此前，國家知識產權局公布了一項華為新的專利。反射鏡、光刻設備及其控制方法在極紫外光刻及核心技術上取得突破性進展。

4月，哈工大宣布實現(xiàn)了“電能轉化等離子體線路”,實現(xiàn)了DPP-EUV光源。

7月23日起，日本針對尖端半導體制造設備出口的限制措施正式生效。共有6大類23種設備被納入出口限制，覆蓋了芯片光刻、刻蝕、檢測各個環(huán)節(jié)。

7月14日，彭博社消息，荷蘭***巨頭阿斯麥公司（ASML）與中國客戶的合作將面臨美荷更嚴格的管制。新規(guī)要求從9月1日開始。

7月5日，由日本政府支持的日本產業(yè)革新投資機構（JIC）同意以約9093億日元（折合約64億美元）收購全球市場份額第一的日本光刻膠巨頭JSR。

據(jù)中國的專利記錄顯示，清華大學（中國的“麻省理工學院”）、南京大學、中國科學院以及總部位于安徽合肥的Specreation公司，都在過去一年內申請了EUV光源技術的專利。

據(jù)海關數(shù)據(jù)，截至2023年5月，我國已成功減少了455億顆芯片的進口數(shù)量。基于這一規(guī)模，預計今年我國將進一步減少超過1000億顆芯片的進口量。

制造一臺高端***到底有多難

***又名掩模對準曝光機，是芯片制造流程中光刻工藝的核心設備。芯片的制造流程極其復雜，而光刻工藝是制造流程中最關鍵的一步，光刻確定了芯片的關鍵尺寸，在整個芯片的制造過程中約占據(jù)了整體制造成本的35%。

芯片制造用的前道***，主要應用于晶圓制造，并且隨著芯片制程越小，晶圓尺寸越大，***的要求就越高。

典型產品就是EUV，主要由四部分構成：極端紫外光源、反射投影系統(tǒng)、光刻模板（mask）、能夠用于極端紫外的光刻涂層（photo-resist）。幫助臺積電等晶圓代工廠實現(xiàn)5nm、3nm等先進制程工藝。

芯片制造用的后道***，主要用于封測，正是國產***廠商的主力戰(zhàn)場。

第三種是面板***，主要用于分立器件、LED等制造。

目前數(shù)據(jù)顯示，在EUV、ArFi、ArF等三個高端機型上，ASML出貨量占比分別為100%、95%、87%。

圖1 ***產品解析表 來源：頭豹研究院

據(jù)了解，一臺荷蘭ASML的EUV***需要10萬多個零件，而且90%以上的零配件是由全球各國供應的。比如軸承是由瑞典來設計和制造，鏡頭是由德國蔡司公司生產，激光設備是由日本設計并提供等等。

通俗地說：如果沒有ASML的頂級***，也就造不出來高工藝水平的芯片。

當前，我國***產業(yè)處處被“卡脖子”。上海微電子副董事長賀榮明曾在受訪時表示：“2002年，我國專家出國考察時，對方工程師說，哪怕把所有圖紙都給你們，你們也未必能做出***。”

另外，臺積電赴美之前，張忠謀也曾公然表示：“就算給大陸10萬億美元，他們也不可能造出一顆高端芯片”。

中芯國際孟良松曾含淚說到：其實我們早就攻克了7nm生產工藝，無奈的是EUV***無法拿到，所以目前止步于12nm。

ASML對中國態(tài)度大反轉西方國家開始動搖

ASML***，最新進展。ASML 持續(xù)改進 DUV 系統(tǒng)。全新 NXT:2100i 具有 4 個新功能，可改善未來邏輯和 DRAM 的重疊和邊緣放置錯誤。

據(jù)季度財務電話會議來看，ASML 目前已發(fā)貨超過 200 個 NXE:3400/3600 系統(tǒng)。從總數(shù)看來，這個統(tǒng)計是有缺失的，因為當下統(tǒng)計是基于 ASML 的銷售數(shù)字，然后發(fā)貨和統(tǒng)計銷售之間存在一些延遲。但可以預計的是，NXE:3600D 要么是/要么很快就會成為出貨量最多的系統(tǒng)。

ASML 將繼續(xù)對其產品線進行不懈的改進計劃。更快、更精確的 DUV 和 0.33 NA EUV 工具。開發(fā)即將推出的 0.55NA 高 NA EUV 工具，甚至超越高 NA 到可能的超 NA 工具。

