chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

瞻芯電子 ? 來源:瞻芯電子 ? 2025-07-16 14:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬顆,為應(yīng)用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

關(guān)于1200V 35mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子1200V 35mΩ SiC MOSFET是基于最新的第3代SiC MOSFET工藝平臺開發(fā)的重要產(chǎn)品系列,具有下列4種型號,均按汽車級可靠性標(biāo)準(zhǔn)(AEC-Q101)設(shè)計和測試認(rèn)證,具有低損耗、高可靠、高頻開關(guān)等特點,其驅(qū)動電壓推薦18V,且兼容15V。特別值得一提的是,該系列產(chǎn)品導(dǎo)通電阻(Ron)具有較低的溫升系數(shù),能在高溫條件下,仍然保持較低的導(dǎo)通電阻,確保應(yīng)用系統(tǒng)高效運行。 其中首批量產(chǎn)的2款產(chǎn)品分別為TO247-4插件封裝(IV3Q12035T4Z)和TO263-7貼片封裝(IV3Q12035D7Z),通過了嚴(yán)格的AEC-Q101認(rèn)證,更進一步配合多家知名光伏、充電樁客戶完成了系統(tǒng)級測試和驗證,進入批量交付階段。

c3077070-603e-11f0-baa5-92fbcf53809c.png

為滿足不同應(yīng)用場景的需求,該系列產(chǎn)品開發(fā)了4種封裝型號,不僅具有成熟的TO247-4和TO263-7封裝,而且還有更低寄生參數(shù)的TO247-4Slim封裝,以及支持頂部散熱的TC3Pak封裝。上述4種封裝均有開爾文源極引腳,可解耦驅(qū)動和功率回路,降低開關(guān)損耗 。

c3150776-603e-11f0-baa5-92fbcf53809c.png

典型應(yīng)用場景 充電樁、車載空調(diào)壓縮機、車載電子空懸、光伏MPPT和逆變器開關(guān)電源 相關(guān)閱讀: 瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)

關(guān)于瞻芯電子

上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,2017年成立于上海臨港。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動和控制芯片產(chǎn)品,并圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用,為客戶提供一站式解決方案。

瞻芯電子是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司,擁有一座車規(guī)級碳化硅(SiC)晶圓廠,標(biāo)志著瞻芯電子進入中國領(lǐng)先碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體IDM公司行列。

瞻芯電子是國家高新技術(shù)企業(yè)、國家專精特新“小巨人”企業(yè),將持續(xù)創(chuàng)新,放眼世界,致力于打造中國領(lǐng)先、國際一流的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9076

    瀏覽量

    225867
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    2006

    瀏覽量

    94056
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3387

    瀏覽量

    67193
  • 瞻芯電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    66

    瀏覽量

    826

原文標(biāo)題:瞻芯電子第3代1200V?35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用,贏得市場認(rèn)可

文章出處:【微信號:瞻芯電子,微信公眾號:瞻芯電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    派恩杰第三1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢

    1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,
    的頭像 發(fā)表于 09-03 11:29 ?748次閱讀

    加速落地主驅(qū)逆變器,三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗證

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,三安光電在投資者平臺上表示,其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET1200V 16mΩ迭代到
    的頭像 發(fā)表于 08-10 03:18 ?7706次閱讀

    華為海思入局碳化硅!推出1200V工規(guī)級SiC單管

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近海思半導(dǎo)體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品,ASO1K2H020M1T4和ASO1K2
    發(fā)表于 07-27 07:12 ?1807次閱讀
    華為海思入局碳化硅!推出<b class='flag-5'>1200V</b>工規(guī)級<b class='flag-5'>SiC</b>單管

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:02 ?490次閱讀
    基本股份B<b class='flag-5'>3M</b>013C120Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>)的產(chǎn)品力分析

    聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

    ,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200V SiC MOSFET,為電動汽車行業(yè)注入強勁新動能。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?775次閱讀

    Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
    的頭像 發(fā)表于 03-21 10:11 ?963次閱讀

    電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

    近日,電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009
    的頭像 發(fā)表于 03-11 15:22 ?1028次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b>推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

    安森美M3S與M2 SiC MOSFET的性能比較

    安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低,提供 650 V
    的頭像 發(fā)表于 02-21 11:24 ?1442次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>M3</b>S與<b class='flag-5'>M</b>2 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>的性能比較

    三菱電機1200VSiC MOSFET技術(shù)解析

    1200VSiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?2232次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>1200V</b>級<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析

    電子推出車規(guī)級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用

    為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要,電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:07 ?1892次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b>推出車規(guī)級<b class='flag-5'>1200V</b> 60A <b class='flag-5'>SiC</b> 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用

    電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

    為了滿足高密度的功率變換的需求,電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝
    的頭像 發(fā)表于 11-27 14:58 ?1250次閱讀
    <b class='flag-5'>瞻</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>電子</b>推出采用TC<b class='flag-5'>3</b>Pak封裝的<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    東芝推出全新1200V SiC MOSFET

    東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiCMOSFET
    的頭像 發(fā)表于 11-21 18:10 ?1167次閱讀
    東芝推出全新<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    深度了解81800A/1200V IGBT功率模塊

    本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的81800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進的8IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:59 ?2373次閱讀
    深度了解<b class='flag-5'>第</b>8<b class='flag-5'>代</b>1800A/<b class='flag-5'>1200V</b> IGBT功率模塊

    采用第二1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機驅(qū)動器

    的EiceDRIVER?緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動器1ED3122MC12H。 ■? 產(chǎn)品型號: REF-DR3KIMBGSIC2MA ■? 所用器件: SiC MOSFET: IMBG120R040
    的頭像 發(fā)表于 10-29 17:41 ?811次閱讀
    采用第二<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>1200V</b> CoolSiC? <b class='flag-5'>MOSFET</b>的集成伺服電機驅(qū)動器

    微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET,為高效、可靠能源變換再添助力!

    微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面
    的頭像 發(fā)表于 10-29 13:54 ?907次閱讀
    納<b class='flag-5'>芯</b>微發(fā)布首款<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,為高效、可靠能源變換再添助力!