chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星3納米良率不足60%

百能云芯電子元器件 ? 來源:百能云芯電子元器件 ? 作者:百能云芯電子元器 ? 2024-03-11 16:17 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

三星近年來在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域持續(xù)投入,并力爭在先進(jìn)制程技術(shù)上取得突破。然而,據(jù)韓媒報(bào)道,三星在3納米制程上的良率問題似乎仍未得到有效解決,這對(duì)其在市場上的競爭力構(gòu)成了一定的挑戰(zhàn)。

據(jù)百能云芯電子.元器.件商.城了解,三星的3納米制程良率目前仍不足60%,這意味著在制造過程中存在較高的失敗率,可能導(dǎo)致生產(chǎn)成本上升,且難以保證產(chǎn)品質(zhì)量。與此同時(shí),其競爭對(duì)手臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域仍保持著較高的市占率,這無疑加大了三星的市場壓力。

盡管三星在代工廠方面有著雄心壯志,并與IBM、Nvidia和高通等產(chǎn)業(yè)巨頭簽訂了合作協(xié)議,但良率問題可能成為其發(fā)展的絆腳石。行業(yè)分析師指出,GAA處理方法尚未穩(wěn)定,這是導(dǎo)致良率不佳的主要原因之一。

不過,值得一提的是,三星在4納米制程上的表現(xiàn)相對(duì)較好,良率達(dá)到了約75%。這對(duì)于其合作伙伴來說無疑是一個(gè)好消息,比如Google的Pixel 9系列Tensor G4 SoC就將在三星的4LPP+工藝上制造。

另外,有報(bào)道稱Meta首席執(zhí)行官扎克伯格在近期訪韓期間與三星探討了潛在合作。Meta當(dāng)前對(duì)臺(tái)積電的依賴讓其感到擔(dān)憂,因?yàn)榕_(tái)積電產(chǎn)能吃緊且代工狀態(tài)存在不確定性。長遠(yuǎn)來看,這可能會(huì)影響對(duì)Meta的供應(yīng)。因此,Meta有意將部分AI芯片訂單交由三星代工。然而,三星代工業(yè)務(wù)面臨的最大挑戰(zhàn)仍在于良率問題。

總的來說,三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域雖然有著不俗的實(shí)力和雄心壯志,但仍需要解決良率等關(guān)鍵問題,以提升其市場競爭力。未來三星是否能通過技術(shù)創(chuàng)新和工藝改進(jìn)來克服這些問題,值得我們持續(xù)關(guān)注。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 3納米
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    32

    瀏覽量

    5276
  • 三星
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    1692

    瀏覽量

    32577
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
    發(fā)表于 05-19 10:05

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試

    較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的,這高于
    發(fā)表于 04-18 10:52

    臺(tái)積電2nm制程已超60%

    ,較個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升(此前驗(yàn)證階段的已經(jīng)可以到60%),預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是,蘋果作為臺(tái)積電戰(zhàn)略合作伙伴,或?qū)⒙氏炔捎眠@一尖端制程。盡管廣發(fā)證券
    的頭像 發(fā)表于 03-24 18:25 ?733次閱讀

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

    在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星?3nm(SF3)GAA?工藝自?2023?年量產(chǎn)以來,由于未達(dá)預(yù)期,至今尚未
    的頭像 發(fā)表于 03-23 11:17 ?1340次閱讀

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

    在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星 3nm(SF3)GAA 工藝自 2023 年量產(chǎn)以來,由于未達(dá)預(yù)期,至今尚未獲得大客戶訂單。
    的頭像 發(fā)表于 03-22 00:02 ?1860次閱讀

    三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤,商討HBM3E供應(yīng)

    其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測,三星8層HBM
    的頭像 發(fā)表于 02-18 11:00 ?525次閱讀

    三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

    據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?945次閱讀

    三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)里程碑推遲

    據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?546次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)里程碑延期

    據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?593次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)與性能挑戰(zhàn)

    近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?781次閱讀

    三星芯片代工新掌門:先進(jìn)與成熟制程并重

    制程與成熟制程的并重發(fā)展。他指出,當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實(shí)力。 同時(shí),韓真晚也提到了
    的頭像 發(fā)表于 12-10 13:40 ?681次閱讀

    臺(tái)積電2nm芯片試產(chǎn)達(dá)60%以上,有望明年量產(chǎn)

    近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商臺(tái)積電在新竹工廠成功試產(chǎn)2納米(nm)芯片,并取得了令人矚目的成果。試產(chǎn)結(jié)果顯示,該批2nm芯片的已達(dá)到60%以上,這一數(shù)據(jù)不僅大幅超越了公司內(nèi)部的預(yù)期
    的頭像 發(fā)表于 12-09 14:54 ?1008次閱讀

    晶圓制造限制因素簡述(1)

    下圖列出了一個(gè)11步工藝,如第5章所示。典型的站點(diǎn)列在第3列,累積列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品,從站點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 10-09 09:50 ?1186次閱讀
    晶圓制造<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>限制因素簡述(1)

    今日看點(diǎn)丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)

    1. 三星:HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn),營收貢獻(xiàn)將增長至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)芯片HBM3
    發(fā)表于 08-01 11:08 ?1112次閱讀

    三星電子發(fā)布為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首款3納米工藝芯片

    近日,三星電子震撼發(fā)布了其專為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首款3納米工藝芯片——Exynos W1000,標(biāo)志著該公司在微型芯片技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。這款尖端芯片采用了三星獨(dú)有的
    的頭像 發(fā)表于 07-05 16:07 ?1916次閱讀