隨著半導(dǎo)體元件的制造工程接近物理界限，允許將多個元件聚集在一起封裝成單一的電子元件，進而提高半導(dǎo)體性能的先進封裝技術(shù)成為了競爭的關(guān)鍵。三星準(zhǔn)備了自己的先進封裝解決方案，正在與臺積電的cowos包裝技術(shù)展開競爭。

三星計劃在2024年先進3D芯片封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。三星SAINT將被用來制定各種不同的解決方案，可提供三種類型的封裝技術(shù)，其中包括：

SAINT S - 用于垂直堆疊SRAM存儲芯片和CPU

SAINT D - 用于垂直封裝CPU、GPU和DRAM等核心IP

SAINT L - 用于堆疊應(yīng)用處理器（AP）

三星雖然已經(jīng)通過了驗證測試，但是通過與顧客的追加測試，計劃明年以提高數(shù)據(jù)中心的ai芯片和內(nèi)置ai功能的手機應(yīng)用處理器（處理器）的性能為目標(biāo)，擴大服務(wù)。

如果一切都能按計劃進行，三星SAINT有可能從競爭公司確保部分市場占有率。但nvidia和amd等公司是否滿意他們提供的技術(shù)，還有待觀察。

據(jù)報道，三星正在爭奪大量hbm內(nèi)存訂單，這些訂單將繼續(xù)支持英偉達的下一代blackwell ai gpu。三星最近推出了synnevolt“hbm3e”存儲器，并承攬了amd新一代Instinct加速器的訂單，但與掌握人工智能市場約90%的英偉達相比，還是微不足道的水平。兩家公司的hbm3預(yù)計將在2025年之前完成訂單銷售，ai gpu市場仍保持旺盛的需求。

隨著該公司從單一芯片設(shè)計轉(zhuǎn)換為以晶片（chiplet）為基礎(chǔ)的架構(gòu)，尖端包裝將向前邁進一步。

臺積電在擴張cowos設(shè)備的同時，對本公司的3d開關(guān)型技術(shù)soic的測試及升級進行了大量投資，滿足了蘋果和英偉達等顧客的要求。臺灣積累電力公社表示，今年7月將投資900億元臺幣（約29億美元），新建先進的成套工廠。英特爾開始利用本公司的新一代3d芯片包裝技術(shù)——fooveros制造尖端芯片。

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