2023 年 12 月 14 日，行家說碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇，暨 2023 行家極光獎頒獎典禮（2023 Hangjia Aurora Award）頒獎晚宴在深圳順利舉辦，集結了數(shù)百家 SiC、GaN 企業(yè)代表來共同見證第三代半導體的蓬勃發(fā)展。Nexperia（安世半導體）榮獲權威認證，將「SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎」與「中國GaN 功率器件十強」兩項大獎收入囊中，展現(xiàn)了其作為基礎半導體全球領導者的強大實力與深耕三代半領域的決心。

在碳中和背景下，以 SiC 和 GaN 為代表的第三代半導體技術正在幫助新能源產(chǎn)業(yè)降本增效，汽車、光伏、儲能、充電樁、軌道交通正在加速擁抱和導入第三代半導體。2023 行家極光獎設置了 “十強企業(yè)”“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”等獎項，以表彰在本年度具有行業(yè)表率的優(yōu)秀企業(yè)、引領產(chǎn)業(yè)變革的創(chuàng)新技術和優(yōu)秀產(chǎn)品。

安世半導體一直投資和研發(fā)自有氮化鎵工藝技術。目前遍布全球的自有化生產(chǎn)基地可以提供真正車規(guī)級 AEC-Q101 認證的產(chǎn)品。新一代的安世半導體氮化鎵（HEMTs），提供業(yè)界領先的低導通電阻，更高的開關穩(wěn)定性，可顯著提升動態(tài)性能。2023 年 5 月，安世半導體又在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，成為業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型和增強型氮化鎵器件的供應商。

此外，安世半導體還在 2023 年先后推出了真 2 引腳(R2P) TO-220-2 通孔電源塑料封裝的 650 V 碳化硅二極管與采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 碳化硅 MOSFET，擁有更高的穩(wěn)健性和效率，有助于加速全球能源轉型。

獲獎產(chǎn)品

PSC1065K 碳化硅肖特基二極管結合了寬禁帶半導體材料（碳化硅）的優(yōu)點和 MPS 器件結構及其“薄型SiC”技術帶來的額外優(yōu)勢。憑借其在工藝開發(fā)和器件制造方面的專業(yè)知識，安世半導體能夠進一步提高這款新產(chǎn)品的性能，使其在當今 SiC 二極管市場中始終保持領先地位。

PSC1065K 具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質(zhì)因數(shù)(QC x VF)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。

合并 PIN 肖特基(MPS)二極管通過在制造過程中降低芯片厚度而進一步提高其性能，并具備其他優(yōu)勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統(tǒng)復雜性，使硬件設計人員能夠在耐用型高功率應用中，以更小的外形尺寸實現(xiàn)更高的效率。

例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配備采用安世半導體 PSC1065K SiC 肖特基二極管設計電源的數(shù)據(jù)中心將更加符合嚴格的能源效率標準。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有15,000多名員工。作為基礎半導體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業(yè)、移動和消費多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。

審核編輯：湯梓紅