碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料，相對于Si基器件具備降低電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢。如今，SiC“上車”已成為新能源汽車產(chǎn)業(yè)難以繞開的話題，而這要歸功于搭載意法半導體碳化硅器件的特斯拉Model 3的問世，使諸多半導體企業(yè)在碳化硅上“卷”了起來。

AMB受益于車用SiC放量進入爆發(fā)期

2.1. 汽車電動化平臺高壓化提升SiC MOS需求

汽車電動平臺高壓化有助于提升續(xù)航里程+快充。續(xù)航里程和充電時間長是目前電動車的首要痛點，提高電壓能在同樣的電阻下減少電耗損失，提升效率，增加續(xù)航里程。同時，800V高壓平臺可搭配350kW超級充電樁，提升充電速度，縮短充電時長。此外在充電功率相同的情況下，800V高壓快充架構(gòu)下的高壓線束直徑更小，相應(yīng)成本更低，電池散熱的更少，熱管理難度相對降低，整體電池成本更優(yōu)。

SiC在高壓+長續(xù)航平臺有先天性能優(yōu)勢。第三代半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等特點，在高頻、高壓、高溫等工作場景中，有易散熱、小體積、低能耗、 高功率等明顯優(yōu)勢。相較于硅基器件，SiC器件具有優(yōu)越的電氣性能，如耐高壓、耐高溫和低損耗。

新能源汽車持續(xù)滲透+汽車平臺高壓化帶動SiC 器件市場將高速增長。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021-2027年，全球 SiC 功率器件市場規(guī)模將由10.9億美元增長到62.97億美元，CAGR為34%;其中車用SiC市場規(guī)模將由6.85億美元增長到49.86億美元，CAGR 為39.2%，車(逆變器+OBC+DC/DC轉(zhuǎn)換器)是SiC最大的下游應(yīng)用，占比由62.8%增長到79.2%，市場份額持續(xù)提升。

2.2. 主流新能源車企加速導入SiC電動化平臺

主流新能源車企加速導入高壓SiC平臺。2021-2022年，現(xiàn)代IONIQ5、奧迪e-tron GT、保時捷Taycan等國外車型，以及長城沙龍機甲龍、北汽極狐阿爾法S華為HI版、極氪001等國內(nèi)車型已率先應(yīng)用800V高壓平臺+SiC功率模塊。2023年以后，更多基于800V架構(gòu)的新能源汽車將進入量產(chǎn)階段。根據(jù)英飛凌預計，到2025年汽車電子功率器件領(lǐng)域采用SiC技術(shù)的占比將會超過20%。

2.3. AMB陶瓷基板需求受益于SiC MOS放量進入加速成長期

陶瓷襯板又稱陶瓷電路板，是在陶瓷基片上通過覆銅技術(shù)形成的基板;再通過激光鉆孔、圖形刻蝕等工藝制作成陶瓷電路板。陶瓷基板按照工藝主要分為DBC、AMB、DPC、HTCC、LTCC等基板，按照基板材料劃分主要為氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)，其中氧化鋁陶瓷基板最常用，主要采用DBC工藝;氮化鋁陶瓷基板導熱率較高，主要采用DBC和AMB工藝;氮化硅可靠性優(yōu)秀，主要采用AMB工藝。

SiC在新能源汽車上的應(yīng)用優(yōu)勢:

提升加速度

新能源汽車的加速性能與動力系統(tǒng)輸出的最大功率和最大扭矩密切相關(guān)，SiC技術(shù)允許驅(qū)動電機在低轉(zhuǎn)速時承受更大輸入功率，且不怕電流過大導致的熱效應(yīng)和功率損耗，這就意味著車輛起步時，驅(qū)動電機可以輸出更大扭矩，強化加速能力。

