本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書(shū)中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
發(fā)表于 07-11 14:49
引線框架(Lead Frame)是一種金屬結(jié)構(gòu),主要用于半導(dǎo)體芯片的封裝中,作用就像橋梁——它連接芯片內(nèi)部的電信號(hào)到外部電路,實(shí)現(xiàn)電氣連接,同時(shí)還承擔(dān)機(jī)械支撐和散熱任務(wù)。它廣泛應(yīng)用于中低引腳數(shù)的封裝形式中,比如DIP、QFP、SOP、DFN等,是半導(dǎo)體封裝的基礎(chǔ)材料之一。
發(fā)表于 06-09 14:55
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,全球半導(dǎo)體行業(yè)總產(chǎn)值有望達(dá)到1萬(wàn)億美元規(guī)模,其中AI相關(guān)應(yīng)用將貢獻(xiàn)近半壁江山。2024年被業(yè)界普遍視為"AI元年",生成式AI技術(shù)的爆發(fā)性發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)
發(fā)表于 05-16 11:09
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在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,可靠性測(cè)試設(shè)備如同產(chǎn)品質(zhì)量的 “守門(mén)員”,通過(guò)模擬各類嚴(yán)苛環(huán)境,對(duì)半導(dǎo)體器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性進(jìn)行評(píng)估,確保其在實(shí)際使用中能穩(wěn)定運(yùn)行。以下為你詳細(xì)介紹常見(jiàn)的
發(fā)表于 05-15 09:43
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半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán),它通過(guò)將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中,實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的保護(hù)、固定、連接和散熱等功能。隨著半導(dǎo)體
發(fā)表于 02-20 10:54
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近日,日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)(SEAJ)公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2024年11月日本芯片設(shè)備銷售額(3 個(gè)月移動(dòng)平均值,含出口)達(dá) 4057.88 億日元,較去年同月大幅增長(zhǎng) 35.2%。 若要更清晰
發(fā)表于 01-16 17:16
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意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽(yáng)能發(fā)電公司簽訂為期21年的購(gòu)電協(xié)議(PPA)。
發(fā)表于 12-12 14:39
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半導(dǎo)體制造業(yè)是一個(gè)高度精密和復(fù)雜的行業(yè),它依賴于先進(jìn)的技術(shù)和嚴(yán)格的生產(chǎn)控制來(lái)制造微型電子元件。在這個(gè)過(guò)程中,靜電放電(ESD)是一個(gè)不可忽視的問(wèn)題,因?yàn)樗赡?b class='flag-5'>對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和可靠性產(chǎn)生重大
發(fā)表于 11-20 09:42
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近年來(lái),在地緣政治和各種因素的影響下,以中美為首的國(guó)家正在大力發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。與此同時(shí),日韓和越南等國(guó)家,也正在大力投入這個(gè)產(chǎn)業(yè)。 日本:向芯片投資10萬(wàn)億元 日本首相石破茂此前公布了
發(fā)表于 11-14 11:59
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如何從人、產(chǎn)品、資金和產(chǎn)業(yè)的角度全面理解半導(dǎo)體芯片?甚是好奇,望求解。
發(fā)表于 11-07 10:02
日本企業(yè)。換句話說(shuō),美國(guó)從1986年發(fā)起到2018年,這個(gè)過(guò)程持續(xù)了32年,其實(shí)國(guó)際之間的斗爭(zhēng)就是這樣一個(gè)長(zhǎng)期的過(guò)程,大家要有一個(gè)深刻的印象。
二日本半導(dǎo)體
發(fā)表于 11-04 12:00
近日,德州儀器(TI)宣布了一個(gè)重要的里程碑事件:其基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域自有制造產(chǎn)能的大幅提升,產(chǎn)能增
發(fā)表于 10-30 17:30
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近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布,將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺(tái)積電的合作,其氮化鎵產(chǎn)品將全面交由臺(tái)積電代工生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著氮化鎵市場(chǎng)的代工趨勢(shì)正在加速發(fā)展。
發(fā)表于 10-29 11:03
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德州儀器(TI)宣布,其位于日本會(huì)津的工廠已正式啟動(dòng)氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。這一舉措,加上TI在德克薩斯州達(dá)拉斯已有的GaN制造業(yè)務(wù),將使TI的GaN功率半導(dǎo)體自有產(chǎn)能增加至
發(fā)表于 10-26 15:21
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近日,英特爾宣布將與日本國(guó)立產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(AIST)展開(kāi)合作,共同投資約1000億日元(折合7億美元),在日本興建一座最先進(jìn)的半導(dǎo)體研
發(fā)表于 10-22 17:09
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評(píng)論