臺(tái)積電：13 座晶圓廠（ 6/8/12英寸），產(chǎn)能1420萬(wàn)片/年（12英寸），主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（0.5μm~3nm），工藝平臺(tái)覆蓋邏輯、混合信號(hào)與射頻、圖像傳感器、模擬與電源管理、嵌入式存儲(chǔ)等，代工產(chǎn)品下游應(yīng)用為消費(fèi)電子、服務(wù)器、計(jì)算機(jī)、汽車電子等，臺(tái)積電是全球晶圓代工市占率第一的企業(yè)。

聯(lián)華電子：12座晶圓廠（ 6/8/12英寸），產(chǎn)能438萬(wàn)片/年（12英寸），主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（0.6μm~14nm），工藝平臺(tái)覆蓋邏輯、模擬與混合信號(hào)、嵌入式存儲(chǔ)、特色射頻及高壓顯示驅(qū)動(dòng)等，下游應(yīng)用為通訊、計(jì)算機(jī)與數(shù)據(jù)處理、汽車電子等，聯(lián)華電子在全球晶圓代工市場(chǎng)市占率排名第二。

格羅方德：6座晶圓廠（ 8/12英寸），產(chǎn)能360萬(wàn)片/年（12英寸），主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（0.18μm~12nm），工藝平臺(tái)覆蓋邏輯、混合信號(hào)與射頻、模擬與電源管理等，下游應(yīng)用為消費(fèi)電子、汽車電子、通訊、家居及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)，市占率全球第三。

中芯*國(guó)際：6座晶圓廠（ 8/12英寸），產(chǎn)能300萬(wàn)片/年（12英寸），主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（0.35μm~14nm），工藝平臺(tái)覆蓋邏輯、模擬與電源管理、高壓顯示驅(qū)動(dòng)、嵌入式及獨(dú)立式存儲(chǔ)、混合信號(hào)與射頻、圖像傳感器及功率器件等，下游應(yīng)用為消費(fèi)電子、汽車電子、通訊等，市占率全球第四。

華虹：6座晶圓廠（ 8/12英寸），產(chǎn)能156萬(wàn)片/年（12英寸），主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（0.35μm~55nm），工藝平臺(tái)覆蓋嵌入式存儲(chǔ)器、獨(dú)立式存儲(chǔ)器、功率器件、模擬與電源管理、邏輯與射頻等，下游應(yīng)用為消費(fèi)電子、汽車電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)等，市占率全球第六。

世界先進(jìn)：5座晶圓廠（ 8英寸），產(chǎn)能129萬(wàn)片/年（12英寸），主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（0.5μm~0.11μm），工藝平臺(tái)覆蓋電源管理、功率器件、模擬器件、嵌入式存儲(chǔ)等，下游應(yīng)用為消費(fèi)電子、汽車電子、數(shù)據(jù)中心等，市占率全球第七。

高塔半導(dǎo)體：7座晶圓廠，主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（1μm~45nm），工藝平臺(tái)覆蓋圖像傳感器、功率器件、特色射頻、模擬及電源管理等，下游應(yīng)用為消費(fèi)電子、通訊等，晶圓代工行業(yè)領(lǐng)先。

晶合集成：2座晶圓廠（ 12英寸），產(chǎn)能60萬(wàn)片/年（12英寸），主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（0.15μm~90nm），工藝平臺(tái)覆蓋嵌入式存儲(chǔ)器、圖像與顯示驅(qū)動(dòng)等，下游應(yīng)用為消費(fèi)電子等，中國(guó)大陸晶圓代工市占率第三。

英飛凌：6/8/12英寸晶圓廠，工藝平臺(tái)覆蓋功率器件、模擬及電源管理、嵌入式存儲(chǔ)器等，下游應(yīng)用為汽車電子、工業(yè)、消費(fèi)電子等，全球領(lǐng)先的IDM廠商。

德州儀器：11座晶圓廠（6/8/12英寸），工藝平臺(tái)覆蓋模擬與電源管理、功率、射頻等，下游應(yīng)用為消費(fèi)電子、通訊、工業(yè)、汽車等，全球領(lǐng)先的IDM廠商。

華潤(rùn)微：2座晶圓廠（6/8英寸，12英寸在建），主要覆蓋工藝節(jié)點(diǎn)（1μm~0.11μm），工藝平臺(tái)覆蓋模擬/混合信號(hào)、功率器件等，下游應(yīng)用為消費(fèi)電子、汽車電子、通訊等，中國(guó)大陸領(lǐng)先的IDM廠商。

三星：12/8英寸，180~3nm制程。

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