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2026年全球8英寸晶圓產(chǎn)能將創(chuàng)歷史新高,中國(guó)大陸占22%

晶揚(yáng)電子 ? 來源:晶揚(yáng)電子 ? 2023-09-20 17:39 ? 次閱讀
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近日,根據(jù)SEMI發(fā)布的《2026年200mm晶圓廠展望報(bào)告》(后簡(jiǎn)稱“報(bào)告”),其預(yù)計(jì)在2023年到2026年,全球半導(dǎo)體制造商200mm(8英寸)晶圓廠產(chǎn)能將增加14%,新增12個(gè)200mm晶圓廠(不包括EPI),達(dá)到每月770多萬片晶圓的歷史新高。

汽車和功率半導(dǎo)體產(chǎn)能增速最快,其次為MPU/MCU

功率(化合物)半導(dǎo)體對(duì)消費(fèi)、汽車和工業(yè)領(lǐng)域至關(guān)重要,是8英寸投資的最大驅(qū)動(dòng)力。特別是電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成逆變器和充電站的發(fā)展,預(yù)計(jì)隨著電動(dòng)汽車采用率的持續(xù)上升,將推動(dòng)全球8英寸晶圓產(chǎn)能的增長(zhǎng)。據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì),包括Bosch博世)、Fuji Electric(富士電機(jī))、Infineon(英飛凌)、Mitsubishi(三菱)、Onsemi(安森美)、Rohm(羅姆)、STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)和Wolfspeed(原Cree,科銳)在內(nèi)的芯片供應(yīng)商正在加快其8英寸產(chǎn)能的項(xiàng)目。

報(bào)告顯示,汽車和功率半導(dǎo)體的晶圓廠產(chǎn)能將增長(zhǎng)34%,排名第一,微處理器單元/微控制器單元(MPU/MCU)排名第二,為21%,其次是MEMSAnalog和Foundry,分別為16%、8%和8%。從代工技術(shù)節(jié)點(diǎn)來看,80nm至130nm節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)10%,而131nm至350nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2023年至2026年增長(zhǎng)18%。

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來源:SEMI

東南亞引領(lǐng)8英寸增長(zhǎng),中國(guó)大陸占22%產(chǎn)能

按地區(qū)來看,東南亞預(yù)計(jì)將引領(lǐng)8英寸產(chǎn)能的增長(zhǎng),將在報(bào)告期內(nèi)增長(zhǎng)32%。預(yù)計(jì)中國(guó)大陸將以22%的增長(zhǎng)率位居第二。作為8英寸產(chǎn)能擴(kuò)張的最大貢獻(xiàn)者,中國(guó)大陸預(yù)計(jì)到2026年將達(dá)到每月170多萬片晶圓。美洲、歐洲和中東以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)將分別以14%、11%和7%的增長(zhǎng)率緊隨其后。

2023年,中國(guó)大陸預(yù)計(jì)將占據(jù)8英寸晶圓廠產(chǎn)能的22%,而日本預(yù)計(jì)將占據(jù)總產(chǎn)能的16%,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)、歐洲和中東以及美國(guó)分別占15%、14%和14%。

大陸8英寸晶圓廠現(xiàn)有產(chǎn)能及擴(kuò)產(chǎn)盤點(diǎn)

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根據(jù)亞化咨詢統(tǒng)計(jì),目前國(guó)內(nèi)8英寸晶圓廠已投產(chǎn)項(xiàng)目超20個(gè),產(chǎn)能約140萬片/月。已投產(chǎn)項(xiàng)目中,頭部企業(yè)主要為中芯國(guó)際(含上海、天津、深圳廠)、華虹宏力、上海積塔、及華潤(rùn)微(重慶、無錫)等大陸廠商,目前產(chǎn)能均超10萬片/月,臺(tái)資/外資企業(yè)中,臺(tái)積電上海、蘇州和艦科技、無錫海力士產(chǎn)能較高,其余企業(yè)實(shí)際產(chǎn)能均為月產(chǎn)數(shù)萬片級(jí)。

而未來8英寸主要擴(kuò)產(chǎn)廠商以內(nèi)資企業(yè)為主,多家頭部企業(yè)有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,此外,比亞迪半導(dǎo)體、中車時(shí)代電氣、青島芯恩等企業(yè)同樣加入擴(kuò)產(chǎn)大軍,從主要產(chǎn)品來看,未來將集中于功率、MCU、MEMS等。

近年來,受益于新能源汽車和充電樁、光伏逆變及儲(chǔ)能、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)領(lǐng)域的快速發(fā)展,尤其是電動(dòng)汽車領(lǐng)域,中國(guó)已經(jīng)在全球獨(dú)占鰲頭。如IGBTMOSFET這類功率器件產(chǎn)品已經(jīng)開始被國(guó)內(nèi)企業(yè)廣泛替代。而在過去,這些領(lǐng)域幾乎都是由國(guó)際品牌主導(dǎo)。

功率器件隸屬于半導(dǎo)體分立器件,其是半導(dǎo)體行業(yè)中的一大重要分支,在整體半導(dǎo)體行業(yè)的主營(yíng)業(yè)務(wù)收入中,分立器件占比在22%-25%之間。相比其他類半導(dǎo)體,功率半導(dǎo)體器件差不多每隔二十年才進(jìn)行一次產(chǎn)品迭代,迭代周期相對(duì)慢,每一代芯片都擁有較長(zhǎng)的生命周期,這種特性為國(guó)內(nèi)功率企業(yè)提供了充裕的時(shí)間窗口,也促使功率半導(dǎo)體成為國(guó)產(chǎn)化大將中的一員。除傳統(tǒng)硅基功率器件外,基于SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體制造的功率器件,未來也將廣泛應(yīng)用于上述領(lǐng)域,也是上述8英寸晶圓廠未來的重要布局項(xiàng)目。

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原文標(biāo)題:2026年全球8英寸晶圓產(chǎn)能將創(chuàng)歷史新高,中國(guó)大陸占22%

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