chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

華為公布新專(zhuān)利:晶圓處理技術(shù)再升級(jí)!

fcsde-sh ? 來(lái)源:未知 ? 2023-12-19 19:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

作為中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),華為最近在芯片領(lǐng)域取得了一系列突破。除了麒麟9000S芯片的研發(fā),華為還公布了多條專(zhuān)利信息。其中一項(xiàng)便是關(guān)于晶圓制造的,這將有利于提高晶圓對(duì)準(zhǔn)效率和對(duì)準(zhǔn)精度。

根據(jù)企查查公開(kāi)的信息顯示,這項(xiàng)新專(zhuān)利的名稱(chēng)為“晶圓處理裝置和晶圓處理方法”,申請(qǐng)日期為2022年6月2日,申請(qǐng)公布日為2023年12月12日,申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)為CN117219552A。

wKgZomWBgj6ALqEHAAJN2i9Hi6M544.png

(圖片來(lái)源:企查查)

根據(jù)專(zhuān)利摘要顯示,本公開(kāi)的實(shí)施例涉及晶圓處理裝置和晶圓處理方法。

晶圓處理裝置包括:晶圓載臺(tái),晶圓載臺(tái)可沿旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn);機(jī)械臂,包括機(jī)械手,用于搬運(yùn)晶圓并將晶圓放置在晶圓載臺(tái)上;控制器;以及校準(zhǔn)組件(包括:光柵板,相對(duì)于晶圓載臺(tái)固定;光源,相對(duì)于光柵板固定;以及成像元件,固定設(shè)置在機(jī)械臂上,并且適于接收從光源發(fā)出的、透過(guò)光柵板的光)。

其中,控制器被配置成基于成像元件對(duì)接收到的光的檢測(cè),控制機(jī)械臂或機(jī)械臂上的調(diào)整裝置來(lái)調(diào)整晶圓的位置;其中,在晶圓載臺(tái)承載晶圓的情況下,光柵板和成像元件分別位于晶圓載臺(tái)的上表面所在平面相對(duì)兩側(cè),上表面用于承載晶圓。

專(zhuān)利摘要指出,本公開(kāi)的實(shí)施例提供的裝置和方法,能夠提高晶圓對(duì)準(zhǔn)效率和對(duì)準(zhǔn)精度。

wKgZomWBgj6AJ1IzAAFO33gvEsc080.png

wKgZomWBgj-ABaZUAADMx3VhEYY862.png

wKgZomWBgj-Af-P4AACijsOKD9g370.png

wKgZomWBgj-ANMuVAAFEsMN8UIA887.png

(專(zhuān)利原理示意圖)

這些年,華為雖然遭受了外界的打壓,但卻絲毫沒(méi)有影響其在科研領(lǐng)域的研究,尤其是專(zhuān)利數(shù)量方面,一直在不斷攀升。

未來(lái),我們可以期待華為在芯片領(lǐng)域的更多創(chuàng)新和突破,為中國(guó)科技發(fā)展貢獻(xiàn)更多的力量。

免責(zé)聲明:本文轉(zhuǎn)自網(wǎng)絡(luò),版權(quán)歸原作者所有,如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)與我們聯(lián)系,謝謝!

加入粉絲交流群

張飛實(shí)戰(zhàn)電子為公眾號(hào)的各位粉絲,開(kāi)通了專(zhuān)屬學(xué)習(xí)交流群,想要加群學(xué)習(xí)討論/領(lǐng)取文檔資料的同學(xué)都可以掃描圖中運(yùn)營(yíng)二維碼一鍵加入哦~(廣告、同行勿入)


原文標(biāo)題:華為公布新專(zhuān)利:晶圓處理技術(shù)再升級(jí)!

文章出處:【微信公眾號(hào):fcsde-sh】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 模擬技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    471

    瀏覽量

    40680
  • 張飛電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    56

    文章

    176

    瀏覽量

    13524

原文標(biāo)題:華為公布新專(zhuān)利:晶圓處理技術(shù)再升級(jí)!

