chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體“藍(lán)?!笔袌?,對我們是挑戰(zhàn)還是機(jī)遇?

斯丹麥德電子 ? 2022-01-10 16:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

5e4473fc-6fd5-11ec-86cf-dac502259ad0.jpg?

伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源人工智能的發(fā)展,對半導(dǎo)體器件的需求日益增長,對相關(guān)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛,于是第三代半導(dǎo)體市場應(yīng)運(yùn)而生。

近年國內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼,同時(shí)對高壓、高電流的半導(dǎo)體測試也提出了更多新的挑戰(zhàn)。斯丹麥德干簧繼電器是如何在挑戰(zhàn)中發(fā)現(xiàn)新的機(jī)遇呢?

第三代半導(dǎo)體SiC,GAN 等需要高壓,大電流的測試,要求繼電器擁有高切換電壓和耐壓,同時(shí)需要耐高電流脈沖能力。斯丹麥德BE系列和最新的BH系列繼電器(1A/2A/4A),通過內(nèi)部嚴(yán)苛的篩選,并采用銠鍍層觸點(diǎn),確保干簧管之間的接觸電阻偏差控制在5ohms 以內(nèi)。即使在高脈沖電流情況下,電流也可以平均分配在繼電器的每個(gè)干簧管上,從而避免了木桶原理和延長了繼電器的使用壽命。斯丹麥德BH/E的2A系列產(chǎn)品脈沖電流可以達(dá)到10A,4A系列可以達(dá)到20A。

客戶需要200A的脈沖電流怎么辦?不用擔(dān)心, 斯丹麥德可以使用并聯(lián)的4A系列產(chǎn)品來滿足客戶的需求。

5e6a1634-6fd5-11ec-86cf-dac502259ad0.jpg?

產(chǎn)品特點(diǎn)

切換電壓高達(dá)1000VDC,瞬間可達(dá)到2000VDC

切換電流1A,脈沖電流5A/10A/ 20A

耐壓3000V以上,絕緣電阻10T以上

切換時(shí)間1.2ms以內(nèi),壽命10億次以上

5ea47cac-6fd5-11ec-86cf-dac502259ad0.jpg5ed6cfcc-6fd5-11ec-86cf-dac502259ad0.jpg?

高絕緣電阻:一直是半導(dǎo)體測試追求的目標(biāo),客戶需要在1000V電壓的情況下,高低壓漏電必須小于0.1nA,這就要求干簧繼電器的絕緣電阻必須在10T ohms 以上。斯丹麥德最新的BH系列繼電器采用特殊工藝,確保觸點(diǎn)和觸點(diǎn),觸點(diǎn)和線圈之間的絕緣電阻完全滿足客戶的需求。

高耐壓作為第三代半導(dǎo)體器件測試首選,斯丹麥德繼電器采用自有日本工廠的真空干簧管,擁有高絕緣耐壓特性,確保觸點(diǎn)耐壓達(dá)到3000V以上。

切換壽命長:半導(dǎo)體封裝測試工廠都是實(shí)行24小時(shí)生產(chǎn)不停工,對繼電器的切換效率要求很高,斯丹麥德干簧繼電器切換時(shí)間在1.2ms以內(nèi),一秒鐘可以實(shí)現(xiàn)幾百次切換,輕松滿足客戶對效率的需求;同時(shí)觸點(diǎn)鍍層采用稀有金屬銠材料,確保在切換上億次后接觸電阻的穩(wěn)定性,滿足高切換壽命的要求。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29977

    瀏覽量

    258220
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)剛剛過去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時(shí),數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用的火爆,也給第三代
    的頭像 發(fā)表于 01-05 05:53 ?2.8w次閱讀
    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)十大事件

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    與之匹配的被動(dòng)元件協(xié)同進(jìn)化。 當(dāng)第三代半導(dǎo)體器件以其高頻、高效、耐高溫高壓的優(yōu)勢,在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、光伏儲能逆變器、工業(yè)伺服電源、AI服務(wù)器電源及數(shù)據(jù)中心供電等場景中加速普及時(shí),供電系統(tǒng)中的電容正面臨前所未有的挑戰(zhàn):高頻開關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?53次閱讀

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主,如果遺漏
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?145次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1173次閱讀

    開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.1w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn),其目標(biāo)不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?406次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?494次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?820次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1681次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?587次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    是德示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動(dòng)態(tài)測試的挑戰(zhàn):開關(guān)速度可達(dá)納
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?622次閱讀
    是德示波器如何精準(zhǔn)測量<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>SiC的動(dòng)態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)機(jī)遇并存

    一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1488次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件封裝:<b class='flag-5'>挑戰(zhàn)</b>與<b class='flag-5'>機(jī)遇</b>并存

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來,在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?1159次閱讀

    第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?970次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>對防震基座需求前景?

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?/div>
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1296次閱讀