chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國芯思辰|拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C用于醫(yī)用額溫槍,寫入周期達(dá)100萬次

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-09-23 10:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在額溫槍開機(jī)運行的過程中,MCU運行的程序會根據(jù)用戶的操作將一些重要的數(shù)據(jù)進(jìn)行保存。即便是額溫槍從關(guān)機(jī)到重新開機(jī)、電池沒電等情況下,重要的數(shù)據(jù)也不會丟失。這些重要數(shù)據(jù)的存儲任務(wù),通常都是由可編程存儲器來完成。

一般來說,額溫槍的主控MCU不帶可編程存儲器,因此都需要外加。外加的存儲器可以通過總線(I2C接口或SPI接口)和MCU進(jìn)行通信和數(shù)據(jù)讀寫存儲。

本文主要介紹拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C,用于額溫槍上的重要數(shù)據(jù)存儲。該存儲器可替換賽普拉斯FM25V01-G和富士通MB85RS128B,性能優(yōu)越且交期短。

1、可靠性參數(shù)、低功耗

PB85RS128C具有2.7V到3.6V寬工作電壓范圍,對電壓波動具有很強(qiáng)的適應(yīng)性;工作溫度范圍-25°C到60°C,儲存溫度范圍更寬-40°C ~125°C;正常工作模式功耗為5毫安,低功耗模式為10微安@待機(jī)??梢詽M足額溫槍電池供電、工作溫度范圍和低功耗的應(yīng)用要求。

2、高速讀寫、高耐久度

相當(dāng)重要的一點是,PB85RS128C具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點(100萬次寫入周期、長達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時效),這對于額溫槍來說非常重要,因為重要數(shù)據(jù)需要快速、頻繁的寫入到存儲器中,甚至同一個地址的數(shù)據(jù)會反復(fù)的讀寫,這對存儲器的寫入次數(shù)都要求很高,而100萬次寫入周期和25年以上保存時效則能夠有力保障數(shù)據(jù)的反復(fù)讀寫。

除上述優(yōu)勢以外,PB85RS128C采用SPI接口與MCU連接,具有防誤寫、寫入保護(hù)等功能。其支持40MHZ高速讀命令,這樣的高速度可以保證數(shù)據(jù)很快被寫入到存儲器,對于關(guān)機(jī)前要存儲數(shù)據(jù)的寫入,可以縮短時間,提高可靠性。

image.php?url=YD_cnt_42_01F9LLmrSbCh

PB85RS128C SOP8封裝實物圖

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • fram
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    293

    瀏覽量

    81155
  • 國芯思辰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    1184

    瀏覽量

    2477
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    相變存儲器 (PCM) 技術(shù)介紹

    PCM(Phase-Change Memory 相變存儲器)屬于新型電阻式存儲器,其存儲元件工作原理及對 CMOS 工藝集成度的影響,與浮柵存儲器
    發(fā)表于 04-29 15:58

    Infineon CY15X108QN:低功耗隨機(jī)存儲器的卓越之選

    Infineon CY15X108QN:低功耗隨機(jī)存儲器的卓越之選 在各類電子設(shè)備中,存儲器的性能直接影響著設(shè)備的運行效率和數(shù)據(jù)安全性。英飛凌(Infineon)的CY15X108
    的頭像 發(fā)表于 03-29 12:00 ?331次閱讀

    基于單片機(jī)的設(shè)計

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于單片機(jī)的設(shè)計.docx》資料免費下載
    發(fā)表于 03-01 15:36 ?0次下載

    FM24C32D-TS-T-G在ETC系統(tǒng)中的存儲應(yīng)用

    復(fù)旦微電子32Kb EEPROM FM24C32D-TS-T-G具備1.7V-5.5V寬壓、-40℃~85℃寬及百萬次擦寫特性,為ETC系統(tǒng)提供高可靠數(shù)據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 01-26 09:53 ?338次閱讀
    FM24<b class='flag-5'>C32D</b>-TS-T-G在ETC系統(tǒng)中的<b class='flag-5'>存儲</b>應(yīng)用

    CW24C256B/512B256K/512K 位串行總線 EEPROM的介紹

    1. 描述 CW24C256B/512B是262144/524288位的串行可擦除 只讀存儲器(EEPROM),分別采用32768/65536 ×8位的組織 結(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于低電壓
    發(fā)表于 01-13 08:22

    欣旺達(dá)100顆684Ah疊片順利下線

    12月23日,欣旺達(dá)100顆684Ah疊片順利下線。自今年9月684Ah疊片
    的頭像 發(fā)表于 12-30 16:25 ?1056次閱讀

    iDS iToF Nion 3D相機(jī),開啟高性價比3D視覺新紀(jì)元!

