如何測(cè)試MOSFET（找出壞的MOSFET）

介紹：

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開(kāi)關(guān)和放大電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。

MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類(lèi)似于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三端器件。

以下是如何判斷 MOSFET 是否有缺陷的指南。這些是可用于檢查 MOSFET 是否有缺陷的最常用技術(shù)。

方法#1：

A

1.首先打開(kāi)數(shù)字萬(wàn)用表并選擇“連續(xù)性”模式，測(cè)試電路的完整性。

2.將測(cè)試引線(xiàn)連接至 MOSFET 端子。將測(cè)試引線(xiàn)保持在 (A) 連接處連接幾秒鐘。

3.如果萬(wàn)用表蜂鳴器亮起，則MOSFET 處于不良（損壞）狀態(tài)。

B

1.將測(cè)試線(xiàn)連接至 MOSFET 端子。將測(cè)試引線(xiàn)保持在 (B) 連接狀態(tài)幾秒鐘。

2.如果萬(wàn)用表蜂鳴器熄滅，則MOSFET 狀況良好。

方法#2：

N 型 MOSFET：

1.連接(C)完成后，按下開(kāi)關(guān)(LED ON Switch)——如果LED亮起，則IGBT是好的。否則，LED 不亮，IGBT 壞。

2.當(dāng)您按下開(kāi)關(guān)（LED OFF 開(kāi)關(guān)）時(shí) - 如果 LED 熄滅，則 IGBT 良好。否則就是IGBT壞了。

P 型 MOSFET：

1.連接(E)完成后，按下開(kāi)關(guān)(LED ON Switch) - 如果LED熄滅，則IGBT良好。否則，LED 亮，IGBT 壞。

2.當(dāng)您按下開(kāi)關(guān)（LED 關(guān)閉開(kāi)關(guān)）時(shí) - 如果 LED 亮起，則 IGBT 良好。否則就是IGBT壞了。