chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

1200V TRENCHSTOP? IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-05-31 16:51 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

/ 引言 /

英飛凌TRENCHSTOP IGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)(650V&1200V)和三個(gè)系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EV charger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專門的優(yōu)化,并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列,H7單管正在成為光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用的新星。

產(chǎn)品特點(diǎn)

按照應(yīng)用需求去定義產(chǎn)品,去掉短路能力從而獲得更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,如圖1所示。完美適配于不需要短路能力的光儲(chǔ)等應(yīng)用。

1200V H7系列有四種封裝,電流規(guī)格覆蓋40A-140A。其中140A的電流規(guī)格為市場(chǎng)首發(fā),如圖2所示。而英飛凌上一代1200V 高速單管HIGHSPEED3 H3的最大電流規(guī)格僅為75A。

1200V H7全系列配置全電流規(guī)格的EC7 Rapid二極管,適配整流工況。

更強(qiáng)的防潮和抗宇宙射線能力。

a09e8618-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖1 英飛凌不同1200V單管的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗對(duì)比

產(chǎn)品系列

a0c47882-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖2 1200V H7單管產(chǎn)品系列

標(biāo)注:TO247-4pin assymetric為開爾文引腳、柵極引腳變細(xì)的TO247-4封裝,有助于避免連錫、加強(qiáng)絕緣性能。

TRENCHSTOP IGBT7 H7

與HIGHSPEED H3對(duì)比

1200V HIGHSPEED3 H3 IGBT針對(duì)高頻應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,具有很短的拖尾電流和很小的關(guān)斷損耗;因?yàn)椴捎昧薚RENCHSTOP技術(shù),其導(dǎo)通損耗也很低。因此,H3單管廣泛應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、UPS等領(lǐng)域。而1200V H7單管更近一步,表現(xiàn)出更優(yōu)越的性能。

下圖為IKW40N120H3和IKW40N120CH7的在相同條件下的雙脈沖測(cè)試結(jié)果:

測(cè)試電壓:600V

測(cè)試電流:20A

測(cè)試溫度:室溫25°C

柵極電阻:10Ω

a0efb808-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖3 H3開通波形 @600V,20A,25°C

a111c59c-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖4 H7開通波形 @600V,20A,25°C

a14db778-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖5 H3關(guān)斷波形 @600V,20A,25°C

a17acdc6-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖6 H7關(guān)斷波形 @600V,20A,25°

左右滑動(dòng)查看更多

分析雙脈沖結(jié)果可見,H7系列單管具有更快的開關(guān)速度,而且其開通損耗比H3降低22.4%,關(guān)斷損耗降低了34.5%,且具有更短的拖尾電流。另外,規(guī)格書顯示,IKW40N120H7的Vce(sat)比IKW40N120CH3低25.9%。

由雙脈沖結(jié)果可知,1200V H7單管適用于光儲(chǔ)中的Boost、T型三電平、DCDC等高開關(guān)頻率拓?fù)?。下面以T型三電平為例,通過(guò)PLECS軟件和英飛凌官網(wǎng)提供的PLECS模型進(jìn)行仿真

a1af92c2-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖7 仿真拓?fù)洌篢型三電平

a1cf92a2-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

工況:20kW、10%過(guò)載、Vout=380V、PF=1、fsw=18kHz、風(fēng)冷

在相同工況下,H7單管的導(dǎo)通損耗略低于H3,開關(guān)損耗降低接近一半,較低的總損耗會(huì)使得散熱器的溫度降低。但H7芯片的面積比H3小,導(dǎo)致的較大熱阻不利于結(jié)溫的降低,盡管如此,H7單管的結(jié)溫仍然比H3單管低13.8°C。也就是說(shuō),可以用H7單管代替之前設(shè)計(jì)中的同電流規(guī)格H3單管,并獲得更高的結(jié)溫裕量。

