美國要求中國的芯片產(chǎn)業(yè)在尖端技術(shù)落后5代，設(shè)備制造商尹志堯中微半導體的總裁在無錫會議上表示。

中微半導體首席執(zhí)行官表示，不斷升級的出口限制揭示了美國限制中國半導體進展的“真實意圖”。

這些評論是在無錫舉行的半導體設(shè)備會議期間發(fā)表的，在會上向一大群行業(yè)專業(yè)人士發(fā)表了講話。

中國領(lǐng)先的半導體設(shè)備制造商之一的負責人認為，華盛頓不斷升級的出口和投資限制背后揭示了美國的真實目標：將中國的芯片制造技術(shù)至少落后于尖端技術(shù)五代。

中微半導體（AMEC）董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯于上周四在中國無錫舉行的中國半導體設(shè)備年會上發(fā)表了這些言論。無錫位于中國東部上海附近。他提到了去年十月實施的美國出口限制規(guī)定，而在本周，拜登政府還宣布了限制對中國包括半導體在內(nèi)的敏感領(lǐng)域的投資計劃。

尹在會議上發(fā)表講話時表示：“去年十月的規(guī)定實際上揭示了美國的真實意圖，其目標是將中國的芯片制造定在28納米水平，至少落后于全球尖端技術(shù)的3納米到14納米水平?！彼a充說：“我們無法接受這一點?！?/p>

尹將美國最新的技術(shù)出口管制措施稱為自2019年以來美國開始對中國高科技公司實施相關(guān)制裁以來最具“致命性”的禁令，這些措施針對在華的所有晶圓廠。尹稱最新的行政命令針對美國對中國半導體、人工智能和量子計算等領(lǐng)域的投資，是自那時以來美國對中國的“第16步”。

去年十月實施的規(guī)定旨在將中國的邏輯芯片制造能力限制在14納米水平，DRAM芯片限制在18納米，3D NAND存儲器限制在128層。美國援引國家安全風險以及先進芯片的潛在軍事應(yīng)用作為理由。

作為在美國芯片設(shè)備行業(yè)的資深從業(yè)者，尹志堯曾在應(yīng)用材料公司工作，他表示，中國晶圓廠中本地采購的半導體設(shè)備僅占總數(shù)的15%。其他85%的設(shè)備來自美國、荷蘭和日本。“這就是為什么美國需要日本和荷蘭的支持來限制我們的發(fā)展，”他在一個坐滿了半導體專業(yè)人士和投資者的房間里說道。

根據(jù)參加會議的行業(yè)專業(yè)人士的說法，中國的半導體設(shè)備公司在市場份額和技術(shù)復雜性方面仍落后于全球同行。中國的設(shè)備制造商在一些領(lǐng)域，如光刻技術(shù)，幾乎沒有全球存在。在不斷惡化的地緣政治環(huán)境中，中國企業(yè)在迎頭趕上這些領(lǐng)域面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)，該環(huán)境正在排擠外國資金和技術(shù)合作。

中國電子生產(chǎn)設(shè)備行業(yè)副秘書長李金祥表示，一些中國制造的設(shè)備未能滿足晶圓廠的效率需求。“一臺價值10億元人民幣（1.387億美元）的ASML***不得不等待國內(nèi)制造的晶圓涂覆和顯影機趕上速度，這是一種巨大的浪費，”李說道，他指的是荷蘭芯片設(shè)備公司ASML，該公司在最先進的***上幾乎壟斷了市場。

李解釋說，一臺ASML***每小時能處理350片12英寸晶圓，而中國制造的晶圓涂覆和顯影機無法達到這個產(chǎn)量。晶圓涂覆和顯影機在光刻過程中起著關(guān)鍵作用，它將敏感于光的光阻材料涂覆到晶圓上，然后將晶圓放入光刻系統(tǒng)進行曝光。隨后，該機器會將曝光的晶圓進行顯影，形成圖案。

然而，尹表示，他有信心中國可以在幾年內(nèi)發(fā)展出具有全球競爭力的設(shè)備產(chǎn)業(yè)，因為許多在美國接受培訓的中國專家已經(jīng)回國。他說，利用芯片制造設(shè)備來遏制中國的進展不會取得好的結(jié)果。

尹還稱，AMEC在2021年短暫地被列入美國國防部支持中國軍方的公司名單中是“純粹胡說八道”。這是尹首次公開評論美國對AMEC的制裁。他說，在“四個月的激烈談判”后，美國“不情愿地”將AMEC從名單中刪除了。