今天在市場(chǎng)上發(fā)現(xiàn)了一款很有意思的電流檢測(cè)芯片，和傳統(tǒng)意義上的電流檢測(cè)芯片所不一樣的是，它的檢測(cè)方式有所不同。它的名字叫做高端點(diǎn)電流檢測(cè)芯片F(xiàn)P135，絲印是BWXXX，是臺(tái)灣遠(yuǎn)翔所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的一款電流檢測(cè)IC。

高端點(diǎn)電流檢測(cè)芯片F(xiàn)P135

對(duì)于大部分應(yīng)用，都是通過感測(cè)電阻兩端的壓降測(cè)量電流。

一般使用電流通過時(shí)的壓降為數(shù)十mV～數(shù)百mV的電阻值，電流檢測(cè)用低電阻器使用數(shù)Ω以下的較小電阻值；測(cè)量電流時(shí)， 通常會(huì)將電阻放在電路中的兩個(gè)位置。

第一個(gè)位置是放在電源與負(fù)載之間。這種測(cè)量方法稱為高側(cè)電流感測(cè)。

通常放置感測(cè)電阻的第二個(gè)位置是放在負(fù)載和接地端之間。這種電流感測(cè)方法稱為低側(cè)電流感測(cè)。

兩種測(cè)量方法各有利弊，低邊電阻在接地通路中增加了不希望的額外阻抗；

采用高側(cè)電阻的電路必須承受相對(duì)較大的共模信號(hào)。

低側(cè)電流測(cè)量的優(yōu)點(diǎn)之一是共模電壓， 即測(cè)量輸入端的平均電壓接近于零。這樣更便于設(shè)計(jì)應(yīng)用電路， 也便于選擇適合這種測(cè)量的器件。

低側(cè)電流感測(cè)電路測(cè)得的電壓接近于地， 在處理非常高的電壓時(shí)、 或者在電源電壓可能易于出現(xiàn)尖峰或浪涌的應(yīng)用中， 優(yōu)先選擇這種方法測(cè)量電流。

由于低側(cè)電流感測(cè)能夠抗高壓尖峰干擾， 并能監(jiān)測(cè)高壓系統(tǒng)中的電流。

高端點(diǎn)電流檢測(cè)芯片F(xiàn)P135

負(fù)載電流（IS）從電源流出，并在感測(cè)電阻（RS）處產(chǎn)生電壓差（VIN+ - VIN-）。假設(shè)內(nèi)部MOSFET漏電流與源電流（IO）相同，且VIP非常接近，則FP135傳遞函

數(shù)為：

（VIN+ - VIN-）等于IS×RS，輸出電壓（OUT）等于IO x RL。本應(yīng)用中高端點(diǎn)電流測(cè)量的最終傳遞函數(shù)為：

需要注意的是：

（RG1=RG2）必須小于或等于1KΩ，這可以減少輸出偏差。

VCC、VIP和VIN的最小工作電壓為3.3V。如果這些電源電壓低于3.3V，則FP135輸出處的傳遞函數(shù)就不再適用。

VIP和VIN之間的最大電壓差為±6V。如果（VIP-VIN）超過±6V，則會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞。

電容器不能從VIP腳和VIN腳接地。

當(dāng)感應(yīng)電阻（RS）發(fā)生瞬態(tài)電壓時(shí)，集成電路將改變?cè)措娏鳎↖O）改為輸出端，并在輸出端產(chǎn)生電壓變化，RC電路將在輸出更改期間延遲一段時(shí)間。下圖顯示了FP135一種延遲轉(zhuǎn)換時(shí)間的簡(jiǎn)單方法。

高端點(diǎn)電流檢測(cè)芯片F(xiàn)P135

FP135電流檢測(cè)芯片PCB圖：

高端點(diǎn)電流檢測(cè)芯片F(xiàn)P135

其他的電流偵測(cè)芯片料號(hào)參考：

電流檢測(cè)IC

臺(tái)灣遠(yuǎn)翔

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審核編輯 黃宇