隨著1200V H7單管電流規(guī)格的增大,其芯片面積增大,熱阻降低,帶來(lái)更好的性能。下面使用75A規(guī)格的IKQ75N120CH7與100A規(guī)格的IKQ100N120CH7分別應(yīng)用于30kW和40kW的T型三電平拓?fù)溥M(jìn)行仿真。

a1ff812e-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

工況:30kW、10%過(guò)載、380V輸出、PF=1、fsw=18kHz、風(fēng)冷

a236ad0c-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

工況:40kW、10%過(guò)載、Vout=380V輸出、PF=1、fsw=16kHz、風(fēng)冷

可見,可以通過(guò)單顆大電流單管進(jìn)行更高功率逆變器的設(shè)計(jì),但是需要合理的散熱來(lái)解決單顆TO247PLUS封裝上高達(dá)80W的功耗。值得一提的是:對(duì)大電流的單管,降低其Rth(c-h)將獲得更大的收益。因?yàn)榇箅娏鲉喂艿腞th(c-h)占有更大比例。

1200V H7單管在光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)中的應(yīng)用

1200V H7系列單管完美適用于T型三電平的豎管。通常情況下,T型三電平的直流母線在700-850V之間,豎管需要選用1200V耐壓的IGBT;逆變器開關(guān)頻率通常較高,同時(shí)其工作原理決定了開關(guān)損耗占比較大,所以豎管需要具有低的開關(guān)損耗;光伏逆變器要求支持±0.8的功率因數(shù),儲(chǔ)能逆變器要求達(dá)到-1的功率因數(shù),1200V H7系列單管配置的全電流規(guī)格EC7 Rapid二極管可以處理這種整流工況。為了增大IGBT出電流能力,50A至140A的1200V H7單管提供TO247PLUS封裝,在裝載更大面積芯片的同時(shí)提供了比TO247封裝具有更大的散熱焊盤。

a25fb6fc-fb5a-11ed-ba01-dac502259ad0.png

圖8 TO247-3 VS TO247PLUS-3

當(dāng)下,光伏逆變器降本壓力增大,越來(lái)越多的光伏逆變器企業(yè)開始嘗試100kW及以上逆變器的大電流單管并聯(lián)解決方案。目前,英飛凌1200V H7單管的100A、120A、140A規(guī)格是其豎管的最優(yōu)解決方案。通過(guò)仿真和熱測(cè)試的評(píng)估發(fā)現(xiàn),兩并聯(lián)或三并聯(lián)方案配合良好的散熱設(shè)計(jì),1200V H7系列單管可以輕松實(shí)現(xiàn)100kW+的逆變器。

值得一提的是,對(duì)TO247PLUS-4封裝的單管,由于開爾文射極的存在,驅(qū)動(dòng)回路電感減小,開關(guān)速度增快;同芯片技術(shù)、同電流規(guī)格時(shí),其開關(guān)損耗比TO247PLUS-3降低20%。這對(duì)光伏逆變器廠家沖擊更高功率規(guī)格的逆變器提供巨大幫助。但增快的開關(guān)速度會(huì)增大IGBT的關(guān)斷電壓尖峰,需要注意功率回路雜感的優(yōu)化。

總結(jié)

?英飛凌1200V TRENCHSTOP7 IGBT7 H7系列單管具有多種電流規(guī)格、豐富的封裝形式、極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗,是光儲(chǔ)應(yīng)用中的優(yōu)選型號(hào)。

?相較于英飛凌上一代1200V H3單管,H7單管具有更好的表現(xiàn),同電流規(guī)格的單管可以實(shí)現(xiàn)更大功率的機(jī)型。

?多顆大電流H7單管并聯(lián)可以實(shí)現(xiàn)100kW及以上逆變器。

?大電流單管應(yīng)用中降低Rth(c-h)會(huì)獲得更大收益。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電壓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    45

    文章

    5744

    瀏覽量

    120191
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1286

    文章

    4179

    瀏覽量

    258987
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT

    揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺(tái),極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品參數(shù)一致性好,可靠性優(yōu)良,適用于伺服、變頻器
    的頭像 發(fā)表于 09-18 18:01 ?2114次閱讀
    揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>

    Microchip推出全新DualPack 3 IGBT7電源模塊 提供高功率密度并簡(jiǎn)化系統(tǒng)集成

    推出全新DualPack 3(DP3)系列電源模塊。該系列模塊采用先進(jìn)IGBT7技術(shù),提供1200V和1700V兩種電壓等級(jí)的六款產(chǎn)品,額定電流范圍300–900A,旨在滿足市場(chǎng)對(duì)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效且簡(jiǎn)化的電源轉(zhuǎn)換器解決方案的日益增
    的頭像 發(fā)表于 09-17 15:45 ?659次閱讀

    基于SiC MOSFET的T電平數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計(jì)方案

    以下是基于B3M010C075Z(750V)和B3M013C120Z(1200V)SiC MOSFET的 T
    的頭像 發(fā)表于 08-10 14:57 ?684次閱讀
    基于SiC MOSFET的<b class='flag-5'>T</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>電平</b>數(shù)據(jù)中心UPS高效設(shè)計(jì)方案

    如何選擇 1200V SiC(碳化硅)TO-247 的耐高溫絕緣導(dǎo)熱墊片?

