chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

7.3.1 大注入與雙極擴(kuò)散方程∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-02-11 09:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

7.3.1 大注入與雙極擴(kuò)散方程

7.3 pn與pin結(jié)型二極管

第7章單極型和雙極型功率二極管

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

1b892efc-8a94-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

1b96b7fc-8a94-11ec-9d5f-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3392

    瀏覽量

    67227
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅退化:材料的本征局限還是工藝難題?

    在功率電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)器件以其優(yōu)異的性能正逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件。然而,SiCMOSFET和SiC二管在實(shí)際應(yīng)用中卻面臨一種特殊的可靠性挑戰(zhàn)——
    的頭像 發(fā)表于 10-15 16:22 ?42次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>極</b>退化:材料的本征局限還是工藝難題?

    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長(zhǎng)工藝參
    的頭像 發(fā)表于 09-18 14:44 ?354次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度與<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?853次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?854次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢(shì)

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?967次閱讀

    SiC碳化硅管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

    結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?593次閱讀

    國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄:碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài),可從以下維度分析這一趨勢(shì): 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競(jìng)賽:
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?747次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    SiC碳化硅MOSFET功率器件脈沖測(cè)試方法介紹

    碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:34 ?1205次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET功率<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>雙</b>脈沖測(cè)試方法介紹

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1477次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積<b class='flag-5'>技術(shù)</b>介紹

    碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?972次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)
    發(fā)表于 01-04 12:37

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長(zhǎng)室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸,其外延生長(zhǎng)
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>室結(jié)構(gòu)

    青銅劍技術(shù)推出全新碳化硅驅(qū)動(dòng)核

    近年來,隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟,行業(yè)對(duì)碳化硅功率器件的應(yīng)用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:45 ?1037次閱讀
    青銅劍<b class='flag-5'>技術(shù)</b>推出全新<b class='flag-5'>碳化硅</b>驅(qū)動(dòng)核

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用

    能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將介紹碳化硅功率器件基本原理和特點(diǎn),并探討其在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用,引領(lǐng)高效能源轉(zhuǎn)換的未來之光。
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:49 ?791次閱讀

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?799次閱讀