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TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片

jf_66255030 ? 來源:jf_66255030 ? 作者:jf_66255030 ? 2023-09-01 09:46 ? 次閱讀
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TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片

概述
TDM3478使用先進的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。

一般說明
?RDS(ON)< 9.7mΩ @ VGS=4.5V?
RDS(ON)< 6mΩ @ VGS=10V
?高功率和電流處理能力
?ESD保護
?表面安裝包
?無鉛和綠色設(shè)備可用(RoHS兼容)

應(yīng)用
?PWM應(yīng)用程序
?負載交換機
?電源管理
?供電系統(tǒng)

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審核編輯 黃宇

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