2025 年以來(lái)，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)明顯的價(jià)格上行趨勢(shì)。受AI 計(jì)算需求爆發(fā)、上游產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整和傳統(tǒng) HDD 供給緊張等多重因素驅(qū)動(dòng)，DRAM 與 NAND Flash 的價(jià)格全面上揚(yáng)，并傳導(dǎo)至 SSD、U 盤(pán)、TF 卡等下游成品市場(chǎng)。

核心趨勢(shì)

1. 漲價(jià)將延續(xù)至 2025 Q4–2026 H1

行情面：DRAM 與 NAND 合約價(jià)近期上漲 5–20%，其中 DDR4、企業(yè)級(jí) SSD 與低容量 NAND 顆粒漲幅最為顯著。

供給面：原廠繼續(xù)控產(chǎn)、優(yōu)先供應(yīng)高毛利 AI 相關(guān)產(chǎn)品線。

替代面：近線 HDD 交期超過(guò)一年，數(shù)據(jù)中心更多采用企業(yè)級(jí) QLC SSD 替代冷存儲(chǔ)，進(jìn)一步加劇 NAND 需求。

2. DDR4 與 LPDDR4/x 成為最緊缺品類(lèi)

DDR4 因?yàn)楣に囃．a(chǎn)與產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)緊張狀態(tài)至少持續(xù)至 2026 年中。

高速大容量 DDR5 逐步滲透，但成本與兼容性問(wèn)題限制了短期替代。

3. NAND 結(jié)構(gòu)性分化明顯

企業(yè)級(jí) NAND（高層數(shù)、QLC）需求最旺，價(jià)格堅(jiān)挺。

消費(fèi)級(jí) NAND（U 盤(pán)、TF、低容量 SSD）因顆粒緊缺，報(bào)價(jià)同樣隨行就市。

4. 消費(fèi)級(jí)成品價(jià)格“快漲慢跌”

NVMe、SATA SSD 在渠道端普遍上調(diào)，尤其是大容量型號(hào)。

USB/TF 市場(chǎng)因備貨與惜售心理，價(jià)格波動(dòng)加劇。

驅(qū)動(dòng)邏輯

AI 基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)張：大模型訓(xùn)練與推理需要更大規(guī)模存儲(chǔ)，推升 HBM、DRAM 與 NAND 需求。

原廠結(jié)構(gòu)調(diào)整：產(chǎn)線優(yōu)先支持 HBM、DDR5 與高層數(shù) NAND，傳統(tǒng) DDR4 與低容量 NAND 被邊緣化。

替代效應(yīng)：HDD 長(zhǎng)交期使得企業(yè)被動(dòng)采購(gòu)更多 SSD，特別是 QLC。

需求傳導(dǎo)：先由企業(yè)級(jí)漲價(jià)，再傳導(dǎo)至消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)。

時(shí)間軸判斷

2025 Q4–2026 H1（基準(zhǔn)情景）

DRAM：DDR4 持續(xù)緊缺，價(jià)格高位震蕩。DDR5 結(jié)構(gòu)性分化。

NAND：企業(yè)級(jí) NAND 強(qiáng)勢(shì)，消費(fèi)級(jí)“快漲慢跌”。

HDD：交期繼續(xù)拉長(zhǎng)，支撐 SSD 替代需求。

2026 H2（樂(lè)觀情景）

新堆棧 NAND（V9/V10）量產(chǎn)爬坡，供需改善，NAND 可能率先回落。

保守情景

若 AI 數(shù)據(jù)需求超預(yù)期，或 HDD 供給恢復(fù)緩慢，漲價(jià)周期將延續(xù)更久。

市場(chǎng)對(duì)策建議

1. 采購(gòu)側(cè)

關(guān)鍵型號(hào)提前鎖量：DDR4/LPDDR4x、低容量 NAND 建議 3–6 個(gè)月滾動(dòng)鎖單。

替代方案預(yù)研：DDR4 → DDR5，低容量 NAND → pin-to-pin 高容量替代。

安全庫(kù)存提升：關(guān)鍵料號(hào)庫(kù)存建議維持 1.5–2.5 倍月用量。

2. 銷(xiāo)售側(cè)

大容量?jī)?yōu)先備貨

價(jià)保+交期承諾：通過(guò)短周期價(jià)保與可追溯批次提高客戶(hù)粘性。

未來(lái)一年，存儲(chǔ)市場(chǎng)的主旋律仍將是結(jié)構(gòu)性緊缺 + 價(jià)格高位震蕩。

DDR4 與低容量 NAND 將是最緊俏的品類(lèi)；企業(yè)級(jí) SSD 與 QLC NAND 則在 AI 浪潮中受益最大。

企業(yè)需提前布局采購(gòu)與庫(kù)存策略，同時(shí)在銷(xiāo)售端強(qiáng)化價(jià)格溝通與替代方案設(shè)計(jì)。

對(duì)國(guó)內(nèi)廠商的利好主要表現(xiàn)為：國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇明顯

隨著外資廠商將產(chǎn)能更多轉(zhuǎn)向高端DDR5、HBM等產(chǎn)品，傳統(tǒng)DDR4及中低端NAND市場(chǎng)空間被進(jìn)一步釋放。國(guó)內(nèi)企業(yè)具備技術(shù)和產(chǎn)能基礎(chǔ)，能夠填補(bǔ)供需缺口，快速提升市場(chǎng)份額。

市場(chǎng)份額加速增長(zhǎng)。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2025年全球DDR5市場(chǎng)中國(guó)廠商有望占30%以上，全球市占率大幅提升。這顯示國(guó)產(chǎn)廠商正在快速搶占國(guó)際市場(chǎng)。

收入和盈利能力提升。技術(shù)迭代和產(chǎn)品升級(jí)也帶來(lái)價(jià)格和毛利的雙重提升。

政策和國(guó)產(chǎn)替代需求推動(dòng)。國(guó)內(nèi)云計(jì)算、信創(chuàng)等產(chǎn)業(yè)對(duì)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的采購(gòu)需求持續(xù)上升，加快國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)替代速度。

綜上，存儲(chǔ)芯片漲價(jià)雖對(duì)整體供應(yīng)鏈造成壓力，但國(guó)內(nèi)廠商憑借技術(shù)積累和國(guó)產(chǎn)替代政策受益明顯，在行業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整中獲得了快速成長(zhǎng)和更大的市場(chǎng)話語(yǔ)權(quán)，有望在未來(lái)迎來(lái)發(fā)展黃金期.

參考來(lái)源

TrendForce，2025 年存儲(chǔ)市場(chǎng)月報(bào)

集邦咨詢(xún)、CINNO Research 市場(chǎng)快訊

TechInsights：AI 存儲(chǔ)與 HDD 交期分析

Digitimes：原廠控產(chǎn)與 NAND 合約價(jià)趨勢(shì)

Counterpoint Research：DDR4 市場(chǎng)供需預(yù)測(cè)

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審核編輯 黃宇