近期有消息稱臺(tái)積電已啟動(dòng)2納米制程的試產(chǎn)前期準(zhǔn)備工作，并將采用納米片晶體管（Nanosheet）替代傳統(tǒng)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）。如果屬實(shí)，這將是臺(tái)積電的重要里程碑，意味著他們的工藝正式進(jìn)入了GAA晶體管時(shí)代。據(jù)傳，臺(tái)積電計(jì)劃利用先進(jìn)的AI系統(tǒng)來提高節(jié)能減碳效率并加快試產(chǎn)效率。預(yù)計(jì)蘋果、英偉達(dá)等大廠將成為臺(tái)積電2納米量產(chǎn)后的首批客戶，從而擴(kuò)大與三星、英特爾等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的差距。

臺(tái)積電對(duì)相關(guān)傳聞表示不予置評(píng)，但強(qiáng)調(diào)2納米技術(shù)的研發(fā)進(jìn)展順利，并計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)。根據(jù)公開的代工報(bào)價(jià)，預(yù)計(jì)臺(tái)積電2納米制程的報(bào)價(jià)約為24570美元左右。

據(jù)悉，臺(tái)積電計(jì)劃在位于竹科寶山晶圓20廠率先全球量產(chǎn)2納米芯片。目前公開信息顯示，臺(tái)積電未來最先進(jìn)的2納米生產(chǎn)基地將先落腳于竹科寶山晶圓20廠，該廠區(qū)規(guī)劃包括四期和六期工程，未來還將擴(kuò)建至中科。

與3納米芯片相比，2納米芯片在相同功耗下具有10%到15%的速度提升；在相同速度下，功耗降低了25%到30%。據(jù)報(bào)道，今年臺(tái)積電計(jì)劃建設(shè)一條小規(guī)模試產(chǎn)線，目標(biāo)是生產(chǎn)1000片晶圓；2024年將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并計(jì)劃于2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)。這預(yù)示著臺(tái)積電即將實(shí)現(xiàn)2納米芯片的商業(yè)化量產(chǎn)。

這一技術(shù)突破將使臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，并為全球客戶提供更強(qiáng)大、更高效的芯片解決方案。未來，隨著2納米芯片的問世，人們可以期待更快速、更省電的智能設(shè)備和高性能計(jì)算產(chǎn)品的推出。

業(yè)界傳聞稱，臺(tái)積電2納米技術(shù)的初期研發(fā)將在竹科建立一條小量試產(chǎn)生產(chǎn)線，今年的目標(biāo)是試產(chǎn)近千片芯片。成功試產(chǎn)后，將逐步過渡到位于竹科寶山晶圓20廠的大規(guī)模生產(chǎn)線，力爭(zhēng)在2024年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。

臺(tái)積電此前已發(fā)布了2納米制程的家族規(guī)劃，其中N2芯片有望在2025年開始量產(chǎn)，并為高性能計(jì)算產(chǎn)品（HPC）設(shè)計(jì)了背面電路，預(yù)計(jì)將在2025年下半年推出。另外，N2P和N2X芯片預(yù)計(jì)將于2026年推出。

編輯：黃飛