增加續(xù)航里程

SiC器件通過導通/開關(guān)兩個維度降低損耗，從而實現(xiàn)增加電動車續(xù)航里程的目的。

汽車輕量化

SiC材料載流子遷移率高，能提供較高的電流密度，相同功率等級下封裝尺寸更小。SiC能夠?qū)崿F(xiàn)高頻開關(guān)，減少濾波器和無源器件如變壓器、電容、電感等的使用，從而減少系統(tǒng)體系和重量；SiC禁帶寬度寬且具有良好的熱導率，可以使器件工作于較高的環(huán)境溫度中，從而減少散熱器體積；SiC可以降低開關(guān)與導通損耗，使系統(tǒng)效率提升，同樣續(xù)航范圍內(nèi)，可以減少電池容量，有助于車輛輕量化。2022年800V高壓平臺成為解決快充痛點的主流方案，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。

此外，隨著汽車電動化快速進入到2.0快充階段，高壓快充系統(tǒng)成為車企不約而同的選擇。目前，越來越多車企陸續(xù)發(fā)布了搭載800V高電壓平臺的車型。電壓平臺的升高，將意味著核心三電系統(tǒng)以及空調(diào)壓縮機、DCDC、OBC等部件以及充電樁都要能在800V甚至1000V的電壓下正常工作。而SiC具有高耐壓特性，在1200V的耐壓下阻抗遠低于Si，對應(yīng)的導通損耗會相應(yīng)降低，同時由于SiC可以在1200V耐壓下選擇MOSFET封裝，可以大幅降低開關(guān)損耗，因此受到多家車企的青睞。

Si3N4-AMB基板是SiC器件封裝基板的首選

以往被廣泛使用的直接覆銅（DBC）陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷（Al2O3或AlN）之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求。

Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶瓷板上。通過活性金屬釬焊（AMB）工藝形成的銅/陶瓷界面粘結(jié)強度更高，且Si3N4陶瓷相比Al2O3和AlN同時兼顧了優(yōu)異的機械性能和良好的導熱性，因此Si3N4-AMB覆銅基板在高溫下的服役可靠性更強，是SiC器件封裝基板的首選。

三種陶瓷基板材料性能對比（來源：張偉儒，《第3代半導體碳化硅功率器件用高導熱氮化硅陶瓷基板最新進展》

Si3N4-AMB基板制備流程

AMB工藝根據(jù)釬焊料不同，目前主要分為放置銀銅鈦焊片和印刷銀銅鈦焊膏兩種。

以后者為例，工藝流程如下圖所示。首先將Ag、Cu、Ti元素直接以粉末形式混合制成漿料，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將Ag-Cu-Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上，再利用熱壓技術(shù)將銅箔層壓在焊料上，最后通過燒結(jié)、光刻、腐蝕及鍍Ni工藝制備出符合要求的氮化硅AMB覆銅板。

氮化硅AMB覆銅板制備工藝流程圖

在AMB工藝中，利用Ti等過渡金屬與Ag、Cu等元素形成合金焊料，具有很強的化學活性，能夠與氧化物陶瓷、非氧化物陶瓷等發(fā)生反應(yīng)，促使熔融焊料潤濕陶瓷表面，完成氮化硅與無氧銅的連接?；钚栽豑i與氮化硅陶瓷反應(yīng)的主要產(chǎn)物是TiN和TiAl3。

但這兩種方法都存在一定局限。首先，焊片工藝所用的銀銅鈦焊片在制備過程中容易出現(xiàn)活性元素Ti的氧化、偏析問題，導致成材率極低，焊接接頭性能較差。對于焊膏工藝，在高真空中加熱時有大量有機物揮發(fā)，導致釬焊界面不致密，出現(xiàn)較多空洞，使得基板在服役過程中易出現(xiàn)高壓擊穿、誘發(fā)裂紋的問題。此外，釋放的有機揮發(fā)物會污染真空腔體和泵組管道，影響分子泵的使用壽命。

據(jù)此，李伸虎等創(chuàng)新地提出了銀銅鈦焊膏的預脫脂釬焊工藝，可以在保護高真空設(shè)備的同時，顯著降低Si3N4陶瓷-銅的界面空洞率。

此外，AMB工藝還還存在一些短板，其技術(shù)實現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進一步完善，這使得該技術(shù)目前的實現(xiàn)成本還比較高。

AMB(Active Metal Brazing)