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實(shí)測(cè)干貨分享!1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試

泰克科技 ? 來(lái)源:未知 ? 2023-07-17 18:45 ? 次閱讀
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GaN HEMT功率器件實(shí)測(cè)及其測(cè)試注意事項(xiàng)。氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表,具有極快的開(kāi)關(guān)速度,能夠顯著提升功率變換器的性能,受到電源工程師的青睞。同時(shí),極快的開(kāi)關(guān)速度又對(duì)其動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試提出了更高的要求,稍有不慎就會(huì)得到錯(cuò)誤結(jié)果。

為了能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)試,對(duì)應(yīng)的測(cè)試系統(tǒng)往往需要注意以下幾點(diǎn)。(實(shí)測(cè)視頻見(jiàn)文中~)

1. 測(cè)量設(shè)備具有足夠的帶寬,確保開(kāi)關(guān)過(guò)程不被濾波

針對(duì)此要求,泰克科技的功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)DPT1000A中配置了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的示波器MSO5(1GHz帶寬)、光隔離探頭TIVP1(1GHz帶寬)、高壓無(wú)源探頭TPP0850(800MHz帶寬)、Shunt(500MHz帶寬)

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2. 探頭與測(cè)量點(diǎn)之間實(shí)現(xiàn)最小回路連接,減小測(cè)量回路中額外引入的寄生參數(shù),避免測(cè)量結(jié)果中出現(xiàn)并不存在的震蕩或其他異常波形

3. 控制測(cè)試板中功率回路和驅(qū)動(dòng)回路的電感,避免開(kāi)關(guān)波形出現(xiàn)嚴(yán)重震蕩或超出器件安全工作范圍

針對(duì)要求2和3,泰克科技為GaN HEMT功率器件提供了專(zhuān)用測(cè)試板以確保測(cè)試效果,其具有以下特點(diǎn)

a. 元器件布局緊湊、驅(qū)動(dòng)電路靠近器件,盡量減小功率回路和驅(qū)動(dòng)回路電感

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b. 針對(duì)不同封裝類(lèi)型的器件,提供焊接和壓接兩種形式,既可以避免傳統(tǒng)Socket引入過(guò)量的寄生電壓,又能夠確保器件牢固可靠

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c. 光隔離探頭TIVP1、高壓無(wú)源探頭TPP0850與PCB連接時(shí)采用專(zhuān)用測(cè)試座,盡量減少了引入測(cè)量回路的電感,同時(shí)還確保了測(cè)量的重復(fù)性

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以TO-252測(cè)試板為例,我們可以看到其上的各功能模塊

下管器件:量芯微的1200伏氮化鎵器件GPIHV15DK

上管器件:TO-252封裝的1200伏碳化硅二極管

測(cè)試點(diǎn)柵極的信號(hào)的測(cè)試點(diǎn),主回路電流的測(cè)試點(diǎn),源漏極Vds的電壓的測(cè)試點(diǎn)

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實(shí)測(cè)視頻

泰克DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)集成了MSO58B高分辨率多通道示波器、光隔離探頭以及雙通道的任意波形發(fā)生器等產(chǎn)品,可實(shí)現(xiàn):

- 定制化系統(tǒng)設(shè)計(jì) & 自動(dòng)化測(cè)試軟件

- 高帶寬/高分辨率測(cè)試設(shè)備 , 在高速開(kāi)關(guān)條件下準(zhǔn)確表征功率器件

- 覆蓋高壓、中壓、低壓、pmos、GaN 等不同類(lèi)型,不同封裝芯片測(cè)試

- 可以提供單脈沖、雙脈沖、反向恢復(fù)、Qg、短路測(cè)試等測(cè)試功能

傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng),研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子新能源和電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)開(kāi)拓新的應(yīng)用市場(chǎng)。量芯微(GaNPower)是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠(chǎng)家。這次測(cè)試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK,在市場(chǎng)上具有標(biāo)志性意義,傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普遍停留在低壓應(yīng)用。進(jìn)入到1200V意味著氮化鎵器件在800伏電驅(qū)或其他高壓應(yīng)用上將發(fā)揮重要作用,同時(shí)相比于碳化硅器件,在成本上也會(huì)有更大的優(yōu)勢(shì),證明未來(lái)高壓氮化鎵器件在工業(yè)和能源應(yīng)用市場(chǎng)將會(huì)有更大的發(fā)展空間。

另外,泰克也在北京成立了先進(jìn)半導(dǎo)體開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室,測(cè)試器件類(lèi)型廣泛,從傳統(tǒng)硅基器件到三代半功率器件,高壓到低壓,功率器件到功率模塊,都可以進(jìn)行特性測(cè)試和表征,歡迎各位工程師預(yù)約申請(qǐng)實(shí)測(cè)!

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