最近，一位荷蘭工程師在社交網(wǎng)站上發(fā)表說：“物理定律全世界都是一樣的，荷蘭既然能做到，中國也一定能制造出頂級***，只是時間問題而已”。

目前，我國在芯片領域頻頻突破。

中科院院士郭光燦和中科院量子信息重點實驗室副主任郭國平教授，聯(lián)合創(chuàng)立的本源量子公司突然宣布：已經掌握了量子芯片工業(yè)軟件設計的核心技術，并且成功研發(fā)了首款量子芯片設計軟件。在光芯片、3D堆疊加等技術領域中國也早已開始布局，并且也取得不錯的成績，這些都可繞開ASML的EUV***。

論EUV***核心技術中的工件平臺而言，中國華卓精密科技有限公司自研的雙工件臺，徹底打破了ASML的技術壟斷，成為了全球第二家掌握雙工件平臺核心技術的企業(yè)！

另外，哈工大在***領域更是頻頻突破。2月，宣布自研超精密高速激光干涉儀，并榮獲世界光子大會“金燧獎”金獎這樣的頂級獎項；3月份在激光領域再獲重大突破，為研發(fā)小型化短波激光器提供了全新的解決方案；4月，又宣布實現(xiàn)了“電能轉化等離子體線路”,實現(xiàn)了DPP-EUV光源。

近日，在ASML年度股東大會上，ASML總裁表示，中國尋求開發(fā)自己的半導體制造設備合情合理。

美國要求ASML禁止向中國出售DUV***，被ASML直接拒絕，表示中國是芯片產業(yè)鏈重要一環(huán)，不可能繞過中國。荷蘭高管甚至警告美國：ASML是歐洲企業(yè)，美國沒有權利干涉我們把***賣給誰！

目前，ASML在中國市場的影響力日益增強，中國大陸的芯片制造商正在積極備貨并向ASML下更多的訂單。從第一季度到第二季度，中國大陸營收占ASML總營收比例從8%增長到了24%。這一數(shù)據(jù)再次證明了中國市場對ASML的重要性。

任重道遠國產替代進行時

日本在半導體芯片領域依然擁有話語權。以半導體光刻膠為例，日本壟斷了全球87%的市場份額。在***中，尼康和佳能的DUV***也占有一定的市場份額。

三星集團的CEO就曾表示:“如果***缺少了光刻膠，那么***就是一堆廢鐵?！?/p>

現(xiàn)在10nm制程以下的光刻膠，基本上只有日企能夠生產。

不同制程的***，對應著不同波長的光線，對應著就需使用不同種類的光刻膠。

EUV***，用于7納米以下支撐，極紫外光的波長小于13.5納米，用EUV光刻膠。

DUV***，采用深紫外光，波長193納米，用ArF光刻膠（或者ArFi光刻膠），也可以簡稱“A膠”。

微米級別，光的波長248納米，得用KrF光刻膠，或者稱“K膠”。

相對來說最容易，為g線和i線的光刻膠，波長436納米和365納米。

現(xiàn)如今，g線和i線的光刻膠市場相對飽和，國產化率也比較高。

而高端光刻膠需要嚴格控制金屬雜質含量，國內精細化工方面水平略顯不足。但在整個半導體光刻膠市場中，EUV只占到1%，A膠和K膠，合計占了82%，這也是我們現(xiàn)階段努力攻破的重點，國內企業(yè)任重道遠。

最近，江蘇徐州小廠一舉打破日本長達20年的壟斷，將國產光刻膠的純度提升10倍，使KrF、ArF高端光刻膠實現(xiàn)量產。成為目前國內唯一實現(xiàn)上游材料100%國產化的光刻膠公司。這讓外媒再次被震撼：“低估中國，是犯大錯！”

在國產化替代的道路上，***的上下游均涌現(xiàn)出了一批優(yōu)秀供應商，比如***光源系統(tǒng)廠商福晶科技，物鏡系統(tǒng)廠商奧普光電，光掩膜版廠商菲利華，缺陷檢測廠商東方晶源，光刻膠廠商南大光電、容大感光，光刻氣體廠商雅克科技、華特氣體等。

***具體廠家名錄：（排名不分先后）

光刻膠具體廠家名錄：（排名不分先后）

我國通過自主研發(fā)和創(chuàng)新，依靠龐大的市場需求，逐漸減少了對外部技術和設備的依賴，并取得了一系列突破。因此，在***、芯片等領域，我們日益崛起，成為全球科技發(fā)展的領導者。

與此同時，我國將繼續(xù)致力于加大力度，在關鍵領域進一步推動自主研發(fā)和創(chuàng)新。這不僅為我國持續(xù)發(fā)展提供了動力，也為全球科技進步做出了積極貢獻。