來源：太紫微公司

近日，光谷企業(yè)在半導體專用光刻膠領域?qū)崿F(xiàn)重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過半導體工藝量產(chǎn)驗證，實現(xiàn)配方全自主設計，有望開創(chuàng)國內(nèi)半導體光刻制造新局面。

眾所周知，光刻膠是半導體芯片制造過程中所必須的關鍵材料，其研發(fā)和生產(chǎn)過程復雜且嚴格。光刻膠是指經(jīng)過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射后，溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，主要應用于積體電路和分立器件的細微圖形加工。
光刻工藝流程包括前處理、涂膠、軟烘烤、對準曝光、PEB(Post Exposure Bake)、顯影、硬烘烤和檢驗等八個環(huán)節(jié)。在這些環(huán)節(jié)中，光刻膠的性能直接影響到集成電路芯片的質(zhì)量和性能。
光刻膠通常使用在紫外光波段或更小的波長(小于400納米)進行曝光。由于目前光刻機曝光光源一共有六種，分別是紫外全譜（300～450nm）、 G 線（436nm）、 I 線（365nm）、深紫外（DUV，包括 248nm 和 193nm）和極紫外（EUV），相對應于各曝光波長的光刻膠也應運而生，對應分別為，g 線光刻膠、i 線光刻膠、KrF光刻膠、 ArF光刻膠、EUV光刻膠。

該產(chǎn)品對標國際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。相較于被業(yè)內(nèi)稱之為“妖膠”的國外同系列產(chǎn)品UV1610，T150 A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達到120nm，且工藝寬容度更大，穩(wěn)定性更高，堅膜后烘留膜率優(yōu)秀，其對后道刻蝕工藝表現(xiàn)更為友好，通過驗證發(fā)現(xiàn)T150 A中密集圖形經(jīng)過刻蝕，下層介質(zhì)的側壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。

值得注意的是，太紫微公司成立于2024年5月，由華中科技大學武漢光電國家研究中心團隊創(chuàng)立。團隊立足于關鍵光刻膠底層技術研發(fā)，在電子化學品領域深耕二十余載。

企業(yè)負責人、英國皇家化學會會員、華中科技大學教授朱明強表示：“以原材料的開發(fā)為起點，最終獲得具有自主知識產(chǎn)權的配方技術，這只是個開始，我們團隊還會發(fā)展一系列應用于不同場景下的KrF與ArF光刻膠，為國內(nèi)相關產(chǎn)業(yè)帶來更多驚喜?！?/span>

太紫微核心研發(fā)團隊成員（前排左一為朱明強教授）

太紫微公司致力于半導體專用高端電子化學品材料的開發(fā)，并以新技術路線為半導體制造開辟新型先進光刻制造技術，同時為材料的分析與驗證提供最全面的手段。

“無論是從國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)崛起的背景來看，還是從摩爾定律演變的規(guī)律展望未來，‘百家爭鳴’的局面已形成，光刻領域還會有很多新技術、新企業(yè)破繭成蝶，但擁有科技創(chuàng)新的力量是存活下去的必要前提?！碧衔⑼馄笇＜翌檰柋硎?。

審核編輯 黃宇