根據(jù)施敏教授的拆分理論，器件由4個(gè)基本單元組成。

根據(jù)該理論，IGBT用到了3個(gè)基本單元：（a）金屬-半導(dǎo)體界面，（b）pn結(jié)（d）金屬-氧化層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

以下僅對(duì)（b）pn結(jié)進(jìn)行展開。

pn結(jié)最重要的參數(shù)為 內(nèi)建電勢(shì) （built-in potential）Vbi，公式如下：

其中，KT/q=0.0259（300K），NA/ND分別為P/N型摻雜濃度，ni為本征摻雜濃度。

耗盡層寬度公式如下（當(dāng)NA＞＞ND時(shí)）：

當(dāng)增加電壓偏執(zhí)V后，耗盡層寬度公式如下：

PN處最高場(chǎng)強(qiáng)公式如下：

全文完，客官們輕拍！

并沒有達(dá)到想到的目的，待后續(xù)更新；

pn結(jié)作為基本單元，是玩器件的基礎(chǔ)。花點(diǎn)功夫，費(fèi)點(diǎn)心思在上面是很值得的！！！