chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

芯長征科技 ? 來源:SIC碳化硅MOS管及功率模塊 ? 2024-02-20 09:47 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓撲結(jié)構(gòu)方案,充分利用了碳化硅器件優(yōu)勢簡化結(jié)構(gòu)復(fù)雜性,提高了設(shè)備的可靠性和效率.提出了適用于碳化硅功率器件的驅(qū)動方法,解決了驅(qū)動電平選取、隔離方式選取、橋臂串?dāng)_等技術(shù)問題.利用研究的相關(guān)技術(shù)成果,成功研制了30kW全碳化硅充電模塊產(chǎn)品.

30e8da52-cf90-11ee-a297-92fbcf53809c.png

3112b4bc-cf90-11ee-a297-92fbcf53809c.png

31325970-cf90-11ee-a297-92fbcf53809c.png

轉(zhuǎn)載:SIC碳化硅MOS管及功率模塊的應(yīng)用

文章來源:機械工程與自動化

作者:黎耀華(中國電子科技集團公司 第二研究所)




審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    11177

    瀏覽量

    104034
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    2010

    瀏覽量

    94077
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3209

    瀏覽量

    51363
  • 直流充電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    39

    瀏覽量

    9163

原文標題:全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究

文章出處:【微信號:芯長征科技,微信公眾號:芯長征科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    )、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢,尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強的盈利能力和可持續(xù)性。 來自兩家行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1241次閱讀

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來,它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?331次閱讀

    碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機制研究

    一、引言 化學(xué)機械拋光(CMP)工藝是實現(xiàn)碳化硅(SiC)襯底全局平坦化的關(guān)鍵技術(shù),對提升襯底質(zhì)量、保障后續(xù)器件性能至關(guān)重要??偤穸绕睿═TV)作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的核心指標之一,其精確控制
    的頭像 發(fā)表于 09-11 11:56 ?382次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度在 CMP 工藝中的反饋控制機制<b class='flag-5'>研究</b>

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?849次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?954次閱讀
    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的<b class='flag-5'>全</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半橋模塊

    EAB450M12XM3碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化
    發(fā)表于 06-25 09:13

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?850次閱讀

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用
    發(fā)表于 04-02 11:40 ?0次下載

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    ,碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。 表1 硅器件(Si)與
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?782次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?

    Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

    本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?1428次閱讀
    Wolfspeed第4代<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>解析

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1468次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積<b class='flag-5'>技術(shù)</b>介紹

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2063次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅SiC在電動車中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)在電動車中的應(yīng)用主要集中在電力電子系統(tǒng)方面,以下是對其在電動車中具體應(yīng)用的分析: 一、電動車充電設(shè)備 在電動車充電設(shè)備中,
    的頭像 發(fā)表于 11-25 17:32 ?1983次閱讀