chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新品 | 120-200A 750V EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT,采用TO-247PLUS SMD封裝

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-05-18 09:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新品

120-200A 750V EDT2

工業(yè)級(jí)分立IGBT

120-200A 750V EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT,采用可回流焊,電阻焊的TO-247PLUS SMD封裝

產(chǎn)品型號(hào):

IKQB120N75CP2

IKQB160N75CP2

IKQB200N75CP2

采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,這可以使電動(dòng)商用車(chē)的電池電壓達(dá)到450Vdc

高可靠的產(chǎn)品,采用經(jīng)過(guò)電動(dòng)汽車(chē)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的EDT2技術(shù)與英飛凌的卓越品質(zhì)相結(jié)合,顯著提高了逆變器系統(tǒng)的性能和可靠性。

續(xù)流二極管是快恢復(fù)的發(fā)射極可控制的二極管,具有高效和軟開(kāi)關(guān)特性。

產(chǎn)品特點(diǎn)

120-200A,750V EDT2 芯片技術(shù)

軟特性優(yōu)化的全額定電流的續(xù)流二極管

低飽和壓降VCEsat=1.4V

封裝適合在245°C下回流焊接3次

引腳的電鍍使電阻焊接成為可能

3us短路堅(jiān)固性

應(yīng)用價(jià)值

分立器件TO-247中最高功率密度,封裝電流高達(dá)200A

400V直流母線工作增加安全系數(shù)

回流焊后的無(wú)分層,降低結(jié)到散熱器的熱阻Rth(j-hs)

按照商用車(chē)應(yīng)用條件優(yōu)化性能

最低的靜態(tài)導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗

改善EMI性能

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

通過(guò)并聯(lián)實(shí)現(xiàn)靈活輸出功率

EDT2芯片在可焊接的TO-247PLUS SMD封裝中,性價(jià)比高

大電流IGBT,采用SMD PLUS,適合在DCB上進(jìn)行回流焊,DCB焊接到水冷散熱器上

對(duì)針腳進(jìn)行電鍍處理可用于電阻焊接

應(yīng)用領(lǐng)域

CAV的應(yīng)用,如物流車(chē)、電動(dòng)卡車(chē)和大客車(chē)主驅(qū)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9142

    瀏覽量

    147896
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1286

    文章

    4263

    瀏覽量

    260489
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 1400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝

    新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247P
    的頭像 發(fā)表于 11-17 17:02 ?1061次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代CoolSiC? MOSFET G<b class='flag-5'>2</b> 1400<b class='flag-5'>V</b>,TO-<b class='flag-5'>247PLUS</b>-4回流焊<b class='flag-5'>封裝</b>

    STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    集電極-發(fā)射極電壓( ~VGE~ =0V)、40A集電極連續(xù)電流(TC=100°C)以及120A脈沖正向電流。~~該IGBT采用TO-
    的頭像 發(fā)表于 10-20 14:54 ?1912次閱讀
    STMicroelectronics GWA40MS<b class='flag-5'>120</b>DF4AG <b class='flag-5'>IGBT</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管

    揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺(tái),極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 09-18 18:01 ?2368次閱讀
    揚(yáng)杰科技推出新一代<b class='flag-5'>To-247PLUS</b><b class='flag-5'>封裝</b>1200<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>單管

    新品 | CoolSiC? MOSFET 1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝

    新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200
    的頭像 發(fā)表于 09-08 17:06 ?840次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CoolSiC? MOSFET 1200<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>分立</b>器件TO<b class='flag-5'>247</b>-4引腳IMZA<b class='flag-5'>封裝</b>

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件第二代750VCo
    的頭像 發(fā)表于 07-28 17:06 ?769次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代CoolSiC? MOSFET G<b class='flag-5'>2</b> <b class='flag-5'>750V</b> - <b class='flag-5'>工業(yè)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>與車(chē)規(guī)<b class='flag-5'>級(jí)</b>碳化硅功率器件

    英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點(diǎn)

    英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)卓越性能。
    的頭像 發(fā)表于 06-20 14:44 ?879次閱讀

    陸芯科技推出IGBT單管AU40N120T3A5

    陸芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺(tái),PitchSize 1.6um,TO
    的頭像 發(fā)表于 05-27 12:04 ?998次閱讀
    陸芯科技推出<b class='flag-5'>IGBT</b>單管AU40N<b class='flag-5'>120T3A</b>5

    新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V,TO-247-2封裝

    新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V,TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也
    的頭像 發(fā)表于 03-25 17:04 ?910次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80<b class='flag-5'>A</b> 2000<b class='flag-5'>V</b>,TO-<b class='flag-5'>247-2</b><b class='flag-5'>封裝</b>

    英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-
    的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?1054次閱讀

    英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A產(chǎn)品概述

    英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊FF300R08W2P2_B11A,這款750V模塊是英飛凌著名的“EasyPACK?”產(chǎn)品家族中的最新成員,它基于ED
    的頭像 發(fā)表于 02-20 17:52 ?2762次閱讀
    英飛凌車(chē)規(guī)<b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>IGBT</b>功率模塊FF300R08W<b class='flag-5'>2P2_B11A</b>產(chǎn)品概述

    新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247
    的頭像 發(fā)表于 02-08 08:34 ?915次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代 CoolSiC? MOSFET G<b class='flag-5'>2</b><b class='flag-5'>分立</b>器件 1200 <b class='flag-5'>V</b> TO-<b class='flag-5'>247</b>-4HC高爬電距離

    新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車(chē)級(jí)CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V

    新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車(chē)級(jí)CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:03 ?1150次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | QDPAK TSC頂部散熱<b class='flag-5'>封裝工業(yè)</b>和汽車(chē)<b class='flag-5'>級(jí)</b>CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ <b class='flag-5'>750V</b>

    高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

    JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選
    的頭像 發(fā)表于 01-16 14:16 ?1044次閱讀

    中恒微發(fā)布Mini Z3功率模塊:750V新技術(shù)車(chē)規(guī)級(jí)芯片引領(lǐng)新能源變革

    ,以新一代750V車(chē)規(guī)級(jí)芯片為核心,再次刷新了車(chē)用IGBT模塊的性能標(biāo)準(zhǔn)。 Mini Z3功率模塊不僅繼承了中恒微半導(dǎo)體在IGBT技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累,更在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著的提升。其
    的頭像 發(fā)表于 12-26 13:56 ?941次閱讀

    新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET

    750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅(jiān)固的SiCMOSFET,
    的頭像 發(fā)表于 12-20 17:04 ?965次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>750V</b> 8mΩ CoolSiC? MOSFET