文章出處:【微信號(hào):fcsde-sh,微信公眾號(hào):fcsde-sh】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    再生和普通的區(qū)別

    再生與普通在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析:定義與來(lái)源差異普通
    的頭像 發(fā)表于 09-23 11:14 ?597次閱讀
    再生<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>和普通<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的區(qū)別

    華為衛(wèi)星通信專(zhuān)利公布

    據(jù)企查查APP信息顯示華為衛(wèi)星通信專(zhuān)利公布。 日前,華為申請(qǐng)了“一種衛(wèi)星通信方法、系統(tǒng)以及電子設(shè)備”的專(zhuān)利;
    的頭像 發(fā)表于 09-09 17:02 ?1347次閱讀

    處理前端模塊的技術(shù)特點(diǎn)與服務(wù)體系

    效率的雙重要求。通過(guò)持續(xù)的技術(shù)研發(fā),為行業(yè)提供了性能穩(wěn)定的處理前端模塊解決方案。 在直線電機(jī)平臺(tái)領(lǐng)域已經(jīng)擁有十三年的專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn),在
    的頭像 發(fā)表于 08-26 09:57 ?355次閱讀

    探秘宏觀缺陷:檢測(cè)技術(shù)升級(jí)與根源追蹤新突破

    加工流程中,早期檢測(cè)宏觀缺陷是提升良率與推動(dòng)工藝改進(jìn)的核心環(huán)節(jié),這一需求正驅(qū)動(dòng)檢測(cè)技術(shù)測(cè)試圖分析領(lǐng)域的創(chuàng)新。宏觀缺陷早期檢測(cè)的重
    的頭像 發(fā)表于 08-19 13:48 ?943次閱讀
    探秘<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>宏觀缺陷:檢測(cè)<b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>升級(jí)</b>與根源追蹤新突破

    清洗機(jī)怎么做夾持

    清洗機(jī)中的夾持是確保在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是
    的頭像 發(fā)表于 07-23 14:25 ?785次閱讀

    超薄淺切多道切割中 TTV 均勻性控制技術(shù)探討

    超薄厚度極薄,切割時(shí) TTV 均勻性控制難度大。我將從闡述研究背景入手,分析淺切多道切割在超薄 TTV 均勻性控制中的優(yōu)勢(shì),深入探
    的頭像 發(fā)表于 07-16 09:31 ?399次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>淺切多道切割中 TTV 均勻性控制<b class='flag-5'>技術(shù)</b>探討

    提高鍵合 TTV 質(zhì)量的方法

    關(guān)鍵詞:鍵合;TTV 質(zhì)量;預(yù)處理;鍵合工藝;檢測(cè)機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,鍵合
    的頭像 發(fā)表于 05-26 09:24 ?758次閱讀
    提高鍵合<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 質(zhì)量的方法

    瑞樂(lè)半導(dǎo)體——TC Wafer測(cè)溫系統(tǒng)持久防脫專(zhuān)利解決測(cè)溫點(diǎn)脫落的難題

    過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù),為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝參數(shù)?!竞诵?b class='flag-5'>技術(shù)】防脫落專(zhuān)利技術(shù):TCWafer測(cè)溫系統(tǒng)在高溫、真空或強(qiáng)振動(dòng)環(huán)
    的頭像 發(fā)表于 05-12 22:23 ?739次閱讀
    瑞樂(lè)半導(dǎo)體——TC Wafer<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>測(cè)溫系統(tǒng)持久防脫<b class='flag-5'>專(zhuān)利</b>解決測(cè)溫點(diǎn)脫落的難題

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)減薄技術(shù)

    英寸厚度約為670微米,8英寸厚度約為725微米,12英寸厚度約為775微米。盡管芯
    的頭像 發(fā)表于 05-09 13:55 ?1690次閱讀

    一文詳解清洗技術(shù)

    本文介紹了清洗的污染源來(lái)源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:43 ?1528次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>清洗<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    華為公布AI模型訓(xùn)練與車(chē)輛控制專(zhuān)利

    近日,華為技術(shù)有限公司在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域再次邁出重要一步,其申請(qǐng)的“模型的訓(xùn)練方法、車(chē)輛的控制方法及相關(guān)裝置”專(zhuān)利于2月18日正式公布。這一專(zhuān)利
    的頭像 發(fā)表于 02-20 09:14 ?732次閱讀

    背面涂敷工藝對(duì)的影響

    工藝中常用的材料包括: 芯片粘結(jié)劑:作為漿料涂覆到背面,之后烘干。采用這種方法,成本較低,同時(shí)可以控制鍵合層厚度并且提高單位時(shí)間產(chǎn)量。 WBC膠水:其成分
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    什么是微凸點(diǎn)封裝?

    微凸點(diǎn)封裝,更常見(jiàn)的表述是微凸點(diǎn)技術(shù)級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 13:21 ?1350次閱讀