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Intel自曝:3nm工藝良率、性能簡直完美!

硬件世界 ? 來源:硬件世界 ? 2023-08-01 09:41 ? 次閱讀
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Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝,也就是之前的7nm,但是Intel認(rèn)為它能達(dá)到4nm級別的水平,所以改了名字。

再下一步就是Intel 3,也就是早先的5nm,號稱能效可提升18%。

Intel CEO帕特·基辛格近日披露,Intel 3工藝在今年第二季度就達(dá)成了缺陷密度、性能的里程碑,將如期達(dá)到良率、性能的整體目標(biāo),明年上半年首先應(yīng)用于Sierra Forest(首次純小核設(shè)計(jì)),緊接著很快就會(huì)用于Granite Rapids(純大核)。

Sierra Forest、Granite Rapids應(yīng)該都會(huì)劃入第六代可擴(kuò)展至強(qiáng)序列,而今年底還有個(gè)第五代的Emerald Rapids,制造工藝和現(xiàn)在的第四代Sapphire Rapids一樣都是Intel 7。

Intel 3工藝似乎不會(huì)用于消費(fèi)級產(chǎn)品,至少目前沒看到相關(guān)規(guī)劃,它更多針對數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品優(yōu)化。

多次曝光的Granite Rapids

再往后的Arrow Lake,將會(huì)首次引入Intel 20A工藝,也就是相當(dāng)于2nm級別。

基辛格表示,Intel 20A工藝將第一次使用RibbonFET、PowerVia技術(shù),大規(guī)模用于消費(fèi)級產(chǎn)品,目前正在晶圓廠內(nèi)進(jìn)行第一步。

就在不久前,Intel宣布,率先在代號為“Blue Sky Creek”產(chǎn)品級測試芯片上實(shí)現(xiàn)了背面供電技術(shù)。

該技術(shù)能顯著提高芯片的使用效率,同時(shí)晶體管體積大大縮小,單元密度大大增加,因此能顯著降低成本,還將平臺電壓降低了30%,并帶來了6%的頻率增益。







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:Intel自曝:3nm工藝良率、性能簡直完美!

文章出處:【微信號:hdworld16,微信公眾號:硬件世界】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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