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國(guó)內(nèi)首家!長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

旺材芯片 ? 來(lái)源:EETOP ? 2023-11-30 17:39 ? 次閱讀
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芯極速消息,11月28日,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出 LPDDR5 系列產(chǎn)品,是國(guó)內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的 LPDDR5 產(chǎn)品的品牌,實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)零的突破。

該系列產(chǎn)品具體包括 12Gb 的 LPDDR5 顆粒、POP 封裝的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封裝的 6GB LPDDR5 芯片。其中,12GB LPDDR5 芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。

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從產(chǎn)品應(yīng)用和市場(chǎng)空間上看,LPDDR5芯片能夠?yàn)槠浯钶d的移動(dòng)端電子設(shè)備帶來(lái)更快的速度體驗(yàn)和更低的功耗消耗。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)表示,LPDDR5產(chǎn)品面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局。

與上一代LPDDR4X相比,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了RAS功能,通過(guò)內(nèi)置糾錯(cuò)碼(On-die ECC)等技術(shù),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò),減少系統(tǒng)故障,確保數(shù)據(jù)安全,增強(qiáng)穩(wěn)定性。

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從整個(gè)存儲(chǔ)芯片行業(yè)來(lái)說(shuō),伴隨原廠積極減產(chǎn)和控制供應(yīng),存儲(chǔ)供需結(jié)構(gòu)得到明顯改善,帶動(dòng)價(jià)格上行。此外,由于今年下半年新機(jī)發(fā)售加上旗艦產(chǎn)品組合增加,LPDDR5需求加速。

作為國(guó)內(nèi)首個(gè)推出自主研發(fā)生產(chǎn)LPDDR5產(chǎn)品的品牌,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)零的突破,是其加速DRAM產(chǎn)業(yè)化成果轉(zhuǎn)化的又一個(gè)里程碑,同時(shí)也將國(guó)內(nèi)DRAM芯片產(chǎn)業(yè)加速帶入LPDDR5賽道。

據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》不完全統(tǒng)計(jì),A股中長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)供應(yīng)鏈廠商包括:

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原文標(biāo)題:國(guó)內(nèi)首家!長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

文章出處:【微信號(hào):wc_ysj,微信公眾號(hào):旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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