PD快充在日常生活種已非常普及，ST推出的內(nèi)置氮化鎵（GAN）MOS的 緊湊型控制芯片，尺寸僅為5*6mm, 工作頻率最高可達240K，非常適合用于PD快充及緊湊型電源。

VIPERGAN65介紹：
VIPERGAN65是一款高壓轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置氮化鎵 MOS（Gan MOS ), 專為中功率準諧振反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計，能夠在寬范圍內(nèi)提供高達65W的輸出功率。低靜態(tài)電源管理功能用于實現(xiàn)低待機功耗。前饋補償使全電壓范圍內(nèi)的最大輸出峰值功率區(qū)域一致。
VIPERGAN65還提供了可顯著提高產(chǎn)品安全性和可靠性的保護功能：OVP, OTP,OLP.Brown-in,Brown-out,以及輸入過壓保護（iOVP）。所有保護均為自動重啟模式。

65W方案介紹：
本方案設(shè)計了65W PD快充，采用反激拓撲，運行于QR模式，可以有效的提高效率，初級側(cè)主控芯片使用ST VIPERGNA65, 次級側(cè)同步整流控制器使用ST SRK1001，協(xié)議芯片采用 ST STUSB476QTR ,輸出接口為主流的USB Type-C。
原理圖如下：

變壓器使用RM10磁芯，初次級匝比為6，電感量500uH. 變壓器結(jié)構(gòu)圖如下：

電路原理圖，測試報告，BOM 可以下載附件做參考。

?場景應(yīng)用圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?核心技術(shù)優(yōu)勢

65W DEMO Board 優(yōu)勢： ?4個功率點平均效率：>92% ?空載待機功耗功耗：<50 mW（@230 VAC） ?EMI符合IEC55022 B ?VIPERGAN65集成 650V 氮化鎵MOS（GaN）可實現(xiàn)緊湊、簡化的PCB布局和減少BOM ?具有動態(tài)消隱時間和可調(diào)谷底同步延遲功能的QR，可在任意輸入線路和負載條件下最大化效率 ?谷底鎖定 ?輸入電壓前饋補償OPP ?頻率抖動可抑制EMI

?方案規(guī)格

65W DEMO Board 規(guī)格： ?輸入電壓：90 --264 VAC，頻率47 --63 Hz ?輸出電壓：單Type_C 輸出5 V--20 VDC ?輸出功率：最大20 V 3.25 A@ 65 W ?尺寸：70 x 35 x 25 mm（長x寬x高） ?功率密度：>22 W/in3 ?效率：符合歐盟CoC Tier 2和DoE Level 6效率要求，230 VAC 65W時峰值效率>93%