9.5.9 KrF和ArF深紫外光刻膠∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
DUV Photoresist for KrF and ArF
撰稿人：北京科華微電子材料有限公司 陳昕
審稿人：復(fù)旦大學(xué) 鄧海
9.5 光掩模和光刻膠材料
第9章 集成電路專用材料
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
光刻膠
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
339瀏覽量
30932
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
國產(chǎn)光刻膠突圍，日企壟斷終松動(dòng)
厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒式膠驗(yàn)證，從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破，一場靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠
發(fā)表于 07-13 07:22
?244次閱讀
行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之光刻膠厚度測量
光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下，溶解度會(huì)發(fā)生變化，主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀
，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，溶解度會(huì)發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說，光刻膠的應(yīng)用處于芯片設(shè)計(jì)、制造、
光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了
光刻膠的類型及特性
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
光刻膠成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料
光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料，在整個(gè)電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中，感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能，增感劑有助于提高
光刻膠清洗去除方法
光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時(shí)的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會(huì)導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場前景展望
光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng)，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技
一文看懂光刻膠的堅(jiān)膜工藝及物理特性和常見光刻膠
共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號(hào)也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號(hào)資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識(shí)星球，領(lǐng)取公眾號(hào)資料
國產(chǎn)光刻膠通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證
設(shè)計(jì)，有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。 ? 眾所周知，光刻膠是半導(dǎo)體芯片制造過程中所必須的關(guān)鍵材料，其研發(fā)和生產(chǎn)過程復(fù)雜且嚴(yán)格。光刻膠是指經(jīng)過紫外光、
掩膜版與光刻膠的功能和作用
是作為設(shè)計(jì)圖形的載體，通過光刻過程將掩膜版上的設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過刻蝕，將圖形刻到襯底上，從而實(shí)現(xiàn)圖形到硅片的轉(zhuǎn)移。掩膜版的精度和質(zhì)量在很大程度上決定了集成電路最終產(chǎn)品的質(zhì)量。在制造過程中，掩膜版
如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠？
在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺(tái)或者烤膠設(shè)備對(duì)SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡要介紹SU-8
如何成功進(jìn)行微流控SU-8光刻膠的紫外曝光？
為了成功紫外曝光并且根據(jù)所需要的分辨率，光刻膠掩模必須盡可能的靠近SU-8光刻膠放置，不要有任何干擾。如要這樣做，可檢查如下幾件事。 首先，光掩模和晶圓之間的灰塵或任何其他元素的存在都會(huì)導(dǎo)致不完
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論