SiC相關(guān)廠商芯三代啟動上市輔導(dǎo)
近日，證監(jiān)會披露了關(guān)于芯三代半導(dǎo)體科技 (蘇州) 股份有限公司首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報告。
芯三代自成立以來，專注于研發(fā)生產(chǎn)半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)設(shè)備，特別聚焦于第三代半導(dǎo)體SiC-CVD裝備。其研發(fā)的SiC-CVD設(shè)備通過精細(xì)的工藝與設(shè)備設(shè)計，實現(xiàn)了高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、低成本等多項優(yōu)勢，為半導(dǎo)體行業(yè)帶來新的突破。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
336文章
30035瀏覽量
258735 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3534瀏覽量
68275
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎
2025年12月4日，深圳高光時刻！由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂，共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
上海永銘：第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵，如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案
AMEYA360代理品牌：上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵，如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言：氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術(shù)正推動功率電子革命，但真正的場景
三代半碳化硅（SiC）外延工藝技術(shù)的詳解；
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)
發(fā)表于 07-23 14:36
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
）和碳化硅（SiC），它們在電力電子、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
是德示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性
第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而，SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn)：開關(guān)速度可達(dá)納
SemiQ第三代SiC MOSFET：車充與工業(yè)應(yīng)用新突破
SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實現(xiàn)突破性升級，芯片面積縮小20%，開關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
芯和半導(dǎo)體擬A股IPO，已完成上市輔導(dǎo)備案
近日，中國證監(jiān)會公布了一則重要消息，芯和半導(dǎo)體科技（上海）股份有限公司（簡稱“芯和半導(dǎo)體”）已完成首次公開發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案。此次上市
百度成功點亮國內(nèi)首個昆侖芯三代萬卡集群
近日，百度智能云宣布了一項重大技術(shù)突破：成功點亮了國內(nèi)首個自研的昆侖芯三代萬卡集群。這一里程碑式的成就標(biāo)志著百度在AI芯片領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。
百度智能云點亮昆侖芯三代萬卡集群
近日，百度智能云宣布成功點亮昆侖芯三代萬卡集群，這一成就不僅在國內(nèi)尚屬首次，也標(biāo)志著百度在人工智能算力領(lǐng)域取得了重大突破。據(jù)了解，百度智能云計劃進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模，進(jìn)一步點亮3萬卡集群，以滿足日益增長
第三代半導(dǎo)體廠商加速出海
近年來，在消費電子需求帶動下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論