KUU推出采用DFN3.3*3.3-8L無鉛塑料封裝的P-Trench MOSFET產(chǎn)品K060P03M。DFN3.3*3.3-8L無鉛塑料封裝占位面積僅有3.3*3.3 mm,高度僅為0.65 mm,專門針對(duì)諸如移動(dòng)設(shè)備等高性能消費(fèi)產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設(shè)計(jì)。
這款K060P03M作為P-Trench MOSFET,其產(chǎn)品參數(shù):具有55A電流、30V電壓,RDS(on) =8.3mΩ,最高柵源電壓VGS =±20 V,高雪崩耐量,可靠性高,廣泛使用在鋰電池保護(hù)板、負(fù)載開關(guān)、電動(dòng)工具和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等。
K060P03M
DFN3.3*3.3-8L
Vds:30V
Id:55A
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
9429瀏覽量
229714 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
9146瀏覽量
147907
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應(yīng)用指南
onsemi NTH4L060N065SC1 SiC MOSFET深度解析
選型手冊(cè):VS3508AP-K P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
深入解析 onsemi NVHL060N065SC1 N 溝道 MOSFET
探索NTMFS005P03P8Z:高性能P溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
BM2P060MF-Z DC-DC轉(zhuǎn)換器文檔介紹
合科泰P溝道MOSFET HKTQ30P03P在VBUS開關(guān)中的應(yīng)用
新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品
RDS(on)低至8.6mΩ,揚(yáng)杰推出200V MOSFET Gen2.0系列
辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET
ZSKY-2301-2.8A-SOT-23 80K MOSFET P溝道規(guī)格書
A03-C1S12M(-1) A03-C1S12M(-1)

KUU推出Trench MOSFET產(chǎn)品K060P03M
評(píng)論