威兆半導(dǎo)體推出的VS6614DS是一款面向 65V 中低壓場(chǎng)景的雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 SOP8 封裝，適配中低壓雙路電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類(lèi)型：雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：65V，適配中低壓雙路供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單通道）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值12mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值20mΩ，中低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，單通道，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)10A，\(T=70^\circ\text{C}\)時(shí)降額為8A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)，單通道）：40A（\(T=25^\circ\text{C}\)），滿足雙路負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• 雙通道集成設(shè)計(jì)：?jiǎn)涡酒?2 路 N 溝道 MOSFET，簡(jiǎn)化雙路電源拓?fù)涞碾娐凡季郑?/li>
• VeriMOS? II 技術(shù)：實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，提升雙路電源的功率密度；
• 高可靠性：通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 16mJ（單通道），感性負(fù)載開(kāi)關(guān)場(chǎng)景穩(wěn)定性強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，單通道，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：SOP8 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配小型化、高密度雙路電源電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 65V 級(jí)中低壓雙路 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 雙路同步整流回路；
  • 消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備的雙路中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）