三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%
三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%
三星認為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1845瀏覽量
115992 -
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1722瀏覽量
138155 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1699瀏覽量
32741
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
今日看點丨NAND Flash Q3將漲價超15%；阿斯麥警告 2026 年增長目標堪憂；蘋果折疊手機將采用三星無折痕方案
1、NAND Flash第三季度將漲價超15% 據(jù)業(yè)界最新預(yù)測，第三季NAND Flash
發(fā)表于 07-17 10:13
?1239次閱讀
看點：三星DDR4內(nèi)存漲價20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價20%? 存儲器價格跌勢結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendF
三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線
近日，據(jù)韓媒報道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術(shù)升級與產(chǎn)能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技
三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產(chǎn)”
據(jù)外媒最新報道，為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題，三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施，通過工藝轉(zhuǎn)換實現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，自去年年底以來，三星電子和SK
Arm漲價計劃或影響三星Exynos芯片未來
據(jù)外媒報道，芯片巨頭Arm計劃大幅度提高授權(quán)許可費用，漲幅最高可達300%。這一消息對三星Exynos芯片的未來發(fā)展構(gòu)成了嚴峻挑戰(zhàn)。
三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量
價格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場環(huán)境下，三星電子面臨著巨大的壓力，難以維持過去那種壓倒性的生產(chǎn)力。 據(jù)報道，SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應(yīng)規(guī)模，這無疑加劇了市場競爭。面對如此激烈
三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對市場變化
近日，三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產(chǎn)措施，以應(yīng)對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報》報
三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量
近日，據(jù)相關(guān)報道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來NAND
三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞
近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC
MLC NAND產(chǎn)能或遭削減？三星否認停產(chǎn)傳聞
近日，業(yè)界傳出消息，MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減，其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場傳言，三星計劃在2024年底現(xiàn)貨
三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線
三星電子即將啟動一項重大舉措，計劃出售位于中國西安的NAND閃存工廠的舊設(shè)備及產(chǎn)線。這一決定標志著三星在半導體業(yè)務(wù)上的一次重大調(diào)整，預(yù)計將對
三星電子將出售中國工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線
三星電子即將啟動一項計劃，將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進行銷售。這些設(shè)備原本因美國政府的壓力而積壓，現(xiàn)預(yù)計將通過中國本土企業(yè)或第
三星與鎧俠計劃減產(chǎn)NAND閃存
近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn)，并預(yù)計根據(jù)市場狀況分階段實施。
三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND
三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著
第二季度全球NAND閃存平均漲價15％
2024年第二季度，全球NAND閃存市場迎來價格顯著上漲的行情，平均售價攀升了15%，反映出市場需求持續(xù)旺盛與供應(yīng)端的緊張態(tài)勢。然而，與此同時，NA
工商網(wǎng)監(jiān)
評論