世紀(jì)金光6-8英寸SiC單晶襯底項(xiàng)目簽約包頭
10月10日，包頭市人民政府與北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司在包頭市正式簽署“年產(chǎn)70萬片6-8 英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目”戰(zhàn)略合作協(xié)議。
據(jù)科創(chuàng)包頭透露，該計(jì)劃將在包頭、北京科創(chuàng)基地合作引進(jìn)計(jì)劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)總投資34.57億韓元。建設(shè)總事業(yè)建設(shè)周期將在3年正式啟動(dòng)時(shí)，每年要投入能夠同時(shí)容納70萬6-8英寸單晶襯底生產(chǎn)線的碳化硅芯片和研磨加工和檢查等。
北京世紀(jì)金色半導(dǎo)體有限公司是寬3代禁止攜帶半導(dǎo)體功能材料和功率器件開發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，創(chuàng)新的解決了高純碳化硅粉末材料提純技術(shù)，6英寸碳化硅制造技術(shù)，高壓低導(dǎo)通電阻碳化硅sbd mosfet結(jié)構(gòu)和工藝設(shè)計(jì)技術(shù)等。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54084瀏覽量
467218 -
單晶
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
63瀏覽量
14529 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3494瀏覽量
52482
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
浮思特 | 8英寸碳化硅晶圓為什么重要?至信微量產(chǎn)背后的技術(shù)邏輯
，逐漸成為高性能電力電子系統(tǒng)的核心材料。在這一技術(shù)演進(jìn)過程中，碳化硅晶圓尺寸也在不斷升級(jí)，從早期的4英寸、6英寸逐步邁向8英寸。作為至信微的
浙江6英寸MEMS傳感器研發(fā)項(xiàng)目首臺(tái)套設(shè)備進(jìn)場(chǎng)，計(jì)劃今年底投產(chǎn)！
? 據(jù)2月2日衢州智造新城官方公眾號(hào)披露，1月31日，浙江嵐芯半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司6英寸高性能傳感器及智能系統(tǒng)生產(chǎn)線研發(fā)項(xiàng)目首臺(tái)套設(shè)備搬入儀式在智造新城舉行，這標(biāo)志著浙江嵐芯特色工藝晶圓制造基地
士蘭微電子迎來雙線里程碑：8英寸碳化硅產(chǎn)線通線， 12英寸高端模擬芯片產(chǎn)線同步開工
2026年1月4日，杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門市海滄區(qū)隆重舉行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線通線儀式暨12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目開工典禮”。士蘭微電子董事長(zhǎng)
12英寸碳化硅外延片突破！外延設(shè)備同步交付
的12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備順利交付瀚天天成。 相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)階段的8英寸晶片，12
50.6億！中國(guó)首條8英寸MEMS晶圓全自動(dòng)生產(chǎn)線，正式投產(chǎn)
自動(dòng)生產(chǎn)線、全國(guó)首條工藝設(shè)備配套齊全的壓電MEMS量產(chǎn)線正式投產(chǎn)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)廣泛關(guān)注。 據(jù)悉，華鑫微納8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目由安徽華鑫微納集成電路有限公司投資建設(shè)，總建設(shè)投資達(dá)50.6億元，占地約79畝，總建筑面積約
加速！12英寸碳化硅襯底中試線來了！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅再迎來跨越式進(jìn)展！9月26日，晶盛機(jī)電宣布，首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正
AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng)，12英寸碳化硅靜待爆發(fā)
替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層，并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過去的主力市場(chǎng)是功率器件，但功率器件市場(chǎng)需求增速存在瓶頸，從6英寸到8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng)，除了
江蘇集芯首枚8英寸液相法高質(zhì)量碳化硅單晶出爐?
據(jù)徐州日?qǐng)?bào)報(bào)道，近日，徐州高新區(qū)再傳捷報(bào)—— 江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱 “江蘇集芯”）成功出爐首枚 8 英寸液相法（LPE）高質(zhì)量碳化硅單晶。經(jīng)檢測(cè)，晶體面型、晶型與結(jié)晶質(zhì)量均達(dá)到預(yù)期目標(biāo)
12英寸碳化硅襯底，會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年以來，各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品，包括晶錠和襯底，加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近，天成半
晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠
近日，晶越半導(dǎo)體傳來重大喜訊，在半導(dǎo)體材料研發(fā)領(lǐng)域取得了新的里程碑式突破。繼 2025 年上半年成功量產(chǎn) 8 英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，不斷優(yōu)化工藝，于 7 月 21 日成功研制出
重慶首個(gè)8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目“奧松半導(dǎo)體項(xiàng)目”迎來重大進(jìn)展
7月14日中午，隨著首臺(tái)8英寸生產(chǎn)線光刻機(jī)設(shè)備被吊車移進(jìn)位于高新區(qū)的重慶奧松半導(dǎo)體特色芯片產(chǎn)業(yè)基地（下稱“奧松半導(dǎo)體項(xiàng)目”），標(biāo)志著這一項(xiàng)目全面進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試的快車道，也為其順利達(dá)成
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起
的破產(chǎn)不僅是企業(yè)的失敗，更是美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略失誤的縮影。其核心問題體現(xiàn)在三個(gè)維度： 技術(shù)迭代停滯與成本失控 長(zhǎng)期依賴6英寸晶圓技術(shù)，8英寸量產(chǎn)計(jì)劃因良率不足陷入僵局，而中國(guó)天科合達(dá)、
12英寸SiC，再添新玩家
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后，業(yè)界并沒有停下腳步，開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月，天岳先
TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的原理
可能獲取滿足化學(xué)計(jì)量比的SiC熔體。如此嚴(yán)苛的條件，使得通過傳統(tǒng)的同成分SiC熔體緩慢冷卻凝固的熔體法來生長(zhǎng)SiC單晶變得極為困難，不僅對(duì)設(shè)備的耐高溫、耐壓性能要求近乎苛刻，還會(huì)導(dǎo)致生
12英寸碳化硅襯底，又有新進(jìn)展
尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論