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SK海力士擬將無錫C2工廠升級為第四代D-ram工藝,并引進(jìn)EUV技術(shù)

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-01-16 14:06 ? 次閱讀
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據(jù)《首爾經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道,SK海力士計(jì)劃于2024年前完成對其位于中國無錫C2工廠的改造工作,使之成為具備10納米級第四代(1a)D-ram技術(shù)的新生產(chǎn)線。此生產(chǎn)線目前占據(jù)Sk海力士D-RAM總產(chǎn)量的大約40%。

Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環(huán)節(jié)中的部分工藝流程,隨后將芯片運(yùn)回韓國總部利川園區(qū)進(jìn)行EUV處理,最后送回?zé)o錫工廠進(jìn)行后續(xù)操作。盡管第四代產(chǎn)品僅需一層使用EUV工藝,但公司仍認(rèn)為增加的成本是合理可承受的。

鑒于無錫工廠曾遭遇2013年火災(zāi)導(dǎo)致D-RAM生產(chǎn)停滯,該公司為此積累了豐富的恢復(fù)重建經(jīng)驗(yàn)。而對于如何實(shí)施無錫工廠工藝轉(zhuǎn)型,SK海力士并未透露具體的運(yùn)營計(jì)劃信息。

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