chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用TO-247PLUS SMD封裝

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-05-18 09:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

120-200A 750V EDT2

工業(yè)級分立IGBT

120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用可回流焊,電阻焊的TO-247PLUS SMD封裝

產(chǎn)品型號:

IKQB120N75CP2

IKQB160N75CP2

IKQB200N75CP2

采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,這可以使電動商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc。

高可靠的產(chǎn)品,采用經(jīng)過電動汽車現(xiàn)場驗(yàn)證的EDT2技術(shù)與英飛凌的卓越品質(zhì)相結(jié)合,顯著提高了逆變器系統(tǒng)的性能和可靠性。

續(xù)流二極管是快恢復(fù)的發(fā)射極可控制的二極管,具有高效和軟開關(guān)特性。

產(chǎn)品特點(diǎn)

120-200A,750V EDT2 芯片技術(shù)

軟特性優(yōu)化的全額定電流的續(xù)流二極管

低飽和壓降VCEsat=1.4V

封裝適合在245°C下回流焊接3次

引腳的電鍍使電阻焊接成為可能

3us短路堅(jiān)固性

應(yīng)用價值

分立器件TO-247中最高功率密度,封裝電流高達(dá)200A

400V直流母線工作增加安全系數(shù)

回流焊后的無分層,降低結(jié)到散熱器的熱阻Rth(j-hs)

按照商用車應(yīng)用條件優(yōu)化性能

最低的靜態(tài)導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗

改善EMI性能

競爭優(yōu)勢

通過并聯(lián)實(shí)現(xiàn)靈活輸出功率

EDT2芯片在可焊接的TO-247PLUS SMD封裝中,性價比高

大電流IGBT,采用SMD PLUS,適合在DCB上進(jìn)行回流焊,DCB焊接到水冷散熱器上

對針腳進(jìn)行電鍍處理可用于電阻焊接

應(yīng)用領(lǐng)域

CAV的應(yīng)用,如物流車、電動卡車和大客車主驅(qū)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9018

    瀏覽量

    147405
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1286

    文章

    4178

    瀏覽量

    258956
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    集電極-發(fā)射極電壓( ~VGE~ =0V)、40A集電極連續(xù)電流(TC=100°C)以及120A脈沖正向電流。~~該IGBT采用TO-
    的頭像 發(fā)表于 10-20 14:54 ?401次閱讀
    STMicroelectronics GWA40MS<b class='flag-5'>120</b>DF4AG <b class='flag-5'>IGBT</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管

    揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺,極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 09-18 18:01 ?2112次閱讀
    揚(yáng)杰科技推出新一代<b class='flag-5'>To-247PLUS</b><b class='flag-5'>封裝</b>1200<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>單管

    新品 | CoolSiC? MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝

    新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200
    的頭像 發(fā)表于 09-08 17:06 ?699次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CoolSiC? MOSFET 1200<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>分立</b>器件TO<b class='flag-5'>247</b>-4引腳IMZA<b class='flag-5'>封裝</b>

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)與車規(guī)碳化硅功率器件

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)與車規(guī)碳化硅功率器件第二代750VCo
    的頭像 發(fā)表于 07-28 17:06 ?614次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代CoolSiC? MOSFET G<b class='flag-5'>2</b> <b class='flag-5'>750V</b> - <b class='flag-5'>工業(yè)</b><b class='flag-5'>級</b>與車規(guī)<b class='flag-5'>級</b>碳化硅功率器件

    英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點(diǎn)

    英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關(guān)拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)卓越性能。
    的頭像 發(fā)表于 06-20 14:44 ?751次閱讀

    陸芯科技推出IGBT單管AU40N120T3A5

    陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管,產(chǎn)品型號為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺,PitchSize 1.6um,TO
    的頭像 發(fā)表于 05-27 12:04 ?888次閱讀
    陸芯科技推出<b class='flag-5'>IGBT</b>單管AU40N<b class='flag-5'>120T3A</b>5

    新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V,TO-247-2封裝

    新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V,TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也
    的頭像 發(fā)表于 03-25 17:04 ?768次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80<b class='flag-5'>A</b> 2000<b class='flag-5'>V</b>,TO-<b class='flag-5'>247-2</b><b class='flag-5'>封裝</b>

    英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-
    的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?911次閱讀

    英飛凌車規(guī)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A產(chǎn)品概述

    英飛凌車規(guī)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A,這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員,它基于ED
    的頭像 發(fā)表于 02-20 17:52 ?2472次閱讀
    英飛凌車規(guī)<b class='flag-5'>級</b><b class='flag-5'>IGBT</b>功率模塊FF300R08W<b class='flag-5'>2P2_B11A</b>產(chǎn)品概述

    新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247
    的頭像 發(fā)表于 02-08 08:34 ?793次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代 CoolSiC? MOSFET G<b class='flag-5'>2</b><b class='flag-5'>分立</b>器件 1200 <b class='flag-5'>V</b> TO-<b class='flag-5'>247</b>-4HC高爬電距離

    新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V

    新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:03 ?1021次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | QDPAK TSC頂部散熱<b class='flag-5'>封裝工業(yè)</b>和汽車<b class='flag-5'>級</b>CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ <b class='flag-5'>750V</b>

    中恒微發(fā)布Mini Z3功率模塊:750V新技術(shù)車規(guī)芯片引領(lǐng)新能源變革

    ,以新一代750V車規(guī)芯片為核心,再次刷新了車用IGBT模塊的性能標(biāo)準(zhǔn)。 Mini Z3功率模塊不僅繼承了中恒微半導(dǎo)體在IGBT技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累,更在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著的提升。其
    的頭像 發(fā)表于 12-26 13:56 ?867次閱讀

    新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET

    750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅(jiān)固的SiCMOSFET,
    的頭像 發(fā)表于 12-20 17:04 ?864次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>750V</b> 8mΩ CoolSiC? MOSFET

    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝

    新品CoolSiCMOSFET650VG2,7mΩ,采用TO247和TO247-4封裝CoolSiCMOSFET650VG2,7mΩ,
    的頭像 發(fā)表于 11-23 01:04 ?1059次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CoolSiC? MOSFET 650<b class='flag-5'>V</b> G2,7mΩ,<b class='flag-5'>采用</b>TO<b class='flag-5'>247</b>和TO<b class='flag-5'>247</b>-4<b class='flag-5'>封裝</b>

    新品 | D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP?的IGBT7系列

    新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列,是
    的頭像 發(fā)表于 11-14 01:03 ?1332次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | D2PAK和DPAK<b class='flag-5'>封裝</b>的TRENCHSTOP?的<b class='flag-5'>IGBT</b>7系列