1984年從荷蘭著名電子制造商飛利浦獨立，當時辦公室尚在母公司的空地一旁的木屋內(nèi)，僅有百馀人陸續(xù)加入，此后致力于當時正在發(fā)展的大規(guī)模積體電路設備的研究和制造市場。阿斯麥公司為半導體生產(chǎn)商提供曝光機及相關服務，根據(jù)摩爾定律不斷為提高單位面積集成度作貢獻。2007年已經(jīng)能夠提供制造37nm線寬積體電路的曝光機。

制造大規(guī)模積體電路時要對半導體晶圓曝光3、40次。為在不降低品質(zhì)的情況下減少曝光次數(shù)，阿斯麥公司在曝光機上使用德國蔡司公司的光路系統(tǒng)，鏡頭使用螢石和石英制造，其反射鏡更是人類史上最平滑的光學鏡面。曝光機是高附加值產(chǎn)品，一臺當時龍頭尼康的新的曝光機動輒上億美元。而研發(fā)周期長，投入資金也相當巨大，使得單一家公司獨立研發(fā)開始出現(xiàn)困難。

阿斯麥的成功轉(zhuǎn)變在于整合，當年眼前有這樣級別的業(yè)界對手，因此沒有走上完全自主研發(fā)的傳統(tǒng)路線，面對這樣的條件，選擇了做專業(yè)設備不如以外包采購代替、用先進制造不如委托廠商協(xié)助代理的方法突破，同時在DUV節(jié)點上除了投資干式顯影法，運用自己規(guī)模較小的優(yōu)勢，轉(zhuǎn)向了林本堅在2002年提出，還在業(yè)界推廣的浸潤式顯影技術，并與臺積電形成同盟，漸漸擊敗Nikon自家的技術，以全球多元分工的模式取得一席之地，其中比如極紫外光刻（EUV），也是透過產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟進行合作，EUV技術由美國科技公司率先倡導，然而此時美國自己的曝光機產(chǎn)業(yè)已被日商光刻技術擊垮，阿斯麥此時出現(xiàn)搶市，伙同多家美國研究機構(gòu)、供應商聯(lián)合近20年潛心研發(fā)未知的新技術，才終于讓實用級別的EUV設備誕生，使得雖然總部和生產(chǎn)都在歐洲，但阿斯麥取得編輯協(xié)助摩爾卻像研究單位，只負責專業(yè)整合、設計和機臺操作等自有強項，大部分極紫外光的技術和供應皆為美國。

現(xiàn)在市場上提供量產(chǎn)商用的曝光機廠商依照排名，首位阿斯麥、第二名尼康（Nikon）、以及佳能（Canon）共三家，根據(jù)2007年的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，在中高階曝光機市場，阿斯麥公司約有60%的市場占有率。而最高階市場（immersion），阿斯麥公司目前約有90%的市場占有率，在14奈米節(jié)點以下更取得100%市占率，同業(yè)競爭對手已無力追趕。

2010年代以后，阿斯麥公司繼續(xù)堅持制造與生產(chǎn)方共同來研制的思路，甚至讓三星、臺積電、英特爾等競爭對手紛紛放下敵意和成見，出現(xiàn)死對頭們聯(lián)手研發(fā)并聯(lián)合資注EUV項目的景象，并已經(jīng)向客戶遞交若干臺EUV原型機型，用于研發(fā)和實驗。同時，基于傳統(tǒng)TWINSCAN平臺研發(fā)的雙重曝光技術也對光刻技術做出了大量的貢獻。早在07年末，三星宣布成功生產(chǎn)的36nm NAND Flash，基于的便是雙重圖形技術（double patten）。

TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生產(chǎn)效率最高，應用最為廣泛的高端曝光機型。目前全球絕大多數(shù)半導體生產(chǎn)廠商，都向ASML采購TWINSCAN機型，例如英特爾、三星、海力士、臺積電、聯(lián)電、格羅方德及其它臺灣十二吋半導體廠。除了目前致力于開發(fā)的TWINSCAN平臺外，阿斯邁公司還在積極與IBM等半導體公司合作，繼續(xù)研發(fā)光刻技術，用于關鍵尺度在22納米甚至更低的積體電路制造。

目前，已經(jīng)商用的最先進機型是Twinscan NXE:3400C，每小時單位產(chǎn)出為136片（WPH）12英寸晶片，屬于極紫外線曝光（EUV）機型，用來生產(chǎn)關鍵尺度低于7納米的積體電路。

后3納米制程時代，ASML與合作伙伴正在開發(fā)全新 EUV 微影曝光設備Twinscan EXE:5000系列。

據(jù)Bloomberg數(shù)據(jù)，2018年全球五大半導體設備制造商分別為應用材料（AMAT）、阿斯邁（ASML）、東京威力科創(chuàng)（TEL）、科林研發(fā)（Lam Research）、科磊（KLA），這五大半導體制造商在2018年以其領先的技術、強大的資金支持占據(jù)著全球半導體設備制造業(yè)超過70%的份額。