為實現(xiàn)IDM 2.0戰(zhàn)略，英特爾在2021年宣布啟動“四年內(nèi)五個節(jié)點”（簡稱‘5N4Y’）計劃。其中，Intel 18A（1.8nm級）技術(shù)將作為該項目的最高峰，計劃在2025年初投產(chǎn)。然而，對于未來的規(guī)劃仍未披露詳情，僅確定英特爾將于春節(jié)后揭示新工藝的具體藍圖。

值得關(guān)注的是，英特爾將在2月21日出席IFS Direct Connect活動，屆時，英特爾晶圓代工服務(wù)IFS將重點探討5N4Y之后的研發(fā)方向。此次會議將邀請到英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）、IFS總經(jīng)理斯圖·潘恩、英特爾供應(yīng)鏈及運營總經(jīng)理哈利凡·埃斯法賈尼、負責(zé)工藝技術(shù)開發(fā)的執(zhí)掌安妮·凱萊赫等核心人物發(fā)表主旨演講。

英特爾對此次活動的定位如下： “誠摯邀請您傾聽英特爾高層精英、技術(shù)專才以及各方合作伙伴深度解讀我們的戰(zhàn)略布局、卓越工藝技術(shù)、尖端封裝技巧與生態(tài)建設(shè)。旨在讓您深入理解英特爾的代工廠服務(wù)如何助力貴司充分利用英特爾強大的彈性供應(yīng)實力構(gòu)筑芯片設(shè)計?！?/p>

然而，關(guān)于后續(xù)工藝革新的具體信息尚未明確，但是考慮到英特爾擅長的技術(shù)創(chuàng)新習(xí)性，其新工藝將在Intel 18A的基礎(chǔ)上進一步升級。尤其是Intel 20A已經(jīng)引入了業(yè)界領(lǐng)先的RibbonFET環(huán)柵晶體管和PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN），因此，預(yù)計這兩個技術(shù)將會繼續(xù)深化應(yīng)用。另外，基于半導(dǎo)體技術(shù)的復(fù)雜性，英特爾需要針對各類應(yīng)用場景適時調(diào)整工藝策略。以Intel 3為例，它具備豐富的高性能計算資源庫和卓越的驅(qū)動電流，適用于數(shù)據(jù)中心級別的處理器需求。至于此種模式將來能否推廣至更多類型的節(jié)點服務(wù)，以及英特爾是否打算提供更多專屬節(jié)點，尚需觀察后續(xù)進展。