10月13日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國際會展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。

借此，我們注意到這家一亮相便驚艷四座的GaN賽道的“掃地僧”——在氮化鎵行業(yè)長期耕耘、專注專精、做深做細(xì)、低調(diào)沉潛的形象，恰如金庸筆下武功深不可測而又難掩鋒芒的無名僧人。

隨著下游市場需求爆發(fā)，第三代半導(dǎo)體逐漸駛進(jìn)黃金賽道，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體入場GaN賽道便帶著一份令人驚嘆的成績單：“僅用1.5年時間從建廠到中試線穩(wěn)定產(chǎn)能達(dá)到1.5萬片；7天完成外延至成品器件的周期；量產(chǎn)平均良率達(dá)到85%；研發(fā)周期和建線成本較行業(yè)減少2/3...”

那么，譽(yù)鴻錦是如何在如此短的時間內(nèi)，就實現(xiàn)了高效、超高良率、低成本的氮化鎵國產(chǎn)化建設(shè)？讓我們一起探究這家國產(chǎn)GaN賽道“掃地僧”背后的故事和產(chǎn)業(yè)抱負(fù)。

譽(yù)鴻錦董事長閆懷寶

為解氮化鎵普及率低

譽(yù)鴻錦發(fā)起一場“產(chǎn)業(yè)效率革命”

正視現(xiàn)狀讓人清醒。

第三代化合物半導(dǎo)體前景廣闊，為霞尚滿天。然而，其市場普及率仍然非常低，與硅基器件相比存在數(shù)量級差距。

從材料成本來說，氮化鎵（GaN）器件并不比硅基器件昂貴。譽(yù)鴻錦分析了氮化鎵滲透率依然低的原因：并不是很多人所認(rèn)為的氮化鎵器件規(guī)模仍然不足，導(dǎo)致成本均攤困難。本質(zhì)問題出現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)效率上，只有把系統(tǒng)效率提升，才能用更低的成本推動器件的大規(guī)模應(yīng)用。

曾幾何時，器件研發(fā)從流片、封測到驗證等環(huán)節(jié)要等數(shù)月甚至數(shù)年之久，空轉(zhuǎn)成本可達(dá) 2000 多萬元，如果將原本 1 年或 1 個月的研發(fā)生產(chǎn)周期流程壓縮到 7 天，對整個產(chǎn)業(yè)鏈意義不言而喻。

氮化鎵器件實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵是“物美價廉”，便宜的前提是要大幅提高生產(chǎn)效率。

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體正是從這個角度開始解題，提出“產(chǎn)業(yè)效率革命 = 高良率 x IDM 整合 x 高研發(fā)效率 x 設(shè)備降本 x 快速應(yīng)用驗證”，希望從產(chǎn)業(yè)鏈全維度來加速氮化鎵器件的降本，以及大規(guī)模應(yīng)用普及。

無論是從 IDM 產(chǎn)線構(gòu)建，還是量產(chǎn)節(jié)奏，以及供應(yīng)周期來看，“高效”是譽(yù)鴻錦現(xiàn)階段進(jìn)入市場的核心競爭力之一。在目前月產(chǎn) 1.5 萬片的中試線之后，據(jù)譽(yù)鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷透露，目前譽(yù)鴻錦的月產(chǎn)能已經(jīng)做到了國內(nèi)實際上的產(chǎn)能第一，正在建設(shè)的二期線將會在今年年底封頂。二期線建成投產(chǎn)后，產(chǎn)能將會達(dá)到每月 25 萬片，屆時可能成為全球最大的氮化鎵 IDM 工廠。

譽(yù)鴻錦發(fā)起的這一場“產(chǎn)業(yè)效率革命”，是希望從產(chǎn)業(yè)鏈全維度來加速氮化鎵器件的降本。

登高而招，順風(fēng)而呼，頗有產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略野心。

成本減少2/3

Super IDM產(chǎn)業(yè)集群新模式

據(jù)了解，譽(yù)鴻錦首創(chuàng)能夠讓氮化鎵實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)效率革命的Super IDM 產(chǎn)業(yè)集群生態(tài)模式：Super IDM產(chǎn)業(yè)集群 = 上游設(shè)備材料 + IDM +終端技術(shù)應(yīng)用+ 零售服務(wù)生態(tài)鏈”，是包括設(shè)備&材料端、自主全流程IDM、銷售與技術(shù)服務(wù)體系群以及終端產(chǎn)品應(yīng)用生態(tài)鏈的Super IDM產(chǎn)業(yè)集群概念。

