6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.1 氧化速率
6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性
第６章碳化硅器件工藝
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
32文章
3403瀏覽量
67468
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產品質量的關鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定，哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢
在現(xiàn)代電子技術飛速發(fā)展的背景下，功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅（SiC）作為一種新興的寬禁帶半導體材料，憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能，逐漸成為功率電子器件領域的熱門選
國內碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果
器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現(xiàn)倒閉潮，這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務動態(tài)，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術壁壘與產能競賽：
碳化硅薄膜沉積技術介紹
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
碳化硅功率器件的散熱方法
產生大量熱量，如果散熱不良，會導致器件性能下降甚至失效。因此，高效的散熱方法對于確保碳化硅功率器件的穩(wěn)定運行至關重要。本文將詳細介紹碳化硅功率器件
碳化硅功率器件的封裝技術解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關注和應用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術至關重要。本文將詳細解析
鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置
一、引言
隨著半導體技術的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學性質的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。高質量、大面積的SiC外延片是實現(xiàn)高性能SiC
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極
發(fā)表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用，高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸，其外延生長
青銅劍技術推出全新碳化硅驅動核
近年來，隨著碳化硅技術的不斷成熟，行業(yè)對碳化硅功率器件的應用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率
碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術
在高效電能轉換應用領域具有不可替代的優(yōu)勢，正逐漸成為功率半導體領域的主流選擇。碳化硅器件的技術挑戰(zhàn)盡管SiC器件性能優(yōu)越，但其單晶和外延材料價格較高，工藝不成熟，
碳化硅功率器件在能源轉換中的創(chuàng)新應用
能源轉換、電力傳輸和電動汽車等領域具有廣闊的應用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點，并探討其在能源轉換中的創(chuàng)新應用，引領高效能源轉換的未來之光。
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉換技術，因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的
工商網(wǎng)監(jiān)
評論