DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側 MOSFET 的外部電容器產生正確的柵極驅動電壓。GVDD 用于為低側 MOSFET 產生柵極驅動電壓。柵極驅動架構支持峰值高達750mA的源電流和1.5A的灌電流。
*附件：drv8300-q1.pdf

相位引腳 SHx 能夠承受顯著的負電壓瞬變;而高側柵極驅動器電源 BSTx 和 GHx 能夠支持更高的正電壓瞬變 （115V） abs 最大電壓，從而提高系統(tǒng)的穩(wěn)健性。小傳播延遲和延遲匹配規(guī)格最大限度地減少了死區(qū)時間要求，從而進一步提高了效率。通過 GVDD 和 BST 欠壓鎖定為低側和高側提供欠壓保護。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用
  • 溫度等級 1：–40°C ≤ TA ≤ 125°C
• 100V 三相半橋柵極驅動器
  • 驅動 N 溝道 MOSFET （NMOS）
  • 柵極驅動器電源 （GVDD）：5-20 V
  • MOSFET 電源 （SHx） 支持高達 100 V
• 集成自舉二極管
• Bootstrap 柵極驅動架構
  • 750mA 源電流
  • 1.5A 灌電流
• 支持高達 48V 的汽車系統(tǒng)
• SHx 引腳上的低漏電流 （<55 μA）
• 絕對最大 BSTx 電壓高達 115V
• 在 SHx 上支持高達 -22V 的負瞬變
• 內置交叉?zhèn)鲗ьA防
• 固定死區(qū)時間插入 215 ns
• 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入，最大 20 V 絕對值
• 4 nS典型傳播延遲匹配
• 緊湊的 TSSOP 封裝
• 使用電源塊進行高效的系統(tǒng)設計
• 集成保護功能
  • BST 欠壓鎖定 （BSTUV）
  • GVDD 欠壓 （GVDDUV）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

• ?汽車級認證?：符合AEC-Q100 Grade 1標準（-40°C至125°C工作溫度）。
• ?高壓驅動?：支持100V三相半橋驅動，集成自舉二極管，柵極驅動電源（GVDD）范圍5-20V。
• ?驅動能力?：750mA源電流/1.5A灌電流，支持48V汽車系統(tǒng)，耐受-22V負瞬態(tài)電壓。
• ?保護功能?：自舉欠壓鎖存（BSTUV）、GVDD欠壓保護（GVDDUV），內置交叉導通預防和215ns固定死區(qū)時間。

?2. 關鍵參數(shù)?

• ?電氣特性?：
  • 邏輯輸入兼容3.3V/5V，傳播延遲匹配±4ns。
  • 自舉二極管正向壓降0.7V（典型值），動態(tài)電阻15Ω。
• ?熱性能?：TSSOP封裝結至環(huán)境熱阻97.4°C/W。

?3. 應用場景?

• 電動自行車/滑板車、壓縮機、汽車風扇、HVAC鼓風機等48V工業(yè)及汽車系統(tǒng)。

?4. 功能模塊?

• ?柵極驅動?：非反相邏輯輸入，獨立高低側控制，支持PWM頻率達200kHz。
• ?電源管理?：需外接自舉電容（推薦100nF）和GVDD電容（≥1μF）。

?5. 封裝與版本?

• ?封裝?：20引腳TSSOP（6.4mm×4.4mm），帶PowerPAD散熱焊盤。
• ?保護機制?：故障時自動進入高阻態(tài)，電壓恢復后自啟動。

?6. 設計建議?

• ?布局?：縮短GHx/SHx/GLx走線，降低寄生電感；GVDD和自舉電容需就近放置。
• ?典型電路?：需搭配外部MOSFET（如CSD19532Q5B）和電流檢測放大器。