由于異質(zhì)結(jié)電池不同于傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對(duì)其發(fā)射極以及BSF的注入后，下一個(gè)步驟就是在異質(zhì)結(jié)電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補(bǔ)異質(zhì)結(jié)電池在注入發(fā)射極后的低導(dǎo)電性。「美能光伏」生產(chǎn)的美能四探針電阻測(cè)試儀，可以高效測(cè)量沉積ITO薄膜后的異質(zhì)結(jié)電池的電阻率與方阻，從而評(píng)估異質(zhì)結(jié)電池的性能是否達(dá)到產(chǎn)業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)。本期「美能光伏」將給您介紹異質(zhì)結(jié)電池的ITO薄膜沉積！

ITO薄膜的特性

ITO薄膜是一種N型氧化物半導(dǎo)體-氧化銦錫，由于它以錫和氧為施主，使它能夠在常溫下保持穩(wěn)定的導(dǎo)電性以及可見光透過率，且由于較高的機(jī)械硬度以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性，使它能夠成為異質(zhì)結(jié)電池常用的薄膜材料。

低濺射電壓制備ITO薄膜工藝的問題

由于ITO薄膜本身含有氧元素，因此采用磁控濺射方法進(jìn)行ITO薄膜沉積時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大量的氧負(fù)離子，氧負(fù)離子在電場(chǎng)的作用下以一定的粒子能量會(huì)轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的結(jié)晶結(jié)構(gòu)和晶體狀態(tài)造成結(jié)構(gòu)缺陷。濺射的電壓越大，氧負(fù)離子轟擊薄膜層表面的能量就會(huì)隨之越大，因此造成這種結(jié)構(gòu)缺陷的幾率就會(huì)變大，產(chǎn)生晶體結(jié)構(gòu)缺陷也會(huì)越嚴(yán)重，從而導(dǎo)致ITO薄膜的電阻率上升。

在通常情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時(shí)的濺射電壓在-400V左右，如若使用一定的工藝方法將濺射電壓降低50%以上，那么這樣不僅能提高ITO薄膜的質(zhì)量，降低ITO薄膜的電阻率，同時(shí)也降低了在將ITO薄膜沉積到異質(zhì)結(jié)電池中的制備成本。

降低ITO薄膜結(jié)構(gòu)缺陷的方法

為了降低ITO薄膜的濺射電壓，可以通過合理的增強(qiáng)濺射陰極的磁場(chǎng)強(qiáng)度來實(shí)現(xiàn)，因此可以采用一套特殊的濺射陰極結(jié)構(gòu)和濺射直流電源，同時(shí)將射頻電源合理的裝在直流電源上，在不同的直流濺射功率和射頻功率下進(jìn)行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究，從而有效的控制對(duì)ITO薄膜進(jìn)行沉積時(shí)的濺射電壓，達(dá)到降低ITO薄膜電阻率的目的。

美能四探針電阻測(cè)試儀

美能四探針電阻測(cè)試儀可以對(duì)最大230mm的樣品進(jìn)行快速、自動(dòng)的掃描，獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息，可廣泛應(yīng)用于光伏、半導(dǎo)體、合金、陶瓷等諸多領(lǐng)域。

● 超高測(cè)量范圍，測(cè)量0.1MΩ~100MΩ薄層電阻

● 高精密測(cè)量，動(dòng)態(tài)重復(fù)率可達(dá)0.2%

●全自動(dòng)多點(diǎn)掃描，多種預(yù)設(shè)方案亦可自定義調(diào)節(jié)

● 快速材料表征，可自動(dòng)執(zhí)行矯正因子計(jì)算

由于ITO薄膜的低電阻率與高透光性可以大大提高異質(zhì)結(jié)電池的光電轉(zhuǎn)換率，所以對(duì)異質(zhì)結(jié)電池進(jìn)行薄膜沉積就顯得尤為重要。「美能光伏」生產(chǎn)的美能四探針電阻測(cè)試儀，可在大規(guī)模太陽能電池片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中，通過全自動(dòng)多點(diǎn)掃描高效快捷的測(cè)量薄膜沉積后的異質(zhì)結(jié)電池的性能，助力電池廠商生產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)的異質(zhì)結(jié)電池！