2023年11月28日，瞻芯電子在北京舉辦的“芯向亦莊”汽車芯片大賽中脫穎而出，憑借其車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品的卓越性能和創(chuàng)新特點(diǎn)，榮獲“汽車芯片50強(qiáng)”獎(jiǎng)項(xiàng)，展現(xiàn)了瞻芯電子在汽車芯片領(lǐng)域的技術(shù)水平和發(fā)展?jié)摿Α?/p>

大賽概況

“芯向亦莊”汽車芯片大賽，由北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)和北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo)，由北京經(jīng)開區(qū)管委會(huì)主辦，蓋世汽車承辦，國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心提供支持，旨在加快成熟汽車芯片的應(yīng)用，推動(dòng)汽車和芯片產(chǎn)業(yè)跨界融合，評(píng)選出優(yōu)秀的創(chuàng)新科技企業(yè)和行業(yè)領(lǐng)軍人物。

該大賽收到數(shù)十萬業(yè)內(nèi)人士關(guān)注和票選，并由業(yè)界專家評(píng)選獲獎(jiǎng)名單。

參選產(chǎn)品

瞻芯電子參選的是車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)MOSFET系列產(chǎn)品，電壓平臺(tái)覆蓋了650V、750V、1200V和1700V，導(dǎo)通電阻覆蓋14~50000毫歐，并具備多種插件和貼片封裝，其中眾多產(chǎn)品通過了完整的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)。

值得一提的是，第二代碳化硅(SiC)MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15V~18V，具有更好的設(shè)計(jì)兼容性，而且對比第一代產(chǎn)品，其比導(dǎo)通電阻降低約25%，顯著降低了開關(guān)損耗，能進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率。

該系列產(chǎn)品在短路測試和浪涌測試中，也展現(xiàn)出良好的可靠性和魯棒性。

未來展望

未來，瞻芯電子將繼續(xù)推進(jìn)與汽車電子客戶的深度合作，力爭共同定義下一代汽車芯片產(chǎn)品，為新能源汽車行業(yè)發(fā)展和芯片技術(shù)的進(jìn)步做出貢獻(xiàn)。同時(shí)，瞻芯電子將依托自建的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓工廠，加快產(chǎn)品和技術(shù)的迭代開發(fā)，為客戶提供充足可靠的產(chǎn)能保障。

審核編輯：劉清