IGBT器件的靈魂
根據(jù)施敏教授的拆分理論，器件由4個基本單元組成。
根據(jù)該理論，IGBT用到了3個基本單元：（a）金屬-半導(dǎo)體界面，（b）pn結(jié)（d）金屬-氧化層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
以下僅對（b）pn結(jié)進行展開。
pn結(jié)最重要的參數(shù)為 內(nèi)建電勢 （built-in potential）Vbi，公式如下：
其中，KT/q=0.0259（300K），NA/ND分別為P/N型摻雜濃度，ni為本征摻雜濃度。
耗盡層寬度公式如下（當(dāng)NA＞＞ND時）：
當(dāng)增加電壓偏執(zhí)V后，耗盡層寬度公式如下：
PN處最高場強公式如下：
全文完，客官們輕拍！
并沒有達到想到的目的，待后續(xù)更新；
pn結(jié)作為基本單元，是玩器件的基礎(chǔ)?；c功夫，費點心思在上面是很值得的?。?！
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28919瀏覽量
238170 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1278文章
4071瀏覽量
254631 -
PN結(jié)
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
492瀏覽量
50196
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
IGBT器件的防靜電注意事項
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護措施，確保其安全穩(wěn)定運行。
功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例
IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
MOSFET與IGBT的區(qū)別
(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗
發(fā)表于 03-25 13:43
功耗對IGBT性能的影響，如何降低IGBT功耗
在電力電子的廣闊領(lǐng)域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個系統(tǒng)的運行效率與穩(wěn)定性。而功耗問題，始終是IGBT應(yīng)用中不可忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天，就讓我們一同深入探究
Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的
芯長征科技榮獲功率器件IGBT行業(yè)卓越獎
在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎典禮”上，芯長征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎”。經(jīng)過近兩個月的激烈競爭和嚴格評審，我們憑借在功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新活力、技術(shù)突破和市場卓越表現(xiàn)，從眾多品牌中脫穎
IGBT芯片/單管/模塊/器件的區(qū)別
在電力電子技術(shù)的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術(shù)以其高效、可靠的性能，成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件，每一個組成部分都承載著推動電力電子技術(shù)
IGBT的控制信號是什么
絕緣柵雙極晶體管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等優(yōu)點，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用
IGBT器件的基本結(jié)構(gòu)和作用
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬氧化物
igbt功率管型號參數(shù)意義
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT功率管型號參數(shù)意義是了解IGBT
IGBT老化后結(jié)電容會變化嗎
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點。然而，IGBT在長時間工作過程中，由于各種因素的作用，會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，影響其性能
igbt如何選擇合適的驅(qū)動電壓
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT驅(qū)動電壓是指驅(qū)動IGBT工作所需
igbt模塊和igbt驅(qū)動有什么區(qū)別
逆變器等。 一、IGBT模塊 IGBT模塊定義 IGBT模塊是一種由多個IGBT芯片組成的電力電子器件，具有高電壓、大電流、高頻率等特點。它
溝槽型IGBT與平面型IGBT的差異
溝槽型IGBT（溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管）與平面型IGBT（平面柵絕緣柵雙極型晶體管）是兩種常見的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）結(jié)構(gòu)，它們在電力電子器件領(lǐng)域中扮演著重要角色。以下將從定
工商網(wǎng)監(jiān)
評論