    一、友特新品 友特 iDS uEye Nion iTof 3D相機(jī)將 120 像素的卓越空間分辨率與可靠的深度精度相結(jié)合—即使在極具挑戰(zhàn)性的環(huán)境中也能確保獲取精細(xì)的
    的頭像 發(fā)表于 12-15 14:59 ?592次閱讀
    iDS iToF Nion <b class='flag-5'>3D</b>相機(jī),開啟高性價比<b class='flag-5'>3D</b>視覺新紀(jì)元!

    伯樂24C02/24C04/24CXX:百萬次擦寫非易失性存儲器的解決方案

    的首選方案。無論是消費電子、工業(yè)控制還是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,都能見到它的身影。一產(chǎn)品概述24C02/24C04/24Cxx系列是基于IIC總線協(xié)議的串行可擦除存儲器(E
    的頭像 發(fā)表于 11-28 18:32 ?1516次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b>伯樂24<b class='flag-5'>C</b>02/24<b class='flag-5'>C</b>04/24CXX:百<b class='flag-5'>萬次</b>擦寫非易失性<b class='flag-5'>存儲器</b>的解決方案

    深度解析onsemi CAT93C86:16Kb Microwire串行EEPROM的技術(shù)特性與應(yīng)用

    DI(或DO)引腳串行寫入(或讀取)。安森美CAT93C86采用先進(jìn)的CMOS EEPROM浮柵技術(shù)制造而成。該器件設(shè)計耐100萬次編程/擦除周期
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:31 ?1623次閱讀
    深度解析onsemi CAT93<b class='flag-5'>C</b>86:16Kb Microwire串行EEPROM的技術(shù)特性與應(yīng)用

    源的片上存儲器介紹

    域主要用于存放應(yīng)用程序代碼和用戶數(shù)據(jù),用戶可編程。 ●● 啟動程序存儲器,共 2.5KB,地址空間為 0x0010 0000 - 0x0010 09FF。該區(qū)域主要用于存儲 BootL
    發(fā)表于 11-12 07:34

    ?STMicroelectronics M24128-U 128Kb I2C EEPROM技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    ,以及超過400萬次寫入周期和超過200年的數(shù)據(jù)保留,因此非常適合用于要求苛刻的應(yīng)用。M24128-U還具有硬件寫入保護(hù)、隨機(jī)/順序讀取模式
    的頭像 發(fā)表于 10-15 18:26 ?999次閱讀
    ?STMicroelectronics M24128-U <b class='flag-5'>128</b>Kb I2<b class='flag-5'>C</b> EEPROM技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    I2C兼容串行可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)-P24C512H

    ? ? I2C兼容串行可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)-P24C512H ? 產(chǎn)品介紹 ? ?產(chǎn)品概述: ? P24C512H是I2
    的頭像 發(fā)表于 08-07 10:06 ?1335次閱讀
    I2<b class='flag-5'>C</b>兼容串行<b class='flag-5'>電</b>可擦可編程只讀<b class='flag-5'>存儲器</b>(E2PROM)-P24<b class='flag-5'>C</b>512H

    貞光科技:紫光車規(guī)DDR3在智能駕駛與ADAS中的應(yīng)用

    隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型,高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車不可或缺的核心組件。紫光作為國內(nèi)領(lǐng)先的存儲器芯片制造商,其車規(guī)級DDR3
    的頭像 發(fā)表于 06-05 16:50 ?1660次閱讀
    貞光科技:紫光<b class='flag-5'>國</b><b class='flag-5'>芯</b>車規(guī)DDR<b class='flag-5'>3</b>在智能駕駛與ADAS中的應(yīng)用

    |同步采樣24位模數(shù)轉(zhuǎn)換軟硬件替換ADS1174應(yīng)用于關(guān)口表

    |同步采樣24位模數(shù)轉(zhuǎn)換軟硬件替換ADS1174應(yīng)用于關(guān)口表
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:02 ?1126次閱讀
    <b class='flag-5'>國</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>思</b><b class='flag-5'>辰</b>|同步采樣24位模數(shù)轉(zhuǎn)換<b class='flag-5'>器</b>軟硬件替換ADS1174應(yīng)<b class='flag-5'>用于</b>關(guān)口表

    多軸控制可使用國產(chǎn)存儲器SF25C20(MB85RS2MT)

    多軸控制可使用國產(chǎn)存儲器SF25C20(MB85RS2MT)
    的頭像 發(fā)表于 05-06 09:47 ?921次閱讀
    多軸控制<b class='flag-5'>器</b>可使用國產(chǎn)<b class='flag-5'>鐵</b><b class='flag-5'>電</b><b class='flag-5'>存儲器</b>SF25<b class='flag-5'>C</b>20(MB<b class='flag-5'>85RS</b>2MT)