由于異質結電池不同于傳統(tǒng)的熱擴散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個步驟就是在異質結電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補異質結電池在注入發(fā)射極后的低導電性。「美能光伏」生產的美能四探針電阻測試儀，可以高效測量沉積ITO薄膜后的異質結電池的電阻率與方阻，從而評估異質結電池的性能是否達到產業(yè)化標準。本期「美能光伏」將給您介紹異質結電池的ITO薄膜沉積！

ITO薄膜的特性

ITO薄膜是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫，由于它以錫和氧為施主，使它能夠在常溫下保持穩(wěn)定的導電性以及可見光透過率，且由于較高的機械硬度以及良好的化學穩(wěn)定性，使它能夠成為異質結電池常用的薄膜材料。

低濺射電壓制備ITO薄膜工藝的問題

由于ITO薄膜本身含有氧元素，因此采用磁控濺射方法進行ITO薄膜沉積時，會產生大量的氧負離子，氧負離子在電場的作用下以一定的粒子能量會轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的結晶結構和晶體狀態(tài)造成結構缺陷。濺射的電壓越大，氧負離子轟擊薄膜層表面的能量就會隨之越大，因此造成這種結構缺陷的幾率就會變大，產生晶體結構缺陷也會越嚴重，從而導致ITO薄膜的電阻率上升。

在通常情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時的濺射電壓在-400V左右，如若使用一定的工藝方法將濺射電壓降低50%以上，那么這樣不僅能提高ITO薄膜的質量，降低ITO薄膜的電阻率，同時也降低了在將ITO薄膜沉積到異質結電池中的制備成本。

降低ITO薄膜結構缺陷的方法

為了降低ITO薄膜的濺射電壓，可以通過合理的增強濺射陰極的磁場強度來實現(xiàn)，因此可以采用一套特殊的濺射陰極結構和濺射直流電源，同時將射頻電源合理的裝在直流電源上，在不同的直流濺射功率和射頻功率下進行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究，從而有效的控制對ITO薄膜進行沉積時的濺射電壓，達到降低ITO薄膜電阻率的目的。

美能四探針電阻測試儀

美能四探針電阻測試儀可以對最大230mm的樣品進行快速、自動的掃描，獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息，可廣泛應用于光伏、半導體、合金、陶瓷等諸多領域。

● 超高測量范圍，測量0.1MΩ~100MΩ薄層電阻

● 高精密測量，動態(tài)重復率可達0.2%

●全自動多點掃描，多種預設方案亦可自定義調節(jié)

● 快速材料表征，可自動執(zhí)行矯正因子計算

由于ITO薄膜的低電阻率與高透光性可以大大提高異質結電池的光電轉換率，所以對異質結電池進行薄膜沉積就顯得尤為重要。「美能光伏」生產的美能四探針電阻測試儀，可在大規(guī)模太陽能電池片產業(yè)化生產中，通過全自動多點掃描高效快捷的測量薄膜沉積后的異質結電池的性能，助力電池廠商生產出優(yōu)質的異質結電池！