全球首款8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓誕生
業(yè)內(nèi)傳來最新消息，據(jù)湖北九峰山實驗室稱，于20日成功打造全球首款8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓。此創(chuàng)新成果采用8英寸SOI硅光晶圓和8英寸鈮酸鋰晶圓進(jìn)行鍵合，每片晶圓集結(jié)了光電收發(fā)功能，成為現(xiàn)有全球頂級硅基化合物光電集成技術(shù)的代表之作。
它能夠大批量生產(chǎn)具有超低損耗和超高帶寬的高端光芯片，被譽為全球最優(yōu)秀的光電集成芯片。該研究是由九峰山實驗室攜手行業(yè)關(guān)鍵合作伙伴共同完成，即將實現(xiàn)廣泛的商業(yè)應(yīng)用。
當(dāng)前，業(yè)界針對薄膜鈮酸鋰的研發(fā)仍主要側(cè)重于3英寸、4英寸以及6英寸晶圓的制備及其上面的微納加工工藝。而此次九峰山實驗室成功研制的這款8英寸硅光薄膜鈮酸鋰晶圓，首次實現(xiàn)了低損耗的鈮酸鋰波導(dǎo)、高速率電光調(diào)制器等多種芯片的集成。
這一突破性的成果無疑為薄膜鈮酸鋰光電芯片的制作和巨大規(guī)模的光子集成開辟了一條充滿希望的產(chǎn)業(yè)化道路，并且為高性能光通信的應(yīng)用場景提供了解決難題的有效科技途徑。
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