    近期,華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進(jìn)軍碳化硅功率器件領(lǐng)域,推出了兩款1200V工規(guī)SiC產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H02
    的頭像 發(fā)表于 07-29 06:21 ?420次閱讀
    如何選擇 <b class='flag-5'>1200V</b> SiC(碳化硅)TO-247 <b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>的耐高溫絕緣導(dǎo)熱墊片?

    華為海思入局碳化硅!推出1200V工規(guī)級(jí)SiC

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近海思半導(dǎo)體官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET產(chǎn)品,ASO1K2H020M1T4和ASO1K2
    發(fā)表于 07-27 07:12 ?1883次閱讀
    華為海思入局碳化硅!推出<b class='flag-5'>1200V</b>工規(guī)級(jí)SiC<b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>

    新品 | 儲(chǔ)能用1200V 500A NPC2 電平IGBT EasyPACK? 3B模塊

    新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:08 ?648次閱讀
    新品 | 儲(chǔ)能用<b class='flag-5'>1200V</b> 500A NPC2 <b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>電平</b><b class='flag-5'>IGBT</b> EasyPACK? 3B模塊

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon
    的頭像 發(fā)表于 05-13 17:04 ?1030次閱讀
    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發(fā)射極<b class='flag-5'>IGBT</b>模塊

    陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT

    陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT,產(chǎn)品型號(hào)為YGK40N120TMA1。
    的頭像 發(fā)表于 03-11 16:17 ?716次閱讀
    陸芯科技推出<b class='flag-5'>1200V</b>40A GEN3 <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>

    國(guó)產(chǎn)SiC MOSFETT電平拓?fù)?/b>的應(yīng)用分析

    的優(yōu)勢(shì)與SiC MOSFET適配性 電壓應(yīng)力降低 T電平拓?fù)?/b>,每個(gè)開關(guān)器件僅承受母線電壓的
    的頭像 發(fā)表于 02-24 22:30 ?752次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>T</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>電平</b><b class='flag-5'>拓?fù)?/b><b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用<b class='flag-5'>分析</b>

    英飛凌IGBT7系列芯片大解析

    ,英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽(micropatterntrench)技術(shù),溝道密度更高,元胞間距也經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),并且
    的頭像 發(fā)表于 01-15 18:05 ?1758次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>IGBT7</b>系列芯片大解析

    芯達(dá)茂國(guó)產(chǎn)IGBT模塊,國(guó)產(chǎn)IBGT 全系列型號(hào)

    深圳市佛科技有限公司介紹芯達(dá)茂國(guó)產(chǎn)IGBT模塊,國(guó)產(chǎn)IBGT 提供樣品,技術(shù)支持。 國(guó)產(chǎn)IBGT+FRD
    發(fā)表于 12-19 15:03

    菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

    1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品,本文主要介紹菱電機(jī)1200V
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?2270次閱讀
    <b class='flag-5'>三</b>菱電機(jī)<b class='flag-5'>1200V</b>級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析

    新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品

    新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOP
    的頭像 發(fā)表于 12-04 01:04 ?1546次閱讀
    新品 | Easy2B Easy3B <b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT7</b> <b class='flag-5'>H7</b>高速芯片的<b class='flag-5'>T</b><b class='flag-5'>型</b><b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>電平</b>模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

    采用這些技術(shù)并擴(kuò)大芯片面積,第8代1200V IGBT功率模塊相同的菱電機(jī)LV100封裝實(shí)現(xiàn)了1800A的額定電流,是傳統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?2397次閱讀
    深度了解第8代1800A/<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>功率模塊

    新品 | D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP?的IGBT7系列

    新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOPIGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOPIGBT7系列,是采用額定電壓為1
    的頭像 發(fā)表于 11-14 01:03 ?1341次閱讀
    新品 | D2PAK和DPAK封裝的<b class='flag-5'>TRENCHSTOP</b>?的<b class='flag-5'>IGBT7</b>系列