譽(yù)鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷

憑借 85% 平均量產(chǎn)良率獲得高一致性器件，譽(yù)鴻錦實現(xiàn)了高集成度 IDM-7 天制造周期、高研發(fā)效率使時間縮短 2/3，自研設(shè)備和設(shè)備國產(chǎn)化使成本降低 2/3。

譽(yù)鴻錦董事長閆懷寶在發(fā)布會上自信地表示：“這在整個業(yè)界是基本上不可被復(fù)制的”，而量產(chǎn)速度，僅僅是冰山一角。

據(jù)了解，譽(yù)鴻錦擁有在行業(yè)里數(shù)量最多、工序最為齊全的設(shè)備產(chǎn)線。除此之外，譽(yù)鴻錦還具備正向的設(shè)備調(diào)試和組裝能力。譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在創(chuàng)立之初就組建了產(chǎn)業(yè)奠基人邵春林博士為首的的技術(shù)團(tuán)隊?；贙now-How的正向研發(fā)能力，根據(jù)目標(biāo)需求自由選擇甚至開拓新的技術(shù)路線，并實現(xiàn)快速制樣和驗證，提升氮化鎵良率；以及短時間內(nèi)開發(fā)出國內(nèi)先進(jìn)的MOCVD設(shè)備。

Super IDM 產(chǎn)業(yè)集群的深度耦合，可以實現(xiàn)上游設(shè)備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節(jié)極致效率，應(yīng)用終端快速導(dǎo)入和批量驗證，從而實現(xiàn)推動氮化鎵產(chǎn)業(yè)快速普及的產(chǎn)業(yè)目標(biāo)。

發(fā)布全功率段器件

繪就產(chǎn)業(yè)合作新“藍(lán)圖”

值得一提的是，譽(yù)鴻錦發(fā)布了從 100V-650V-900~1200V 的全功率段器件，能應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域。其中，譽(yù)鴻錦正式發(fā)布的行業(yè)首個氮化鎵SBD器件，以及900V藍(lán)寶石基氮化鎵晶圓的實物展示引起了行業(yè)的重點關(guān)注。

其中1200V/85mΩ的氮化鎵MOSFET在今年第四季度就可以送樣，并且1700V的氮化鎵器件也即將會推出。

與國際頭部友商相比，譽(yù)鴻錦的功率器件可以做到海外廠商價格的幾分之一。而且譽(yù)鴻錦的氮化鎵器件將以硅器件的價格為目標(biāo)，推動氮化鎵對硅的加速替代。

目前，譽(yù)鴻錦實現(xiàn)了極低外延翹曲控制、均勻性的GaN層厚度以及精準(zhǔn)可控的載流子調(diào)控等自主關(guān)鍵技術(shù)能力。具備在氮化鎵、硅、碳化硅和藍(lán)寶石襯底上外延生長氮化鎵材料的技術(shù)矩陣，以及功率電子、激光與顯示、射頻全產(chǎn)品能力。

譽(yù)鴻錦在終端產(chǎn)品生態(tài)鏈平臺上，已經(jīng)具備儲能充電、電動出行、激光顯示應(yīng)用等產(chǎn)品品牌。在現(xiàn)場簽約環(huán)節(jié)，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體與行業(yè)top的應(yīng)用型大學(xué)“東莞理工”國際微電子學(xué)院就共建人才培養(yǎng)和產(chǎn)業(yè)共創(chuàng)平臺項目簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。同時也同“大族激光”旗下的“大族機(jī)器人”簽署了氮化鎵電機(jī)研發(fā)與應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)合作戰(zhàn)略協(xié)議。

結(jié)語

GaN圈“掃地僧”譽(yù)鴻錦，已經(jīng)造就了國產(chǎn)氮化鎵行業(yè)的一份驚喜——不知不覺，不可或缺。經(jīng)由GaN產(chǎn)業(yè)鏈加碼布局，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體已蓄崛起之勢，有望成為國內(nèi)首屈一指的集研發(fā)、制造、封測及銷售為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體整合設(shè)備生產(chǎn)模式企業(yè)，冀未來實現(xiàn)國有替代技術(shù)突圍。

譽(yù)鴻錦表示，他們希望憑借更好的器件良率和一致性，以更少更高的規(guī)格實現(xiàn)全場景需求和優(yōu)勢成本覆蓋，兼顧高性能和低成本的方式推動氮化鎵器件全面普及，以實現(xiàn)譽(yù)鴻錦“用氮化鎵半導(dǎo)體改變每個人的生活”的產(chǎn)業(yè)理想。

掃堂亮招者，起于三寸方圓，以就萬仞之深。期待默默投入，堅持長期主義的譽(yù)鴻錦亮出更多寶藏。

審核編輯 黃宇