全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商GlobalFoundries已從美國政府獲得3500萬美元的聯(lián)邦資金,以加速GF位于佛蒙特州Essex Junction的工廠在硅半導(dǎo)體上制造差異化氮化鎵(GaN)。這筆資金使GF更接近于GaN芯片的大規(guī)模生產(chǎn),這些芯片在處理高電壓和高溫的能力方面是獨一無二的。這些芯片旨在為基礎(chǔ)設(shè)施和手機、汽車和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、電網(wǎng)和其他關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施的 5G 和 6G 蜂窩通信提供改變游戲規(guī)則的性能和效率。
隨著國防部Trusted Access Program Office(TAPO)授予的35萬美元新資金,GF計劃購買額外的工具,以擴大開發(fā)和原型設(shè)計能力,更接近大規(guī)模的200毫米硅基氮化鎵半導(dǎo)體制造。作為投資的一部分,格芯計劃實施新的能力,以減少格芯及其客戶對鎵供應(yīng)鏈限制的影響,同時提高美國制造的氮化鎵芯片的開發(fā)速度、供應(yīng)保證和競爭力。
這筆資金建立在與美國政府多年的合作之上--包括2020-2022年的400萬美元支持--利用格芯佛蒙特州團隊的才能和他們的200毫米半導(dǎo)體制造經(jīng)驗,并將其應(yīng)用于硅基氮化鎵制造。200mm是最先進的 GaN 芯片技術(shù)。
“佛蒙特州是半導(dǎo)體創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者。這筆聯(lián)邦資金是可喜的消息,將鞏固我們州作為制造下一代芯片前沿的領(lǐng)導(dǎo)者的地位,“參議員彼得韋爾奇說:“至關(guān)重要的是,我們支持佛蒙特州和美國對這個行業(yè)的投資——無論是為了我們當(dāng)?shù)氐慕?jīng)濟增長,還是為了我們的國家安全。我期待繼續(xù)在參議院為我們國內(nèi)的半導(dǎo)體和芯片制造商而戰(zhàn)?!?/p>
“這項戰(zhàn)略投資繼續(xù)加強我們國內(nèi)關(guān)鍵軍民兩用商業(yè)技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng),確保它們隨時可用并安全地供國防部使用。我們正在與主要合作伙伴合作,積極塑造我們國防系統(tǒng)的未來,“負(fù)責(zé)維持的助理國防部長Christopher J. Lowman說。
GF總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield博士表示:“硅基氮化鎵是新興市場高性能射頻、高壓功率開關(guān)和控制應(yīng)用的理想技術(shù),對6G無線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動汽車非常重要。GF與美國政府有著長期的合作伙伴關(guān)系,這筆資金對于使硅芯片上的GaN更接近批量生產(chǎn)至關(guān)重要。這些芯片將使我們的客戶能夠?qū)崿F(xiàn)大膽的新設(shè)計,從而突破我們每天所依賴的關(guān)鍵技術(shù)的能效和性能極限?!?/p>
GF位于佛蒙特州伯靈頓附近Essex Junction的工廠是美國最早的主要半導(dǎo)體制造基地之一。如今,約有1,800名GF員工在現(xiàn)場工作。這些GF制造的芯片建立在格芯的差異化技術(shù)之上,被用于世界各地的智能手機、汽車和通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。該工廠是DMEA認(rèn)證的可信晶圓代工廠,與美國國防部合作生產(chǎn)安全芯片,用于美國一些最敏感的航空航天和國防系統(tǒng)。
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原文標(biāo)題:美國政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片
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