifetime” ，通過(guò)在半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)中故意制造缺陷來(lái)使其更容易重新結(jié)合的技術(shù)稱為“Lifetime控制”技術(shù)。