據(jù)存儲模組公司消息人士表示，三星電子和美光科技等存儲芯片供應(yīng)商正在考慮在2024年第一季度將DRAM價格提高15%-20%。

與飆升的NAND閃存價格相比，2023年第四季度DRAM定價相對穩(wěn)定。不過，消息人士稱，存儲芯片制造商目前預(yù)計在下一輪漲價中將重點放在DDR4和DDR5等DRAM上，以加速恢復盈利。

有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價，但預(yù)計NAND價格將繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%，大幅提升DRAM價格，但低于當月3D TLC NAND約10%的漲幅。

隨著手機和服務(wù)器需求逐漸改善，DRAM供應(yīng)預(yù)計將趨緊。存儲芯片制造商目前熱衷于在2024上半年提高DDR4和DDR5價格，另外DDR3產(chǎn)量和價格將相對穩(wěn)定。

消息人士稱，存儲模組廠商已在過去幾個月以低價備貨，預(yù)計三星將打響下一輪DRAM價格調(diào)整的第一槍。

韓國DRAM供應(yīng)商已降低2023下半年DRAM的利用率。三星2023年第四季度的DRAM產(chǎn)量僅為2023年第一季度的70%左右，并補充說三星提高了先進制造工藝的產(chǎn)量比例。預(yù)計2024年第一季度DRAM產(chǎn)量將繼續(xù)受到嚴格控制。芯片供應(yīng)商將更多地依賴先進節(jié)點，同時減少成熟工藝的產(chǎn)量。

前三大DRAM芯片廠商的DDR4過去采用1X nm或1Y nm工藝，但在2023年，三星將其8Gb和16Gb產(chǎn)品轉(zhuǎn)移到1Z nm工藝，而美光則將其DDR4生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到1α nm工藝。存儲芯片制造商也已從16Gb DDR5的1α節(jié)點遷移到1β節(jié)點。

2023年第四季度DRAM和NAND均未出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，這表明終端市場需求尚未恢復，2月農(nóng)歷新年前前景將較為保守。