碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。

借助現(xiàn)代技術(shù)，人們已成功開發(fā)出高品質(zhì)的工業(yè)級陶瓷材料，這些陶瓷表現(xiàn)出卓越的機(jī)械性能，包括：

- 高硬度

- 高強(qiáng)度

- 低密度

- 高彈性模量

- 高抗熱震性

- 出色的化學(xué)穩(wěn)定性

- 高導(dǎo)熱性

- 低熱膨脹系數(shù)

這些高強(qiáng)度和耐用性的陶瓷廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如汽車制動系統(tǒng)、離合器以及用于防彈背心的陶瓷板。此外，碳化硅還在高溫和（或）高壓環(huán)境下的半導(dǎo)體電子設(shè)備中發(fā)揮作用，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。

碳化硅在汽車應(yīng)用中的應(yīng)用

碳化硅在汽車領(lǐng)域的主要應(yīng)用之一是制造高性能的“陶瓷”制動盤。這些制動盤采用碳纖維增強(qiáng)碳化硅（C/SiC），其中硅與復(fù)合材料中的石墨結(jié)合。這種技術(shù)應(yīng)用于一些高性能轎車、超級跑車以及其他頂級汽車型號。

另一個汽車應(yīng)用是將碳化硅用作油品添加劑。在這種情況下，SiC可以減少摩擦、散熱以及諧波。

碳化硅的早期應(yīng)用

**LED**

電致發(fā)光現(xiàn)象最早是在1907年首次通過使用碳化硅發(fā)光二極管（LED）實現(xiàn)的。很快，商用SiC基LED就開始生產(chǎn)。到了20世紀(jì)70年代，前蘇聯(lián)生產(chǎn)出了黃色的SiC LED，而在20世紀(jì)80年代，藍(lán)色LED開始在全球范圍內(nèi)廣泛應(yīng)用。隨后，氮化鎵（GaN）LED問世，其發(fā)光亮度比SiC LED高出數(shù)十倍甚至數(shù)百倍，因此SiC LED的生產(chǎn)幾乎停止。然而，SiC仍然作為GaN設(shè)備的基底廣泛使用，同時還用作高功率LED的散熱器。

**避雷器**

SiC具有高電阻，在達(dá)到閾值電壓（VT）之前，電阻較大。一項最早應(yīng)用SiC的電氣應(yīng)用是分布式電源系統(tǒng)中的避雷器（見圖1）。

SiC避雷器的工作原理是在高壓電線和地之間連接SiC芯塊柱。當(dāng)電源線受到雷擊時，線路電壓上升并超過SiC避雷器的閾值電壓（VT），將雷擊電流導(dǎo)向地，而不是電力線，從而避免了潛在的危害。然而，這些SiC避雷器在電力線正常工作電壓下會導(dǎo)通，因此必須與火花隙串聯(lián)。當(dāng)雷擊使電源線導(dǎo)線電壓升高時，火花隙會離子化并導(dǎo)通，將SiC避雷器有效地連接在電力線和地之間。然而，后來發(fā)現(xiàn)避雷器中使用的火花隙并不總是可靠。由于材料失效、灰塵或鹽侵等原因，可能出現(xiàn)火花隙在需要時無法觸發(fā)電弧，或者電弧在閃電結(jié)束后無法迅速熄滅的情況。因此，具有無火花隙設(shè)計的SiC避雷器大多被采用氧化鋅芯塊的無間隙變阻器所替代。

**SiC在電力電子中的應(yīng)用**

使用SiC制造的半導(dǎo)體器件包括肖特基二極管（也稱為肖特基勢壘二極管或SBD）、J型場效應(yīng)晶體管（JFET）以及用于高功率開關(guān)應(yīng)用的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。SemiSouth Laboratories（已于2013年倒閉）在2008年推出了第一款商用的1200V JFET，而Cree則在2011年生產(chǎn)了第一款商用的1200V MOSFET。與此同時，一些公司還開始嘗試將SiC肖特基二極管芯片應(yīng)用于電力電子模塊。實際上，SiC SBD已廣泛用于IGBT電源模塊和

功率因數(shù)校正（PFC）電路。

**SiC的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)**

碳化硅基電力電子元件之所以備受關(guān)注，一個重要原因是在相同阻斷電壓條件下，其摻雜密度幾乎比硅基設(shè)備高出百倍。這使得可以在低導(dǎo)通電阻下獲得高阻斷電壓。低導(dǎo)通電阻對于高功率應(yīng)用至關(guān)重要，因為它降低了發(fā)熱，減少了系統(tǒng)的熱負(fù)荷，提高了整體效率。

然而，生產(chǎn)SiC基電子元件本身也面臨一些挑戰(zhàn)，主要是消除缺陷。這些缺陷會導(dǎo)致以SiC晶體制成的器件的反向阻斷性能較差。除了晶體質(zhì)量問題，二氧化硅和SiC之間的界面問題也限制了SiC基功率MOSFET和絕緣柵雙極型晶體的發(fā)展。幸運(yùn)的是，通過使用滲氮工藝來降低這些界面問題引起的缺陷。

**碳化硅的磨片應(yīng)用**

碳化硅仍然用作許多工業(yè)應(yīng)用中的研磨劑。在電子行業(yè)中，它主要用作光導(dǎo)纖維兩端在拼接之前的拋光膜。這些膜片能夠提供光纖接頭所需的高度光潔度，以確保其有效運(yùn)行。

碳化硅的生產(chǎn)歷史已有一百多年，但其在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用直到最近才得以實現(xiàn)。由于其獨(dú)特的物理和電氣特性，碳化硅在高壓和高溫應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

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