9.4.1 化合物半導(dǎo)體材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5441文章
12341瀏覽量
371546
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）賦能化合物半導(dǎo)體制造：從源頭破局良率難題，Exensio平臺(tái)實(shí)現(xiàn)全流程精準(zhǔn)預(yù)測(cè)
在5G/6G通信、電動(dòng)汽車(chē)（EV）功率器件、新能源裝備等戰(zhàn)略領(lǐng)域，化合物半導(dǎo)體（SiC、GaN、GaAs等）已成為突破硅基材料性能瓶頸的核心載體。然而，其制造流程中——晶體生長(zhǎng)與外延階段的隱性缺陷
解鎖化合物半導(dǎo)體制造新范式：端到端良率管理的核心力量
半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的范式轉(zhuǎn)變。盡管硅材料在數(shù)十年間始終占據(jù)主導(dǎo)地位，但化合物半導(dǎo)體（由元素周期表中兩種及以上元素構(gòu)成的材料）正迅速崛起
【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破局，揭秘化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼
在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下，化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的
核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái) | 2026中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 再次啟航！開(kāi)啟化合物半導(dǎo)體新紀(jì)元
2026年4月23–25日，第三屆中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（CSE 2026）將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。
本屆展會(huì)以“核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái)”為主題聚焦化合物
什么是IMC（金屬間化合物）
什么是金屬間化合物（IMC）金屬間化合物（IMC）是兩種及以上金屬原子經(jīng)擴(kuò)散反應(yīng)形成的特定化學(xué)計(jì)量比化合物，其晶體結(jié)構(gòu)決定界面機(jī)械強(qiáng)度與電學(xué)性能。在芯片封裝中，常見(jiàn)的IMC產(chǎn)生于如金與鋁、銅與錫等
華大半導(dǎo)體卓越工程師講堂制造系列專(zhuān)場(chǎng)回顧
近期，華大半導(dǎo)體卓越工程師講堂聯(lián)合所投資企業(yè)積塔半導(dǎo)體、中電智能卡和中電化合物等，聚焦“集成電路制造技術(shù)交流與工程協(xié)同實(shí)踐”，帶來(lái)集成電路特
化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝
化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想
華工激光和華工正源亮相2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)
近日，第三屆九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“九峰山論壇”）正式開(kāi)幕。華工科技核心子公司華工激光攜全新升級(jí)的化合物半導(dǎo)體“激光+
最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料，涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中
發(fā)表于 04-15 13:52
全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元！
根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030年的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測(cè)顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來(lái)幾年的快速擴(kuò)張潛力，特別是在汽車(chē)和移動(dòng)出
劍指千億！武漢光谷啟動(dòng)建設(shè)化合物半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器等四大產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)
街區(qū)，涵蓋化合物半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器、新型顯示和智能終端、生命健康等領(lǐng)域。 其中， 打造千億產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū) 成為光谷推動(dòng)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的重要舉措。 》》
LED芯片巨頭兆馳，全面進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體！
的發(fā)展戰(zhàn)略方向。具體來(lái)說(shuō)，兆馳集團(tuán)將以半導(dǎo)體芯片業(yè)務(wù)為根基，進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)集群布局，重點(diǎn)打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與
突破極限：化合物半導(dǎo)體與EDA的協(xié)同進(jìn)化之路
局限性。為了滿(mǎn)足這些高性能需求，化合物半導(dǎo)體材料如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等應(yīng)運(yùn)而生，它們以其卓越的電學(xué)特性，為新一代電子設(shè)備提供了無(wú)限可能。
半導(dǎo)體快速溫變測(cè)試的溫度循環(huán)控制標(biāo)準(zhǔn)
半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)介半導(dǎo)體材料是一類(lèi)具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電能力（電阻率在1mΩ·cm到1GΩ·cm之間）的
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論