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度亙核芯（DoGain）在2023年1月29日美國舊金山舉行的西部光電會議（Photonics West 2023）上發(fā)布了在高功率9xxnm半導體激光方面的最新進展。開發(fā)的915nm單管激光芯片，國際上首次實現了單管器件高達55W的功率輸出！

圖1. 9xxnm半導體激光芯片結構示意圖

圖2. 9xxnm半導體激光器件COS結構示意圖

高功率、高效率、高亮度是激光技術和應用孜孜以求的目標，也是當前激光技術領域中比較活躍的研究領域。我們通過對基礎物理、材料科學以及器件制備工藝的深入研究，優(yōu)化了芯片的內量子效率、腔內光學損耗以及腔面的高負載能力，成功實現了輸出功率和電光轉換效率的顯著提高。開發(fā)的915nm單管激光芯片，在室溫和55A連續(xù)工作條件下，突破性的實現了55.5W的高輸出功率，而且具有高的電光轉換效率、小的水平發(fā)散角和高的偏振度。

圖3. 25℃，CW條件下，915nm 功率、電壓和電光轉換效率隨電流變化曲線

度亙很榮幸將此技術及產品推向市場，為客戶提供高功率、高效率、高性價比的有效解決方案。度亙也將持續(xù)聚焦核心光電領域，提升產品的性能和可靠性，持續(xù)不斷的為客戶提供更優(yōu)質的產品。